YZPST-100HF120TK-G1

✓Техническая информация о продукте✓Подбор с учетом сферы применения✓Запрос по каталогу и требованиям

Эл. почтаinfo@yzpst.net

Телефон+86 138 0527 8321

ЗАПРОСИТЬ ТЕХНИЧЕСКОЕ ПРЕДЛОЖЕНИЕ↗

Совет: укажите артикул, требуемые напряжение/ток и условия применения.

ЦЕНТР ДОКУМЕНТАЦИИ

Загрузки и технические файлы

YZPST-100HF120TK-G1.pdfСКАЧАТЬ ↘

Модуль IGBT YZPST-100HF120TK-G1
ОСОБЕННОСТИ
Высокая стойкость к короткому замыканию, самоограничение тока короткого замыкания
ЧИП IGBT (технология Trench + Field Stop)
VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом, быстрое переключение, низкие потери при переключении
Свободноходовые диоды с быстрым и мягким обратным восстановлением
ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ
Применение в высокочастотной коммутации
Сварочные преобразователи
Приводы движения/сервоуправления
Системы ИБП
ПРЕДЕЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ПРИ TC=25°C, если не указано иное
Обозначение
Параметр
Условия испытаний
Значения
Ед. изм.
IGBT
VCES
Напряжение коллектор - эмиттер
TVj=25°C
1250
V
VGES
Напряжение затвор - эмиттер

±30
V

IC

Постоянный ток коллектора
TC=25°C
150
A
TC=80°C
100
A
ICM
Повторяющийся пиковый ток коллектора
tp=1 мс
200
A
Pобщ.
Рассеиваемая мощность на IGBT
694
W
Диод
VRRM
Повторяющееся обратное напряжение
TVj=25°C
1250
V

IF(AV)

Средний прямой ток
TC=25°C
150
A
TC=80°C
100
A
IFRM
Повторяющийся пиковый прямой ток
tp=1 мс
200
A

МОДУЛЬ ХАРАКТЕРИСТИКИTC=25°C, если не указано иное иначе
Обозначение
Параметр
Условия испытаний
Мин.
Тип.
Макс.
Ед. изм.
TМакс. Vj
Макс. температура перехода

150
°C
TVj op
Рабочая температура

-40

150
°C
Tstg
Температура хранения

-40
125
°C
Vизол
Испытательное напряжение изоляции
AC, t=1 мин
3000
V
Момент затяжки
К корпусу
Рекомендуется M6
3

5
Н·м
Момент затяжки
К клемме
Рекомендуемый M5
2.5

5
Н·м
Вес

176

g
СХЕМА ЦЕПИ

Габаритный чертеж корпуса

Для получения дополнительной информации о YZPST-100HF120TK-G1пожалуйста, скачайте PDF-файл выше с названием « YZPST-100HF120TK-G1 »

Дополнительная информация о продукте отсутствует.

Обозначение	Параметр	Условия испытаний	Значения	Ед. изм.
IGBT
VCES	Напряжение коллектор - эмиттер	TVj=25°C	1250	V
VGES	Напряжение затвор - эмиттер		±30	V
IC	Постоянный ток коллектора	TC=25°C	150	A
IC	Постоянный ток коллектора	TC=80°C	100	A
ICM	Повторяющийся пиковый ток коллектора	tp=1 мс	200	A
Pобщ.	Рассеиваемая мощность на IGBT		694	W
Диод
VRRM	Повторяющееся обратное напряжение	TVj=25°C	1250	V
IF(AV)	Средний прямой ток	TC=25°C	150	A
IF(AV)	Средний прямой ток	TC=80°C	100	A
IFRM	Повторяющийся пиковый прямой ток	tp=1 мс	200	A

YZPST-100HF120TK-G1

Загрузки и технические файлы

Похожие продукты

YZPST-BT152-500RT Триак BT152-500RT TO-220 с высокой стойкостью к импульсным токам

YZPST-2CL08K Диод выпрямительный высоковольтный, пластиковый, быстрого восстановления, обратное напряжение 8 кВ

YZPST-TIP122

YZPST-BC557

YZPST-BTA40-800B TG40C80 Высокая устойчивость к импульсным токам 400 А, изолированный литой TRIAC TG40C80

YZPST-IP35-DC

Связаться с нами