YZPST-IKW40N65H3（YZPST-RG40N065FT)

Параметр

Обозначение

Значение

Ед. изм.

Напряжение пробоя коллектор-эмиттернапряжения

VCE

650

V

Постоянный ток коллектора,ограниченный Tjmax TC = 25°C

TC = 100°C

IC

80

40

A

Прямой ток диода, ограниченный Tjmax TC = 25°C

TC = 100°C

IF

80

40

A

Непрерывное напряжение затвор-эмиттернапряжение r

VGE

±20

V

Переходное напряжение затвор-эмиттернапряжение

VGE

±30

V

Отключение безопасная область работы VCE ≤650 В, Tj ≤ 175°C, tp = 1 мкс

-

120

A

Импульсный ток коллектора, VGE = 15 В, tp ограничено Tjmax

ICM

120

A

Рассеиваемая мощность, Tj=25°C

Pобщ.

188

W

Рабочий переход температуры

Tj

-40...+175

°C

Температура хранения

TS

-55...+150

°C

Температура пайки,волновая пайка 1,6 мм (0,063 дюйма) от case для 10 с

-

260

°C

Монтаж момент затяжки, M3 винт Максимальные для монтажа процессы: 3

M

0.6

Н·м

Параметр

Обозначение

Макс. значение

Ед. изм.

Тепловое сопротивление IGBTсопротивление,переход - case

Rθ(j-c)

0.8

К/Вт

Тепловое сопротивление диодасопротивление,переход - case

Rθ(j-c)

1.1

К/Вт

Тепловое сопротивление, переход - окружающая среда

Rθ(j-a)

40

К/Вт