.jpg)
.jpg)
.jpg)
YZPST-K3002GRP
Совет: укажите артикул, требуемые напряжение/ток и условия применения.
Загрузки и технические файлы
P/N: YZPST-K3002GRP
Сидак высокого напряжения
Двунаправленные триггеры
1 А действующего значения
Особенности
Освещение натриевыми лампами высокого давления
Стабилизаторы высокого напряжения
Генераторы импульсов
Используется для запуска затворов SCR, S и триаков
Это бессвинцовые компоненты*
Защита светодиодных ламп
Технические данные
Выводы: луженые аксиальные
Положение монтажа: любое
Предельные параметры и тепловые характеристики
Параметры при температуре 25℃ °C окружающей среды, если не указано иное.
| Параметр | Обозначения | K300 | Ед. изм. |
| Максимальные повторяющееся пиковое обратное напряжение （Синусоида, 50–60 Гц, TДж−40 до 125℃) | VDRM VRRM | ||
| ±240 | V | ||
| Действующий ток в открытом состоянии (TL=80℃, вывод Длина = 3/8", при любой угол проводимости | IT(RMS) | ||
| ±1,0 | A | ||
| пиковое Не Повторяющееся ток | ±20 | ||
| (60Гц Один цикл синусоиды-волна,TДж=125℃) | ITSM | A | |
| Рабочая температура p-n-перехода Диапазон | TДж | -40 до +125 | ℃ |
| Tstg | -40 до +125 | ℃ | |
| Температура хранения Диапазон | |||
| Тепловое Сопротивление перехода к выводу (ДЛИНА ВЫВОДА = 3/8") | RθJA | 15 | ℃/Вт |
| Температура пайки выводов | TL | 275 | ℃ |
| (Длина вывода длина≥1/16"от Корпус,10s Макс.) |
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (TC = 25℃ если не указано иное; электрические параметры действуют в обоих направлениях)
Параметр | Обозначения | YZPST-K3002GRP | Ед. изм. |
Мин |
| 270 |
|
Напряжение пробоя, IBO=200 мкА | VBO | 330 | V |
Повторяющийся пиковый ток в закрытом состоянии (синусоида 50–60 Гц) |
|
|
|
IDRM | 5 | мкА | |
| IBO |
|
|
Ток пробоя | 200 | мкА | |
Пиковое напряжение в проводящем состоянии |
| Тип. 1,5 Макс. 4 |
|
(ITM=1 А пик., длительность импульса ≤300 мкс, коэффициент заполнения ≤2%) | VTM | V | |
Динамический ток удержания | IH | Тип. 50 | мА |
(синусоида, 60 Гц, RL=100 Ом) | Макс. 100 | ||
Сопротивление переключения (синусоида, 50–60 Гц) | RS | 0.1 |
|
кОм | |||
Критическая скорость нарастания тока в проводящем состоянии, |
|
|
|
Схема критически демпфированной формы волны (IPK=130 Ом, длительность импульса=10 мкс) | di/dt | 120 |
|
|
|
| А/мкс |
-3.jpg)
Силовые полупроводниковые приборы, защитные компоненты и промышленные решения в области электропитания.
