.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
YZPST-M1A080120L1
Совет: укажите артикул, требуемые напряжение/ток и условия применения.
Загрузки и технические файлы
МОП-транзистор N-канала на SiC
P/N: YZPST-M1A080120L1
Особенности
Высокое напряжение пробоя при низком сопротивлении в открытом состоянии
Высокоскоростное переключение при малой емкости
Легко подключается параллельно и прост в управлении
Преимущества
Повышает эффективность системы
Снижает требования к охлаждению
Повышенная плотность мощности
Повышает частоту переключения системы
Области применения
Источники питания
Высоковольтные DC/DC-преобразователи
Приводы двигателей
Импульсные источники питания
Импульсные силовые применения
Часть Номер | Корпус |
M1A080120 L1 | TO-247-4 |
Максимальные предельные значения (TC=25℃ uесли не указано иное)
| Обозначение | Параметр | Значение | Ед. изм. | Условия испытаний | Примечание |
| VDSmax | Напряжение сток-исток | 1200 | V | Vисток-затвор=0В, ID=100 мкА | |
| VGSmax | Напряжение затвор-исток | -0.4 | V | Абсолютное максимальные значения | |
| VGSop | Напряжение затвор-исток | -0.25 | V | Рекомендуемый режим работыальные значения | |
| ID | Непрерывный Ток стока | 36 | A | Vисток-затвор=20 В,Tc=25℃ | |
| 24 | Vисток-затвор=20 В,Tc=100℃ | ||||
| ID(импульс) | Импульсный Ток стока | 80 | A | Длительность импульса tp ограничd по TJmax | |
| PD | Рассеиваемая мощность рассеяние | 192 | W | Tc=25℃, TДж=150℃ | |
| TДж, TSTG | Температура перехода и хранения при работе | -55 до +150 | ℃ |
Электрические характеристики (TC=25℃ если неесли не указано иное)
| Обозначение | Параметр | Мин. | Тип. | Макс.. | Ед. изм. | Условия испытаний | Примечание |
| V(BR)DSS | Напряжение пробоя Пробойнапряжения | 1200 | / | / | V | Vисток-затвор=0В, ID=100 мкА | |
| VGS(th) | Пороговое напряжение затвораge | 2 | 2.4 | 4 | V | VDS=Vисток-затвор, ID=5мА | Рис. 11 |
| / | 1.8 | / | VDS=Vисток-затвор, ID=5мА, TДж=150℃ | ||||
| IDSS | Нулевое напряжение затвора Ток стока | / | 1 | 100 | µA | VDS=1200V, Vисток-затвор=0V | |
| IGSS+ | Затвор–исток Ток утечки | / | 10 | 250 | нА | VDS=0V, Vисток-затвор=25V | |
| IGSS- | Затвор–исток Ток утечки | / | 10 | 250 | нА | VDS=0V, Vисток-затвор=-10V | |
| RDS(on) | Сопротивление в открытом состоянии сток–исток Сопротивлениесопротивление | / | 80 | 98 | мОм | Vисток-затвор=20V, ID=20 А | Рис. |
| / | 140 | / | Vисток-затвор=20V, ID=20A, TДж=150℃ | 4,5,6 | |||
| Ciss | Входная ёмкость | / | 1475 | / | Vисток-затвор=0V | Рис. | |
| Coss | Выходная ёмкость | / | 94 | / | пФ | VDS=1000V | 15,16 |
| Crss | Обратная передаточная емкостьacitance | / | 11 | / | f=1МГц | ||
| Eoss | Coss Запасенная энергия | / | 52 | / | µJ | VAC=25мВ | |
| EВКЛ | Характеристики включения энергия | / | 564 | / | µJ | VDS=800V, Vисток-затвор=-5V/20V | |
| EВЫКЛ | Характеристики выключения энергия | / | 260 | / | ID=20A, RG(ext)=2.5Ω, L=200μH | ||
| td(вкл.) | Включение Время задержки | / | 9.3 | / | |||
| tr | Время нарастания | / | 9.5 | / | VDS=800V, Vисток-затвор=-5V/20V, ID=20 А RG(ext)=2.5Ω, RL=40Ω | ||
| td(выкл.) | Выключение Время задержки | / | 18 | / | нс | ||
| tf | Время спада | / | 7.6 | / | |||
| RG(int) | Внутренний затвор сопротивление | / | 3.1 | / | Ом | f=1МГц, VAC=25мВ | |
| Qисток-затвор | Затвор-исток Заряд | / | 24 | / | VDS=800V | ||
| QGD | Затвор-эмиттер Заряд стока | / | 15 | / | нКл | Vисток-затвор=-5V/20V | |
| QG | Полный заряд затвора Заряд | / | 79 | / | ID=20 А |
Обратное Характеристики диодаristics
| Обозначение | Параметр | Тип. | Макс.. | Ед. изм. | Условия испытаний | Примечание |
| VSD | Диод Прямое напряжение | 3.6 | / | V | Vисток-затвор=-5V, ISD=10A | Рис. 8,9,10 |
| 3.3 | / | Vисток-затвор=-5V, ISD=10A, TДж=150℃ | ||||
| IS | Непрерывный Диод Прямой ток | / | 44 | A | TC=25℃ | |
| trr | Обратное Время восстановления | 35 | / | нс | ||
| Qrr | Обратное Восстановительный заряд | 91 | / | нКл | VR=800V, ISD=20 А | |
| Irrm | пиковое Обратное ток восстановления | 4.5 | / | A |
Корпус Габаритные размеры
Корпус TO-247-4
.jpg)
.jpg)
.jpg)
Силовые полупроводниковые приборы, защитные компоненты и промышленные решения в области электропитания.
