.jpg)
.jpg)
.jpg)

.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)

.jpg)
YZPST-800DDM17
Краткое описание продукта и основная техническая информация будут загружены из базы данных продуктов.
Совет: укажите артикул, требуемые напряжение/ток и условия применения.
Загрузки и технические файлы
Двухключевой модуль IGBT
P/N:YZPST-800DDM17
КЛЮЧЕВЫЕ ПАРАМЕТРЫ
VCES :1700V
VCE(sat)* (typ):2.7V
IC (max):800A
IC(PK) (max):1600V

ХАРАКТЕРИСТИКИ
- Выдерживает короткое замыкание длительностью 10 мкс
- Высокая стойкость к термоциклированию
- Силicon без сквозного пробоя
- Изолированное основание из AlSiC с подложками из AlN
- Безсвинцовая конструкция
ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ
- Высоконадежные инверторы
- Контроллеры двигателей
- Тяговые приводы
Линейка высокомощных модулей Powerline включает полумостовые, chopper, двухключевые, одноключевые и двунаправленные конфигурации переключателей, рассчитанные на напряжение от 1200 В до 6500 В и токи до 2400 А.
800DDM17 — это модуль двухключевого IGBT на 1700 В, с N-каналом, с режимом обогащения, биполярный транзистор с изолированным затвором
(IGBT).IGBT обладает широкей областью безопасной работы при обратном смещении (RBSOA), а также выдерживает короткое замыкание в течение 10 мкс.Это устройство оптимизировано для тяговых приводов и других применений, требующих высокой стойкости к тепловым циклам.
Модуль включает электрически изолированную основание-плиту и конструкцию с низкой индуктивностью, что позволяет разработчикам оптимизировать схемотехнику и использовать заземленные радиаторы для повышения безопасности.
ПРЕДЕЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ
Напряжения и нагрузки выше указанных в разделе «Абсолютные предельно допустимые значения» могут привести к необратимому повреждению устройства.В экстремальных условиях, как и у всех полупроводников, это может включать потенциально опасное разрушение корпуса.Всегда следует соблюдать соответствующие меры безопасности.Воздействие значений, превышающих абсолютные предельно допустимые, может повлиять на надежность устройства.
Tcase = 25°C, если не указано иное
Обозначение | Параметр | Условия испытаний | Макс.. | Единицы |
VCES | Коллектор-эмиттер vнапряжение | VGE = 0 В | 1700 | V |
VGES | Напряжение затвор-эмиттер |
| ±20 | V |
IC | Непрерывный коллекторный токк | Tcase = 75°C | 800 | A |
IC(PK) | Пиковый коллектор ток коллектора | 1мс, Tcase = 110°C | 1600 | A |
Pмакс. | Макс. мощность рассеяния транзисторарассеяния | Tcase = 25°C, Tj = 150°C | 6940 | W |
I2t | Диод I2t значение | VR = 0, tp = 10мс, Tj = 125ºC | 120 | кА2s |
Vизол | Напряжение изоляции — на модуль | Общие выводы к основанию плите.AC RMS, 1 мин., 50Гц | 4000 | V |
QPD | Частичный разряд — на модуль | IEC1287, В1 = 1800 В, В2 = 1300В, 50Гц RMS | 10 | пК |
КОРПУС ДЕТАЛИ
Все размеры указаны в мм, если не оговорено иное.
НЕ МАСШТАБИРОВАТЬ.

От номера детали до полного решения по электропитанию.

Силовые полупроводниковые приборы, защитные компоненты и промышленные решения в области электропитания.
Отправьте нам номер детали, требуемые электрические параметры и область применения.
Связаться с YZPST →© 2026 YZPST. Все права защищены.
Мы используем необходимые cookie для работы этого сайта. С вашего разрешения аналитические cookie помогают нам понимать, как используется сайт. Ознакомьтесь с нашей Политикой cookie.

.jpg)
.jpg)



.jpg)