.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
YZPST-150B120F23
Совет: укажите артикул, требуемые напряжение/ток и условия применения.
Загрузки и технические файлы
IGBT силовой модуль YZPST-150B120F23
VCE=1200V IC=150A
Области применения
Инвертор для электропривода
Усилитель сервопривода переменного и постоянного тока
ИБП (источник бесперебойного питания)
Сварочный аппарат с мягкой коммутацией
Особенности
Низкое Vce(sat) по технологии Trench Field-stop
Vce(sat) с положительным температурным коэффициентом
Включая быстродействующий и мягкий антипараллельный диод свободного хода
Высокая стойкость к короткому замыканию (10 мкс)
Модульная конструкция с низкой индуктивностью
Максимальная температура перехода 175 ℃
Абсолютное Максимальные предельные значения
Параметр | Обозначение | Условия | Значение | Ед. изм. |
Напряжение коллектор-эмиттер | VCES | VGE=0V, IC =1mA, Tvj=25℃ | 1200 | V |
Непрерывный ток коллектора | IC | Tc=100℃ | 150 | A |
Пиковый ток коллектора | ICRM | tp=1 мс | 300 | A |
Напряжение затвор-эмиттер | VGES | Tvj=25℃ | ±20 | V |
Общая рассеиваемая мощность (IGBT-инвертор) | Ptot | Tc=25℃ Tvjmax=175℃ | 968 | W |
Характеристики IGBT
| Параметр | Значение | Ед. изм. | ||||
| Обозначение | Условия | Мин. | Тип. | Макс. | ||
| Пороговое напряжение затвор-эмиттер | VGE(th) | VGE=VCE, IC =4mA,Tvj=25℃ | 5.2 | 6 | 6.8 | V |
| VCE=1200V,VGE=0V, Tvj=25℃ | 1 | мА | ||||
| Ток отсечки коллектор-эмиттер | ICES | VCE=1200V,VGE=0V, Tvj=125℃ | 5 | мА | ||
| Коллектор-эмиттер | Ic=150A,VGE=15V, Tvj=25℃ | 1.8 | 2.1 | V | ||
| Напряжение насыщения | VCE(sat) | Ic=150A,VGE=15V, Tvj=125℃ | 2 | V | ||
| Входная ёмкость | Cies | 9.8 | нФ | |||
| Выходная ёмкость | Coes | VCE=25V,VGE =0V, | 0.82 | нФ | ||
| Обратная передаточная ёмкость | Cres | f=1MHz, Tvj=25℃ | 0.48 | нФ | ||
| Внутреннее сопротивление затвора | Rgint | 2.5 | Ом | |||
| Время задержки включения | td(on) | 185 | Ns | |||
| Время нарастания | tr | IC =150 A | 55 | Ns | ||
| Время задержки выключения Ttime | td(off) | VCE = 600 V | 360 | Ns | ||
| Время спада | tf | VGE = ±15В | 115 | Ns | ||
| Энергия, рассеиваемая при включении | Eon | RG = 5.1Ω | 15.4 | мДж | ||
| Энергия рассеяния во время выключения | Eoff | Tvj=25℃ | 11.6 | мДж | ||
| Время задержки включения | td(on) | 200 | Ns | |||
| Время нарастания | tr | IC =150 A | 60 | Ns | ||
| Время задержки при выключении | td(off) | VCE = 600 V | 420 | Ns | ||
| Время спада | tf | VGE = ±15В | 120 | Ns | ||
| Энергия, рассеиваемая при включении | Eon | RG =5.1Ω | 23.2 | мДж | ||
| Энергия рассеяния во время выключения | Eoff | Tvj = 125℃ | 17 | мДж | ||
| Tp≤10us,VGE=15V, | ||||||
| Данные SC | Isc | Tvj=150℃,Vcc=600V, | 500 | A | ||
| VCEM≤1200V | ||||||
Характеристики диода
| Параметр | Значение | Ед. изм. | ||||
| Обозначение | Условия | Мин. | Тип. | Макс. | ||
| Постоянный прямой ток диода | IF | Tc=100℃ | 150 | A | ||
| Пиковый прямой ток диода | IFRM | 300 | A | |||
| IF=150A,Tvj=25℃ | 1.8 | 2.3 | V | |||
| Прямое напряжение | VF | IF=150A,Tvj=125℃ | 1.85 | V | ||
| Параметр | Значение | Ед. изм. | ||||
| Обозначение | Условия | Мин. | Тип. | Макс. | ||
| Восстановленный заряд | Qrr | 13.4 | мкКл | |||
| IF =150 A | ||||||
| Пиковый обратный ток восстановления | Irr | VR=600V | 143 | A | ||
| Время обратного восстановления | trr | -diF/dt =2200A/us | 160 | нс | ||
| Энергия обратного восстановления | Erec | Tvj=25℃ | 9.1 | мДж | ||
| Восстановленный заряд | Qrr | 26.1 | мкКл | |||
| IF =150 A | ||||||
| Пиковый обратный ток восстановления | Irr | VR=600V | 178 | A | ||
| Время обратного восстановления | trr | -diF/dt =2200A/us | 440 | нс | ||
| Энергия обратного восстановления | Erec | Tvj = 125℃ | 15.4 | мДж | ||
Характеристики модуля TC=25°C, если не указано иное
| Параметр | Обозначение | Условия | Значение | Ед. изм. | ||
| Мин. | Тип. | Макс. | ||||
| Напряжение изоляции | Visol | t=1min,f=50Hz | 2500 | V | ||
| Максимальная температура перехода | Tjmax | 150 | ℃ | |||
| Рабочая температура p-n-перехода | Tvjop | -40 | 125 | ℃ | ||
| Температура хранения | Tstg | -40 | 125 | ℃ | ||
| на IGBT-инвертор | 0.155 | К/Вт | ||||
| Переход-корпус | R θjc | на диод-инвертор | 0.292 | К/Вт | ||
| Корпус-радиатор | R θcs | С нанесённой теплопроводной смазкой | 0.05 | К/Вт | ||
| Момент затяжки электродов модуля | Mt | Рекомендуемый (M5) | 2.5 | 5 | Н·м | |
| Момент затяжки модуля к радиатору | Ms | Рекомендуемый (M6) | 3 | 5 | Н·м | |
| Масса модуля | G | 150 | g | |||
Габаритные размеры
Для получения дополнительной информации о YZPST-150B120F23пожалуйста, скачайте указанный выше PDF-файл под названием «YZPST-150B120F23 "
.webp)
Силовые полупроводниковые приборы, защитные компоненты и промышленные решения в области электропитания.
