YZPST-13005D

✓Техническая информация о продукте✓Подбор с учетом сферы применения✓Запрос по каталогу и требованиям

Эл. почтаinfo@yzpst.net

Телефон+86 138 0527 8321

ЗАПРОСИТЬ ТЕХНИЧЕСКОЕ ПРЕДЛОЖЕНИЕ↗

Совет: укажите артикул, требуемые напряжение/ток и условия применения.

ЦЕНТР ДОКУМЕНТАЦИИ

Загрузки и технические файлы

YZPST-13005D-220&126SD-英文版.pdfСКАЧАТЬ ↘

NPN кремниевые силовые транзисторы 13005D
●ОПИСАНИЕ:
13005D — это NPN-транзистор, используемый в электронных балластах и энергосберегающих лампах. Он отличается низкими коммутационными потерями, высокой надежностью, хорошими высокотемпературными характеристиками, подходящей скоростью переключения, высоким напряжением пробоя и низким обратным током утечки.

YZPST-13005D-1

●ПРЕДЕЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ

Обозначение	Параметр		Значение	Ед. изм.
VCBO	Напряжение коллектор-база		700	V
VГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР	Напряжение коллектор-эмиттер		400	V
VEBO	Напряжение эмиттер-база		9	V
I_C	Непрерывный ток коллектора		3	A
Icm	Импульсный ток коллектора（Tp＜5 мс）		6	A
PTOT	Полная рассеиваемая мощность при Tcase=25 ℃	TO-126SD	50	W
PTOT	Полная рассеиваемая мощность при Tcase=25 ℃	TO-220	75	W
T_j	Температура перехода		150	℃
T_stg	Диапазон температуры хранения		-55—150	℃

●ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (TC = 25°C, если не указано иное)

Обозначение	Параметр	Условия испытаний	Значение			Ед. изм.
Обозначение	Параметр	Условия испытаний	Мин	Тип	Макс.	Ед. изм.
ICBO	Ток отсечки коллектора	V_CB= 700 В，IE=0			0.1	мА
IГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР	Ток отсечки базы	V_CE= 400 В，Ic=0			0.1	мА
IEBO	Ток отсечки эмиттера	V_EB= 9 В，I_C=0			0.1	мА
VCBO	Напряжение пробоя коллектор-база	I_C= 0,1 мА	700			V
VГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР	Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	I_C= 0,1 мА	400			V
VEBO	Напряжение пробоя эмиттер-база	I_B= 0,1 мА	9			V
hFE	Коэффициент усиления по постоянному току	I_C= 0,5 А, V_CE= 5 В	15		35
a VCE sat	Напряжение пробоя коллектор-база	I_C= 2 А, I_B= 0,5 А			1	V
a VBE sat	Напряжение насыщения база-эмиттер	I_C= 2 А, I_B= 0,5 А			1.5	V
ts	Время хранения	UI9600，Ic=0,5 А	2		7	us
f_T	Частота перехода	VCE=10V，IC=0,2 АF=1 МГц	5			МГц
a：Импульсные испытания，tp≤300 мкс，δ≤2%