.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
YZPST-FF600R12ME4
Совет: укажите артикул, требуемые напряжение/ток и условия применения.
Загрузки и технические файлы
YZPST-FF600R12ME4
Силовой модуль IGBT
Области применения
Инвертор для привода двигателя
Усилитель сервопривода переменного и постоянного тока
ИБП (источники бесперебойного питания)
Особенности
Низкое VCE(sat) благодаря технологии SPT+
Vce(sat) с положительным температурным коэффициентом
Включая быстрый и мягкий антипараллельный FWD
Высокая устойчивость к короткому замыканию (10 мкс)
Модульная конструкция с низкой индуктивностью
Абсолютное Максимальные предельные значения
Параметр | Обозначение | Условия | Значение | Ед. изм. |
Напряжение коллектор-эмиттер | VCES | VGE=0В, IC =1 мА, Tvj=25℃ | 1200 | V |
Непрерывный ток коллекторак | IC | Tc=100℃ | 600 | A |
Пиковый ток коллектора | ICRM | ICRM=2IC | 1200 | A |
Напряжение затвор-эмиттер | VGES | Tvj=25℃ | ±20 | V |
Общая Рассеиваемая мощность (IGBT-инвертор) | Pобщ. | Tc=25℃ Tvjmax=175℃ | 3750 | W |
Характеристики IGBT
| Параметр | Значение | Ед. изм. | ||||
| Обозначение | Условия | Мин. | Тип. | Макс. | ||
| Пороговое напряжение затвор-эмиттер | VGE(th) | VGE=VCE, IC =3mA,Tvj=25℃ | 5 | 5.8 | 6.5 | V |
| VCE=1200V,VGE=0 В, Tvj=25℃ | 1 | мА | ||||
| Ток отсечки коллектор–эмиттерутечки | ICES | VCE=1200V,VGE=0 В, Tvj=125℃ | 5 | мА | ||
| Коллектор-эмиттер | Ic=600 А, VGE=15 В, Tvj=25℃ | 1.7 | V | |||
| Напряжение насыщения | VCE(sat) | Ic=600 А, VGE=15 В, Tvj=125℃ | 2 | V | ||
| Входная ёмкость | Cies | 43.1 | нФ | |||
| Выходная ёмкость | Coes | VCE=25 В, VGE =0В, | 2.25 | нФ | ||
| Обратная передаточная ёмкость | Cres | f=1 МГц, Tvj=25℃ | 1.95 | нФ | ||
| Внутренний затвор сопротивление | Rgint | 1.25 | Ом | |||
| Включение Время задержки | td(вкл.) | 250 | нс | |||
| Время нарастания | tr | IC =600 А | 88 | нс | ||
| Время задержки при выключении | td(выкл.) | VCE = 600 В | 560 | нс | ||
| Время спада | tf | VGE = ±15 В | 131 | нс | ||
| энергия рассеяние При включении время | Eon | RG = 1.2Ω | 33.1 | мДж | ||
| энергия рассеяние Во время включения-выкл. время | Eвыкл. | Tvj=25℃ | 57.8 | мДж | ||
| Включение Время задержки | td(вкл.) | 300 | нс | |||
| Время нарастания | tr | IC =600 А | 102 | нс | ||
| Время задержки при выключении | td(выкл.) | VCE = 600 В | 650 | нс | ||
| Время спада | tf | VGE = ±15 В | 180 | нс | ||
| энергия рассеяние При включении время | Eon | RG = 1.2Ω | 50.2 | мДж | ||
| энергия рассеяние Во время включения-выкл. время | Eвыкл. | Tvj=125℃ | 87.8 | мДж | ||
| Tp≤10us,VGE=15V, | ||||||
| SC Данные | Isc | Tvj=150℃,Vcc=600V, | 2400 | A | ||
| VCEM≤1200V | ||||||
Корпус Габаритные размеры
.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
Силовые полупроводниковые приборы, защитные компоненты и промышленные решения в области электропитания.
