.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
YZPST-D100H065AT1S3
Совет: укажите артикул, требуемые напряжение/ток и условия применения.
Загрузки и технические файлы
Траншейная структура IGBT-транзистор с технологией Field-Stop
YZPST-D100H065AT1S3
Особенности
650 В, 100 А
VCE(sat)(тип.) =1,75 В при VGE=15 В, IC=100 А
Максимальная температура перехода 175
Свинцово-оловянное покрытие без свинца; соответствует RoHS
Области применения
Солнечные преобразователи
Источник бесперебойного питания
Сварочные преобразователи
Преобразователи средней и высокой частоты переключения
Ключевые Характеристики и Pкорпус Параметры
Коды для заказа | VCE | IC | VCEsat, Tvj=25 | Tvjmax | Маркировка | Корпус |
D100H065AT1S3 | 650V | 100А | 1.75V | 175 ℃ | D100H65AT1 | TO247-3L |
Абсолютные максимальные значения предельные значения
| Обозначение | Параметр | Значение | Ед. изм. |
| VCES | Напряжение коллектор-эмиттер | 650 | V |
| VGES | Напряжение затвор-эмиттер | ±20 | V |
| IC | Непрерывный ток коллектора (TC=25 ℃) | 125 | A |
| Непрерывный ток коллектора (TC=100 ℃) | 100 | A | |
| ICM | Импульсный ток коллектора (примечание 1) | 200 | A |
| Прямой ток диода (TC=25 ℃) | 125 | A | |
| IF | Прямой ток диода (TC=100 ℃) | 100 | A |
| Максимальная рассеиваемая мощность (TC=25 ℃) | 385 | W | |
| PD | Максимальная рассеиваемая мощность (TC=100 ℃) | 192 | W |
| TJ | Диапазон рабочей температуры перехода | -40 до 175 | ℃ |
| TSTG | Диапазон температуры хранения | -55 до 150 | ℃ |
Электрические характеристики (Tc=25, если не указано иное.)
| Обозначение | Параметр | Условия | Мин. | Тип. | Макс. | Ед. изм. |
| BVCES | Коллектор-эмиттер | VGE=0V, IC=200uA | 650 | V | ||
| сток-исток | --- | --- | ||||
| ICES | Ток утечки коллектор-эмиттер | VCE=650V, VGE=0V | 1 | мА | ||
| --- | --- | |||||
| Ток утечки затвора, прямой | VGE=20V, VCE=0V | 600 | нА | |||
| --- | --- | |||||
| IGES | Ток утечки затвора, обратный | VGE=-20V, VCE=0V | 600 | нА | ||
| --- | --- | |||||
| VGE(th) | Пороговое напряжение затвора | VGE=VCE, IC=750uA | 4.2 | --- | 6 | V |
| VCE(sat) | Коллектор-эмиттер | VGE=15V, IC=100A, Tj=25 ℃ | --- | 1.75 | 2.2 | V |
| Напряжение насыщения | VGE=15V, IC=100A, Tj=125 ℃ | --- | 2.05 | --- | V | |
| td(on) | Время задержки включения | --- | 35 | --- | нс | |
| tr | Время нарастания при включении | VCC=400V | --- | 155 | --- | нс |
| td(off) | Время задержки при выключении | VGE=±15V | --- | 188 | --- | нс |
| tf | Время спада при выключении | IC=100A | --- | 69 | --- | нс |
| Eon | Потери при переключении при включении | RG=8 | --- | 4.35 | --- | мДж |
| Eoff | Потери при выключении | Индуктивная нагрузка | --- | 1.11 | --- | мДж |
| Ets | Общие потери при переключении | TC=25 ℃ | --- | 5.46 | --- | мДж |
| Cies | Входная ёмкость | VCE=25V | --- | 7435 | --- | пФ |
| Coes | Выходная ёмкость | VGE=0V | --- | 237 | --- | пФ |
| Cres | Обратной передачи | f =1MHz | 128 | пФ | ||
| ёмкость | --- | --- |
| Обозначение | Параметр | Условия | Мин. | Тип. | Макс. | Ед. изм. |
| IF=100A, Tj=25 ℃ | --- | 1.65 | 2.2 | V | ||
| VF | Прямое напряжение диода | IF=100A, Tj=150 ℃ | --- | 1.4 | --- | V |
| trr | Время обратного восстановления диода | 201 | нс | |||
| VR=400V | --- | --- | ||||
| IF=100A | ||||||
| Irr | Пиковое обратное | dIF/dt=200A/us | 19 | A | ||
| ток восстановления | TC=25 ℃ | --- | --- | |||
| Qrr | Заряд обратного восстановления диода | 2.45 | мкКл | |||
| --- | --- |
Примечание 1 Повторяющийся режим, длительность импульса ограничена максимальной температурой перехода
Информация о корпусе
.jpg)
.jpg)
.jpg)
Силовые полупроводниковые приборы, защитные компоненты и промышленные решения в области электропитания.
