YZPST-100-8

✓Техническая информация о продукте✓Подбор с учетом сферы применения✓Запрос по каталогу и требованиям

Эл. почтаinfo@yzpst.net

Телефон+86 138 0527 8321

ЗАПРОСИТЬ ТЕХНИЧЕСКОЕ ПРЕДЛОЖЕНИЕ↗

Совет: укажите артикул, требуемые напряжение/ток и условия применения.

ЦЕНТР ДОКУМЕНТАЦИИ

Загрузки и технические файлы

YZPST-漏保专用可控硅100-8.pdfСКАЧАТЬ ↘

SCR на 100–81 А
ОСОБЕННОСТИ
Чувствительный затвор
Прямое управление от маломощных драйверов и логических ИС
Корпус для поверхностного монтажа
ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ
Устройства защитного отключения при утечке на землю (GFCI)
Коммутация общего назначения и управление фазой
Цепи зажигания, CDI
Управление двигателями — например, в малой кухонной технике

ПРЕДЕЛЬНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ ЗНАЧЕНИЯ
PПараметр	Sсимвол	Vзначение	UЕд.
Условия хранениясоединение температуры диапазон	Испытаниеg	-40 ~ 150	℃
Рабочийрежим переход температуры диапазон	Tj	-40~ 125	℃
повторяющееся импульса пиковое Выключено-состояние напряжение	VDRM	900	V
повторяющееся Пиковое обратное напряжение	VRRM	900	V
RMS on-состояние ток коллектора	IT(RMS)	1.0	A
Не повторяющееся импульса пиковое on-состояние ток( 180° проводимость угла, F50Гц,t=10мс/60Гц,8 3мс)	ITSM	12	A
I2значение I²t для срабатывания предохранителя (tp= 10ms)	I2t	0.72	A2S
Критическая скорость для нарастания для on-состояние ток коллектора (I =2×IGT, tr≤ 100нс)	di/dt	50	A/μS
Peak затвор ток коллектора	IGM	0.5	A
Средний рассеяние мощности на затворе	PG(сред.)	0.1	W
Максимальные dустройство температуры для для пайки (для 10 секунд mмаксимальный)	TL	260	℃
уровень ESDуровень	ВBM	Класс3 (4000-16000V)
Влажность чувствительный уровень	MSL	Трёх-уровень(30℃,60%RH,168h)

Тепловой Сопротивления
Sсимвол	Paраметр		Vзначение	UЕд.
		TO-92	70
Rth(j-c)	Переход до табл. (DC)	SOT-223	25	℃/W

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (T=25℃если не указано иначе)
Sсимвол	Испытание Условия	Vзначение			UЕд.
Sсимвол	Испытание Условия	MlV	ТИП	MAX	UЕд.
IGT	V = 12V R = 140Ω	20	40	120	4A
VGT	V = 12V R = 140Ω	-	-	1 0	V
VGD	VD=VDRM Tj=125℃ R= 1КОм	0.2	-	-	V
IL	IG= 1,2IGT	-	-	6	mA
IВ	IT=50мА	-	-	5	mA
dV/dt	VD=2/3VDRM Управляющий электрод Открыт Tj=125℃	50	-	-	V/ μs