YZPST-FM3N150C
Совет: укажите артикул, требуемые напряжение/ток и условия применения.
Загрузки и технические файлы
1500V n-канальный MOSFET
YZPST-FM3N150C
Общее описание
Этот силовой MOSFET изготовлен по передовой планарной технологии самовыравнивания. Данная технология специально разработана для минимизации сопротивления в открытом состоянии, обеспечения превосходных характеристик переключения и выдерживания высокоэнергетических импульсов в режимах лавинного пробоя и коммутации.
Эти приборы могут использоваться в различных силовых коммутирующих схемах для уменьшения габаритов системы и повышения эффективности.
Особенности
3 А, 1500 В, RDS(on) тип. = 5 Ом при VGS = 10 В, Id = 1,5 А
Низкий заряд затвора (тип. 9,3 нКл)
Низкий заряд затвора (тип. 2,4 пФ)
Быстрое переключение
100% протестировано на лавинную стойкость
Абсолютные предельно допустимые значенияTc = 25 °C, если не указано иное
| Обозначение | Параметр | JFFM3N150C | Единицы измерения | |
| Vdss | Напряжение сток-исток | 1500 | V | |
| Id | Ток стока | Непрерывный (Tc = 25 °C) | 1.8 | А |
| Непрерывный (Tc = 100 °C) | 1.2 | А | ||
| Idm | Импульсный ток стока (примечание 1) | 12 | А | |
| Vgss | Напряжение затвор-исток | ±30 | V | |
| EAS | Энергия одиночного импульса лавинного пробоя (примечание 2) | 225 | мДж | |
| dv/dt | Пиковая скорость восстановления диода dv/dt (примечание 3) | 5 | В/нс | |
| Pd | Рассеиваемая мощность (Tc = 25 °C) | 30 | Вт | |
| Tj, Tstg | Диапазон рабочих и температур хранения | -55 до +150 | °C | |
| Tl | Максимальная температура выводов при пайке | 300 | °C | |
| 1/8〃 от корпуса в течение 5 с | ||||
Тепловые характеристики
| Обозначение | Параметр | JFFM3N150C | Единицы измерения |
| Raic | Тепловое сопротивление, переход–корпус | 4.1 | °C/Вт |
| Rqja | Тепловое сопротивление, переход–окружающая среда | 62.5 | °C/Вт |
Электрические характеристикиTc=25 °C, если не указано иное
| Обозначение | Параметр | Условия испытаний | Мин. | Тип. | Макс. | Единицы измерения |
| Выходные характеристики | ||||||
| BVdss | Пробивное напряжение сток–исток | Vgs = 0 В, Id =250 мкА | 1500 | ― | — | V |
| / BVdss/ | Температурный коэффициент пробивного напряжения | Id = 250 мкА, относительно | -- | 1.3 | -- | В/°C |
| 』Tj | 25 °C | |||||
| Ток стока при нулевом напряжении затвора | Vds = 1500 В, Vgs = 0 В | — | — | 25 | мкА | |
| Idss | Vds = 1200 В, Tc = 125 °C | -- | -- | 500 | мкА | |
| Igssf | Ток утечки затвор–подложка, прямой | Vgs = 30 В, Vgs = 0 В | — | — | 100 | нА |
| Igssr | Ток утечки затвор–подложка, обратный | Vgs = -30 В, Vgs = 0 В | — | — | -100 | нА |
| Выходные характеристики | ||||||
| VGS(th) | Пороговое напряжение затвора | Vds = Vgs, Id = 250 мкА | 3 | — | 5 | V |
| RDS(on) | Статическое сопротивление сток-исток в открытом состоянии | Vgs = 10 В,Id= 1.5A | — | 5 | 8 | Q |
| gFS | Прямая крутизна | Vds = 30 В, Id= 1,5 А (Примечание | -- | 4.5 | -- | S |
| 4) | ||||||
| Динамические характеристики | ||||||
| Ciss | Входная ёмкость | Vds = 25 В,Vgs = 0 В, f = | — | 1938 | — | пФ |
| Coss | Выходная ёмкость | 1,0 МГц | — | 104 | — | пФ |
| Crss | Обратная передаточная ёмкость | — | 2.4 | — | пФ | |
| Rg | Сопротивление затвора | F= 1,0 МГц | 3.5 | Q | ||
| Характеристики переключения | ||||||
| td(on) | Время задержки включения | 34 | нс | |||
| tr | Время нарастания при включении | Vds = 750 В,Id=3,0 А/ Rg = | 17 | нс | ||
| td(off) | Время задержки выключения | 100 ,Vgs 10 В (примечания 4,5) | 56 | нс | ||
| tf | Время спада при выключении | 27 | нс | |||
| Qe | Полный заряд затвора | Vds = 750 В,Id =3,0 А Vgs = | 9.3 | нКл | ||
| Qgs | Заряд затвор-исток | 10 В (примечания 4,5) | 15 | нКл | ||
| Qgd | Заряд затвор-сток | 5.3 | нКл | |||
| Характеристики и предельные параметры диода сток-исток | ||||||
| Is | Максимальный непрерывный прямой ток диода сток-исток | — | — | 3 | А | |
| Ism | Максимальный импульсный прямой ток диода сток-исток | — | — | 12 | А | |
| Vsd | Прямое напряжение диода сток-исток | Vgs = 0 В, Is = 3,0 А | — | — | 1.5 | V |
| trr | Время обратного восстановления | Vgs = 0 В, Is = 3,0 А | — | 302 | — | нс |
| Qrr | Заряд обратного восстановления | dlF/dt = 100 А/мкс ( примечание | -- | 10 | -- | мкКл |
| 4) | ||||||
Примечания:
1. Повторяющийся режим: длительность импульса ограничена максимальной температурой p-n-перехода
2. L= lO.OmH , Ias = 6.7A, Rg = 25Q, StartingTj = 25°C
3. Isd < 3.0Azdi/dt < lOOA/us, Vdd < BVdss, Starting Tj = 25°C
4. Импульсный тест: длительность импульса <300 мксzКоэффициент заполнения <2%
5. Практически не зависит от рабочей температуры
Для получения дополнительной информации оYZPST-FM3N150Cпожалуйста, скачайте PDF-файл выше с названием «YZPST-FM3N150C»
.jpg)
.jpg)
Силовые полупроводниковые приборы, защитные компоненты и промышленные решения в области электропитания.
