.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
YZPST-M1A045170L
Совет: укажите артикул, требуемые напряжение/ток и условия применения.
Загрузки и технические файлы
P/N:YZPST-M1A045170L
Силовой МОП-транзистор на основе карбида кремния
(n-канальный, режим обогащения)
Особенности
Высокоскоростное переключение при низких ёмкостях
Высокое напряжение пробоя при низком сопротивлении в открытом состоянии
Легко подключается параллельно и прост в управлении
Устойчив к защёлкиванию
Не содержит галогенов, соответствует RoHS
Преимущества
Повышает эффективность системы
Снижает требования к охлаждению
Повышенная плотность мощности
Повышает частоту переключения системы
Области применения
Солнечные инверторы
Импульсные источники питания
Высоковольтные DC/DC-преобразователи
Привод двигателей
Часть Номер | Корпус | Маркировка |
M1A045170L | TO-247-4L | M1A045170L |
Максимальные предельные значения (Tc = 25°C, если не указано иное)
| Обозначение | Параметр | Значение | Ед. изм. | Условия испытаний | Примечание |
| VDSmax | Напряжение сток-исток | 1700 | V | VGS = 0 В, ID = 100 мкА | |
| VGSmax | Напряжение затвор-исток | -0.4 | V | Предельно допустимые значения | |
| VGSop | Напряжение затвор-исток | -0.25 | V | Рекомендуемые рабочие значения | |
| ID | Непрерывный ток стока | 85 | A | VGS = 20 В, TC = 25°C | |
| 55 | VGS = 20 В, TC = 100°C | ||||
| ID(импульс) | Импульсный ток стока | 160 | A | Длительность импульса tP ограничена Tjmax | |
| PD | Рассеиваемая мощность | 520 | W | TC = 25°C, TJ = 150°C | |
| TJ, Tstg | Рабочая температура перехода и температура хранения | -55 до 175 | ℃ | ||
| TL | Температура пайки | 260 | ℃ | 1,6 мм (0,063") от корпуса в течение 10 с | |
| Md | Момент монтажа | 1 | Н·м | Винт M3 или 6-32 | |
| 8.8 | lbf·in |
Электрические характеристикис(Tc = 25°C если не указано иное указано)
| Обозначение | Параметр | Мин. | Тип. | Макс. | Ед. изм. | Условия испытаний | Примечание | |
| V(BR)DSS | Сток-исток | 1700 | - | V | VGS = 0 В, ID = 100 мкА | |||
| сток-исток | ||||||||
| 2 | 2.6 | 4 | V | VDS = VGS, ID = 18 мА | ||||
| VGS(th) | Пороговое напряжение затвора | 1.9 | V | VDS = VGS, ID = 18 мА, TJ = 150°C | ||||
| IDSS | Ток утечки стокa при нулевом напряжении на затворе | 2 | 100 | мкА | VDS = 1700 В, VGS = 0 В | |||
| IGSS | Ток утечки затвор-исток | 2 | мкА | VGS = 20 В, VDS = 0 В | ||||
| Ток | ||||||||
| Напряжение пробоя | 34 | 60 | мОм | VGS = 20 В, ID = 50 А | ||||
| RDSON | Сопротивление в открытом состоянии | 66 | VGS = 20 В, ID = 50 А, TJ = 150°C | |||||
| gfs | Крутизна | 16 | VGS = 20 V, ID = 50A | |||||
| 19 | S | VGS = 20 В, ID = 50 А, TJ = 150°C | ||||||
| C | Входная ёмкость | 4078 | ||||||
| oss | Выходная ёмкость | 167 | ||||||
| rss | Обратная ёмкость | 39 | пФ | VDS =1000V,TJ=25°C,f=1MHz | ||||
| Eoss | Энергия, запасённая в Coss | 203 | μJ | |||||
| Eon | Энергия включения при переключении | 1.9 | VDS = 1200 V, VGS = -5/20 V, ID = 50A, Rg(ext) = 2.5Ω, | |||||
| Eoff | Энергия выключения при переключении | 0.3 | мДж | TJ=150°C | ||||
| tdon | Время задержки включения | 21 | ||||||
| tr | Время нарастания | 46 | VDS = 1200 V, VGS = -5/20 V, ID = 50A, Rg(ext)= 2.5Ω | |||||
| tdoff | Время задержки выключения | 50 | ||||||
| tf | Время спада | 19 | нс | |||||
| Rgint | Внутреннее сопротивление затвора | 2.6 | VAC =25mV, f=1MHz | |||||
| Qgs | Заряд затвор-исток | 44 | VDS = 1200 V, VGS = -5/20 V, ID = 50A | |||||
| Qgd | Заряд затвор-сток | 84 | ||||||
| Qg | Полный заряд затвора | 248 | нКл |
Электрические характеристикиs (Tc = 25°C unless указано указано)
| Обозначение | Параметр | Мин. | Тип. | Макс. | Ед. изм. | Условия испытаний | Примечание |
| VSD | Диод Прямое напряжение | 6.1 | - | V | Vисток-затвор = -5 V, ISD = 25 A | ||
| 5.2 | Vисток-затвор = -5 V, ISD = 25 A,TДж =150°C | ||||||
| I | Непрерывный Диод Прямвыпрямленный Ток | 75 | A | Vисток-затвор = -5V,Tc=25°C | |||
| S | |||||||
| trr | Обратное Время восстановления | 126 | нс | VR= 1200 V, Vисток-затвор = -5V, ID = 50 А, di/dt=1400A/μS,, TДж=150°C | |||
| Qrr | Обратное Восстановительный заряд | 1360 | нКл | ||||
| Irrm | пиковое Обратное восстановление Ток | 19 | A |
.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
Силовые полупроводниковые приборы, защитные компоненты и промышленные решения в области электропитания.
