
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Полупроводниковые приборы – Дискретные приборы –
Часть 9: Биполярные транзисторы с изолированным затвором(IGBTs)
Dispositifs à semiconducteurs – Dispositifsdiscrets –
Часть 9: Транзисторы биполярные à с изолированным затвором(IGBT)
SEMICONDUCTOR DEVICE–DISCRETE DEVICES –
Part 9: Insulated-gate bipolar transistors(IGBTs)
ПРЕДИСЛОВИЕ
1) Международная электротехническая комиссия (IEC) — это всемирная организация по стандартизации, объединяющая все национальные электротехнические комитеты (Национальные комитеты IEC). Задача IEC — содействовать международному сотрудничеству по всем вопросам стандартизации в области электротехники и электроники. С этой целью, а также помимо другой деятельности, IEC публикует Международные стандарты, Технические требования, Технические отчеты, Общедоступные технические требования (PAS) и Руководства (далее именуемые как публикации IEC). Их подготовка возлагается на технические комитеты; любой Национальный комитет IEC, заинтересованный в рассматриваемом вопросе, может участвовать в этой подготовительной работе. В подготовке также участвуют международные, правительственные и неправительственные организации, взаимодействующие с IEC. IEC тесно сотрудничает с Международной организацией по стандартизации (ISO) на условиях, определенных соглашением между обеими организациями.
2) Официальные решения или соглашения IEC по техническим вопросам как можно точнее выражают международный консенсус мнений по соответствующим темам, поскольку каждый технический комитет представлен всеми заинтересованными Национальными комитетами IEC.
3) Публикации IEC имеют форму рекомендаций для международного применения и принимаются Национальными комитетами IEC именно в этом смысле. Хотя прилагаются все разумные усилия, чтобы обеспечить точность технического содержания публикаций IEC, IEC не может нести ответственность за способы их использования или за любое неверное толкование со стороны конечного пользователя.
4) В целях содействия международной унификации Национальные комитеты IEC обязуются по возможности максимально прозрачно применять публикации IEC в своих национальных и региональных изданиях. Любые расхождения между любой публикацией IEC и соответствующей национальной или региональной публикацией должны быть четко указаны в последней.
5) IEC не предусматривает процедуры маркировки, подтверждающей его одобрение, и не может нести ответственность за какое-либо оборудование, заявленное как соответствующее публикации IEC.
6) Всем пользователям следует убедиться, что у них имеется последнее издание данной публикации.
7) IEC, а также его директора, сотрудники, служащие или агенты, включая отдельных экспертов и членов его технических комитетов и Национальных комитетов IEC, не несут ответственности за любые телесные повреждения, имущественный ущерб или иные убытки любого характера, прямые или косвенные, а также за расходы (включая гонорары за юридические услуги) и издержки, возникающие в связи с публикацией, использованием или доверием к данной публикации IEC либо к любым другим публикациям IEC.
8) Обращаем внимание на нормативные ссылки, приведенные в данной публикации. Использование указанных публикаций необходимо для правильного применения данной публикации.
9) Обращаем внимание на то, что некоторые элементы данной публикации IEC могут быть объектом патентных прав. IEC не несет ответственности за выявление каких-либо таких патентных прав или всех таких патентных прав.
Международный стандарт IEC 60747-9 подготовлен подкомитетом 47E «Дискретные полупроводниковые приборы» технического комитета IEC 47 «Полупроводниковые приборы».
Настоящее второе издание IEC 60747-9 отменяет и заменяет первое издание (1998 г.) и поправку 1 (2001 г.).
Основные изменения по сравнению с предыдущим изданием приведены ниже.
a) В раздел 3 были внесены изменения путем добавления терминов, которые следует включить.
b) В разделы 4 и 5 были внесены изменения путем соответствующих добавлений и исключений, которые следует включить.
c) Разделы 6 и 7 в Поправке 1 были объединены в Раздел 6 с соответствующими добавлениями и исправлениями, которые следует включить.
d) Пункт 8 в Поправке 1 был перенумерован как пункт 7. Настоящий стандарт следует читать совместно с IEC 60747-1.
Текст настоящего стандарта основан на следующих документах:
FDIS | Report on voting |
47E/333/FDIS | 47E/341/RVD |
Полную информацию о голосовании по утверждению настоящего стандарта можно найти в отчете о голосовании, указанном в приведенной выше таблице.
Настоящая публикация подготовлена в соответствии с Директивами ISO/IEC, Часть 2.
Список всех частей серии IEC 600747 под общим названием:Semiconductor devices – Discrete devicesна веб-сайте IEC.
Комитет решил, что содержание настоящей публикации останется без изменений до даты результата рассмотрения, указанной на веб-сайте IEC в разделе «http://webstore.iec.ch» в данных, относящихся к конкретной публикации. На эту дату публикация будет
• подтверждена,
• отозвана,
• заменена пересмотренным изданием или
• изменена.
SEMICONDUCTORDEVICES –
DISCRETEDEVICES –
Part 9: Insulated-gate bipolartransistors (IGBTs)
1 Scope
Настоящая часть IEC 60747 устанавливает стандарты на конкретные изделия в части терминологии, буквенных обозначений, основных номинальных параметров и характеристик, проверки номинальных значений и методов измерений для биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT).
2 Normative references
Следующие ссылочные документы необходимы для применения настоящего документа. Для датированных ссылок применяется только указанное издание. Для недатированных ссылок применяется последнее издание ссылочного документа (включая любые поправки).
IEC 60747-1:2006,Semiconductor devices – Part 1:General
IEC 60747-2,Semiconductor devices – Discretedevices и integrated circuits – Part 2: Rectifierdiodes
IEC 60747-6, Semiconductor devices – Part 6:Thyristors
IEC 61340 (all parts), Electrostatics
3 Terms и definitions
Для целей настоящего документа применяются следующие термины и определения.
3.1 Graphical symbol of IGBT
Графический символ, показанный ниже, используется в настоящем издании IEC 60747-9.
Графический символ
ПРИМЕЧАНИЕ В настоящем стандарте используется только графический символ для N-канального IGBT. Он в равной степени применим и для измерения P-канальных приборов. В случае P-канальных приборов полярность должна быть изменена соответствующим образом.
3.2 General terms
3.2.1
insulated-gate bipolar transistor
IGBT
транзистор, имеющий проводящий канал и p-n-переход. Ток, протекающий через канал и переход, управляется электрическим полем, возникающим под действием напряжения, приложенного между выводами затвора и эмиттера
См. IEV 521-04-05.
ПРИМЕЧАНИЕ При приложенном напряжении коллектор-эмиттер p-n-переход смещен в прямом направлении.
3.2.2
N-channel IGBT
IGBT, имеющий один или несколько проводящих каналов N-типа
См. IEV 521-05-06.
3.2.3
P-channel IGBT
IGBT, имеющий один или несколько проводящих каналов P-типа
См. IEV 521-04-05.
3.2.4
collector current (of an IGBT)
Ic
постоянный ток, который переключается (управляется) IGBT
3.2.5
collector terminal, collector (of an IGBT)
C
для N-канального (P-канального) IGBT — вывод, в который (из которого) коллекторный ток поступает из (в) внешней цепи
См. IEV 521-07-05 и IEV 521-05-02.
3.2.6
emitter terminal, emitter (of an IGBT)
E
для N-канального (P-канального) IGBT — вывод, из которого (в который) коллекторный ток поступает в (из) внешнюю цепь
См. IEV 521-07-04.
3.2.7
gate terminal, gate (of an IGBT)
G
вывод, на который подается напряжение относительно вывода эмиттера для управления коллекторным током
См. IEV 521-07-09.
3.3 Terms related to ratings and characteristics; voltagesand currents
3.3.1
collector-emitter (d.c.) voltage
напряжение между коллектором и эмиттером
3.3.2
collector-emitter voltage with gate-emitter short-circuited
VCES
напряжение коллектор-эмиттер, при котором ток коллектора имеет заданное малое (абсолютное) значение при закороченных затворе и эмиттере
3.3.3
collector-emitter sustaining voltage
VCE*sus
напряжение пробоя коллектор-эмиттер при относительно высоких значениях тока коллектора, при котором напряжение пробоя относительно слабо зависит от изменений тока коллектора, при заданном соединении между выводами затвора и эмиттера
ПРИМЕЧАНИЕ 1 Заданное соединение между выводами затвора и эмиттера обозначается в буквенном символе третьим индексом `*`; см. 4.1.2 IEC 60747-7.
ПРИМЕЧАНИЕ 2 При необходимости к основному термину добавляют подходящий уточняющий признак, указывающий на конкретное соединение между выводами затвора и эмиттера.
Пример: напряжение поддержания коллектор-эмиттер при закороченных выводах затвора и эмиттераVCESsus . ПРИМЕЧАНИЕ 3 Основной термин может быть сокращен, если значение ясно из используемого буквенного символа. Пример: напряжение поддержания коллектор-эмиттерVCERsus .
ПРИМЕЧАНИЕ 4 Этот термин важен для высоковольтных приборов, например свыше 4 кВ.
3.3.4
collector-emitter breakdown voltage
V(BR)CES
напряжение между коллектором и эмиттером, выше которого ток коллектора резко возрастает, при закороченных выводах затвора и эмиттера
См. IEV 521-05-06.
3.3.5
collector-emittersaturation voltage
VCEsat
3.3.6
gate-emitter (d.c.) voltage
напряжение между затвором и эмиттером
3.3.7
gate-collector (d.c.) voltage
напряжение между затвором и коллектором
3.3.8
gate-emitter threshold voltage
VGE(th)
напряжение затвор-эмиттер, при котором ток коллектора имеет заданное малое (абсолютное) значение
3.3.9
electrostatic discharge voltage
напряжение, которое может быть приложено к выводу затвора без разрушения изоляционного слоя
См. IEV 521-05-27
3.3.10
collector cut-off current
ток коллектора при заданном напряжении коллектор-эмиттер ниже области пробоя и при выключенном затворе
3.3.11
collector current
ток через коллектор
3.3.12
tail current
ICZ
ток коллектора в течение времени хвоста
3.3.13
gate leakage current
IGES
ток утечки в вывод затвора при заданном напряжении затвор-эмиттер, при закороченном выводе коллектора с выводом эмиттера
3.3.14
safe operating area
SOA
зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер, при которой IGBT может включаться и выключаться без отказа
3.3.14.1
forward bias safe operating area
FBSOA
зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер, при которой IGBT может включаться и находиться во включенном состоянии без отказа
3.3.14.2
reverse bias safe operating area
RBSOA
коллекторный ток в зависимости от напряжения коллектор-эмиттер, при котором IGBT может отключаться без отказа
3.3.14.3
short circuit safe operating area
SCSOA
длительность короткого замыкания и напряжение коллектор-эмиттер, при которых IGBT может включаться и выключаться без отказа
3.4 Terms related to ratings and characteristics; othercharacteristics
3.4.1
input capacitance
Cies
3.4.2
output capacitance
Coes
ёмкость между выводами коллектора и эмиттера при закороченном на эмиттер выводе затвора для переменного тока
3.4.3
reverse transfer capacitance
Cres
ёмкость между выводами коллектора и затвора
3.4.4
gate charge
QG
заряд, необходимый для повышения напряжения затвор-эмиттер от заданного низкого до заданного высокого уровня
3.4.5
internal gate resistance
rg
внутреннее последовательное сопротивление
3.4.6
turn-on energy (per pulse)
Eon
энергия, рассеиваемая внутри IGBT во время включения одиночного импульса коллекторного тока
ПРИМЕЧАНИЕ Соответствующая мощность потерь при включении в периодическом импульсном режиме определяется умножениемEon
на частоту следования импульсов.
3.4.7
turn-off energy (per pulse)
Eoff
энергия, рассеиваемая внутри IGBT за время выключения плюс время хвоста одиночного импульса коллекторного тока
ПРИМЕЧАНИЕ Соответствующая мощность потерь при выключении в периодическом импульсном режиме определяется умножениемEoff
на частоту следования импульсов.
3.4.8
turn-on delay time
td(on) , td
ПРИМЕЧАНИЕ Обычно время измеряют между точками, соответствующими 10 % амплитуды входного и выходного импульсов.
амплитуды.
3.4.9
rise time
tr
интервал времени между моментами, когда нарастание коллекторного тока достигает соответственно заданных нижнего и верхнего пределов при переключении IGBT из выключенного состояния во включенное
ПРИМЕЧАНИЕ Обычно нижний и верхний пределы составляют 10 % и 90 % амплитуды импульса.
3.4.10
turn-on time
ton
сумма времени задержки включения и времени нарастания
3.4.11
turn-off delay time
td(off) , ts
интервал времени между окончанием импульса напряжения на входных выводах, который удерживал IGBT во включенном состоянии, и началом спада коллекторного тока при переключении IGBT из включенного состояния в выключенное
ПРИМЕЧАНИЕ Обычно время измеряют между точками, соответствующими 90 % амплитуды входного и выходного импульсов.
3.4.12
fall time
tf
интервал времени между моментами, когда спад коллекторного тока достигает соответственно заданных верхнего и нижнего пределов при переключении IGBT из включенного состояния в выключенное
ПРИМЕЧАНИЕ Обычно верхний и нижний пределы составляют 90 % и 10 % амплитуды импульса.
3.4.13
turn-off time
toff
сумма времени задержки выключения и времени спада
3.4.14
tail time
tz
интервал времени от окончания времени выключения до момента, когда коллекторный ток снизился до 2 % или меньшего заданного значения
4 Letter symbols
4.1 General
Общие буквенные обозначения для IGBT определены в пункте 4 IEC 60747-1.
4.2 Additional general subscripts
C,c — коллектор
E,e — эмиттер
G,g затвор
sat насыщение
th порог
Z,z хвост
S завершение с коротким замыканием
R завершение с резистором
X завершение с заданным напряжением затвор-эмиттер
sus поддерживающий
4.3 List of letter symbols
Name иdesignation | Lettersymbol |
4.3.1 Voltages | |
Collector-emitter voltage | VCE |
Collector-emitter voltage, gate-emitter short-circuited | VCES |
Collector-emitter sustaining voltage | VCE*sus |
Collector-emitter breakdown voltage,gate-emitter short-circuited | V(BR)CES |
Collector-emitter saturation voltage | VCEsat |
Gate-emitter voltage | VGE |
Gate-emitter voltage, collector-emitter short-circuited | VGES |
Gate-emitter threshold voltage | VGE(th) |
Collector-gate voltage, gate-emitter resistance specified | VCGR |
4.3.2 Currents | |
Collector current | IC |
Peak collector current | ICM |
Repetitive peak collector current | ICRM |
Collector-emitter cut-off current, gate-emitter short-circuited | ICES |
Tail current | ICZ |
Gate current | IG |
Gate leakage current, collector-emittershort-circuited | IGES |
4.3.3 Other electrical magnitudes | |
Input capacitance | Cies |
Output capacitance |
|
Reversetransfer capacitance |
|
Gate charge | QG |
Internal gate resistance | rg |
Turn-on power dissipation |
|
Turn-on energy |
|
Turn-off power dissipation | Poff |
Turn-off energy | Eoff |
Conducting state power dissipation | Pcond |
Conducting state energy | Econd |
Total power dissipation | Ptot |
4.3.4 Time | |
Tailtime | tz |
4.3.5 Thermal magnitudes | |
Thermal resistance junction toheatsink | Rth(j-c) |
Transient thermal impedance junctionto heatsink | Zth(j-c) |
Читать далее
.webp)
YZPST желает вам здорового Праздника драконьих лодок, пусть каждый год проходит гладко, а всё складывается удачно!🌿🌿🌿
.jpg)
Global Sources Indonesia Show (Electronics and Lifestyle)

Короткое замыкание IGBT в системе и его защита

Особенности проектирования параллельного соединения модулей IGBT

Преимущества использования конструкции IPM и на что обратить внимание при выборе

С Днём труда!

Проект банка силовых конденсаторов YZPST на миллионы долларов США
HK China Source Show

Выставка в Гонконге

Визит технического директора Electrotherm

Пакистанская международная торговая ярмарка

Иранская торговая выставка
От номера детали до полного решения по электропитанию.

Силовые полупроводниковые приборы, защитные компоненты и промышленные решения в области электропитания.
Отправьте нам номер детали, требуемые электрические параметры и область применения.
Связаться с YZPST →© 2026 YZPST. Все права защищены.
Мы используем необходимые cookie для работы этого сайта. С вашего разрешения аналитические cookie помогают нам понимать, как используется сайт. Ознакомьтесь с нашей Политикой cookie.