YZPST-SP50N80FX
Совет: укажите артикул, требуемые напряжение/ток и условия применения.
Загрузки и технические файлы
800-вольтовый N-канальный силовой MOSFET
YZPST-SP50N80FX
ХАРАКТЕРИСТИКИ
Быстродействующее переключение
100% испытан на лавинную стойкость
Улучшенная стойкость dv/dt
ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ
Импульсный источник питания (SMPS)
Источник бесперебойного питания (UPS)
Коррекция коэффициента мощности (PFC)
Информация об обозначении, маркировке и упаковке изделия | |||
Номер для заказа |
Корпус |
Маркировка |
Упаковка |
SP50N80FX |
SOT-227 |
SP50N80FX |
Трубка |
Абсолютные предельно допустимые значенияTC= 25ºC, если не указано иное | |||
Параметр | Обозначение | Значение | Ед. изм. |
Напряжение сток-исток (Vисток-затвор= 0V) | VDSS | 800 | V |
Непрерывный ток стока | ID | 50 | A |
Импульсный ток стока Ток (примечание 1) | Iсток-исток | 200 | A |
Напряжение затвор-исток | VGSS | ±30 | V |
Одиночный импульс Лавинный режим энергия (примечание 2) | EAS | 4500 | мДж |
Повторяющееся Лавинный режим энергия (примечание 1) | EAR | 60 | мДж |
Рассеиваемая мощность (TC= 25ºC) | PD | 690 | W |
Диапазон рабочих температур перехода и температуры хранения | TДж, Tstg | -55~+150 | ºC |
Внимание:Нагрузки, превышающие указанные в разделе «Абсолютные максимальные значения», могут вызвать необратимое повреждениеустройство. | |||
Тепловое сопротивление | |||||||||
Параметр | Обозначение | Значение | Ед. изм. | ||||||
Тепловое сопротивление, переход-к-корпусу | RthJC |
0.18 |
ºC/Вт | ||||||
Тепловое сопротивление, переход-окружающая среда | RthJA | 40 | |||||||
Технические характеристикиTДж= 25ºC, если не указано иное | ||||||
Параметр |
Обозначение |
Условия испытаний | Значение |
Ед. изм. | ||
Мин. | Тип. | Макс. | ||||
Статические | ||||||
Напряжение пробоя сток-исток | V(BR)DSS | Vисток-затвор= 0V, ID= 250µA | 800 | -- | -- | V |
Ток стока при нулевом напряжении затвор-исток | IDSS | VDS=800, Vисток-затвор= 0V, TДж= 25ºC | -- | -- | 1.0 | мкА |
Утечка затвор-исток | IGSS | Vисток-затвор = ±30V | -- | -- | ±100 | нА |
Пороговое напряжение затвор-исток | VGS(th) | IDS= 250µA | 2.5 | -- | 4.5 | V |
Сопротивление в открытом состоянии сток-исток (примечание 3) | RDS(on) | Vисток-затвор= 10V, ID= 25A | -- | 120 | 130 | мОм |
Динамические | ||||||
Входная ёмкость | Ciss |
Vисток-затвор= 0V, VDS= 25V, f = 1.0MHz | -- | 14600 | -- |
пФ |
Выходная ёмкость | Coss | -- | 1300 | -- | ||
Обратная передаточная ёмкость | Crss | -- | 66 | -- | ||
Полный заряд затвора | Qg |
VDD=400V, ID=50A, Vисток-затвор10 В | -- | 360 | -- |
нКл |
Заряд затвор-исток | Qgs | -- | 80 | -- | ||
Заряд затвор-сток | Qgd | -- | 120 | -- | ||
Время задержки включения | td(вкл.) |
VDD400 В, ID50 А, RG10 Ом | -- | 110 | -- |
нс |
Время нарастания при включении | tr | -- | 200 | -- | ||
Время задержки при выключении | td(выкл.) | -- | 160 | -- | ||
Время спада при выключении | tf | -- | 185 | -- | ||
Характеристики встроенного диода сток-исток | ||||||
Непрерывный ток встроенного диода | IS |
TC= 25 °C | -- | -- | 50 |
A |
Импульсный прямой ток диода | ISM | -- | -- | 400 | ||
Напряжение встроенного диода | VSD | TДж= 25 °C, ISD= 25 А, Vисток-затвор= 0 В | -- | -- | 1.4 | V |
Время обратного восстановления | trr | Vисток-затвор= 0 В, IS= 50 А, diF/dt =100 А /μs | -- | 520 | -- | нс |
Обратный заряд восстановления | Qrr | -- | 5.0 | -- | μC | |
Примечания
1. Повторяющийся режим: длительность импульса ограничена максимальной температурой p-n-перехода
2. VDD= 50 В, RG= 25 Ом, начальная TДж= 25 °C
Импульсное испытание: длительность импульса ≤ 300 мкс, коэффициент заполнения ≤ 1%
Для получения дополнительной информации оYZPST-SP50N80FXпожалуйста, скачайте PDF-файл выше под названием «YZPST-SP50N80FX»
.jpg)
.jpg)
Силовые полупроводниковые приборы, защитные компоненты и промышленные решения в области электропитания.
