.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
YZPST-2MBI150XAA-120-50（YZPST-150HF120TK-G1）
Совет: укажите артикул, требуемые напряжение/ток и условия применения.
Загрузки и технические файлы
YZPST-2MBI150XAA-120-50（YZPST-150HF120TK-G1）
IGBT-модуль 150 А 1200 В
ХАРАКТЕРИСТИКИ
Высокая стойкость к короткому замыканию, самограничение тока короткого замыкания
IGBT-чип (технология Trench + Field Stop)
VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
Быстрое переключение, низкие коммутационные потери
Свободноходовые диоды с быстрым и мягким обратным восстановлением
ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ
Применение для высокочастотной коммутации
сварочные преобразователи
управление движением/серводвигателем
Системы ИБП
ПРЕДЕЛЬНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ ПАРАМЕТРЫ Tc=25ec если не указано иное иначе
Обозначение |
| Параметр | Условия испытаний | Значения | Ед. изм. |
IGBT | |||||
VCES |
| Коллектор - напряжение эмиттера | TVj=25°C | 1250 | V |
VGES |
| Затвор - напряжение эмиттера |
| ±30 | V |
IC |
| Постоянный коллектор Ток | TC=25°C | 230 | A |
| TC=80°C | 150 | A | ||
ICM |
| Повторяющееся Пиковый ток коллектора | tp=1 мс | 200 | A |
Pобщ. |
| Рассеиваемая мощность рассеяние За период IGBT |
| 694 | W |
Диод | |||||
VRRM |
| Повторяющееся Обратное напр.tage | TVj=25°C | 1250 | V |
IF(AV) |
| Средний Прямой ток | TC=25°C | 150 | A |
| TC=80°C | 100 | A | ||
IFRM |
| Повторяющееся пиковое Прямой ток | tp=1 мс | 200 | A |
КОРПУС Габаритный чертеж
.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
Силовые полупроводниковые приборы, защитные компоненты и промышленные решения в области электропитания.
