YZPST-BT151X-500R

Серия BT151 & nbsp; & nbsp; 12A SCRs

YZPST-BT151X-500R

Горячая продажа 12A BT151X-500R T0-220F SCR

ОПИСАНИЕ:

Стеклопассивные тиристоры в пластиковом корпусе, серия тиристоров BT151 подходит для всех режимов управления, применяемых в таких приложениях, как защита от перенапряжения, управление двигателем в электроинструментах и кухонных помощниках, ограничение пускового тока, конденсаторное разрядное зажигание и схемы регулирования напряжения

Email: info@yzpst.net

Тел: 8613805278321

Whatsapp: 8613805278321

YZPST-BT151X-500R

YZPST-BT152-600R 800R.pdf

описание1

Молния 1/5 молнии для мужских спортивных свитеров. Эластичная, легкая, быстро сохнущая ткань для превосходной производительности. РЕГУЛЯРНАЯ ПОСАДКА - Стандартные размеры США. Спортивная посадка, сидящая близко к телу для широкого диапазона движения, разработана для оптимальной производительности и комфорта в течение всего дня. ОСОБЕННОСТИ - Застежка на четверть молнии; Дырки для большого пальца на длинных рукавах, чтобы удерживать их на месте во время тренировки

YZPST-BT151X-500R Hot selling 12A BT151X-500R T0-220F SCR

BT151 Series 12A SCRs

YZPST-BT151X-500R

Hot selling 12A BT151X-500R T0-220F SCR

DESCRIPTION:

Glasspassivated thyristors in aplastic envelope, The BT151 SCRs series is suitable to fit all modes of control,found in applications such as overvoltage crowbar protection, motor control circuits in power tools and kitchen aids, inrush current limiting circuits, capacitive discharge ignition and voltage regulation circuits

MAIN FEATURES

Symbol	Value	Unit
IT(RMS)	12	A
VDRM VRRM	650	V
IGT	15	mA

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Parameter	Symbol	Value	Unit
Storage junction temperature range	Tstg	-40 ~ 150	℃
Operating junction temperature range	Tj	-40~ 125	℃
Repetitive peak off-state voltage (T =25℃)	VDRM	650	V
Repetitive peak reverse voltage (T =25℃)	VRRM	650	V
RMS on-state current (T = 105℃)	IT(RMS)	12	A
Non repetitive surge peak on-state current ( 180° conduction angle, F=50Hz)	ITSM	100	A
Average on-state current ( 180° conduction angle)	IT(AV)	8	A
I2t value for fusing (tp= 10ms)	I2t	45	A2S
Critical rate of rise of on-state current (I =2 ×IGT, tr ≤ 100 ns)	di/dt	50	A/μS
Peak gate current	IGM	4	A
Average gate power dissipation	PG(AV)	1	W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T=25℃unless otherwise specified)

Symbol	Test Condition		Value	Unit
IGT	V = 12V R = 140Ω	MAX.	15	mA
VGT	V = 12V R = 140Ω	MAX.	1.3	V
VGD	VD=VDRM Tj=125℃ R= 1KΩ	MIN.	0.2	V
IL	IG= 1.2IGT	MAX.	50	mA
IH	IT=50mA	MAX.	30	mA
dV/dt	VD=2/3VDRM Gate Open Tj=125℃	MIN.	400	V/μs