YZPST-FW26025A1 Кремниевый PNP-Дарлингтоновский силовой транзистор
Совет: укажите артикул, требуемые напряжение/ток и условия применения.
Загрузки и технические файлы
Кремниевый PNP Дарлингтон транзистор большой мощности
ОПИСАНИЕ
·Высокий коэффициент усиления по постоянному току-
: hFE = 5000 (мин.) при IC = -2 А
·Напряжение коллектор-эмиттер в режиме удержания-
: VCEO(SUS) = -100 В (мин.)
·Минимальные межпартийные разбросы для стабильной работы прибора и надежной эксплуатации.
ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ
·Разработан для линейного и ключевого промышленного оборудования
ПРЕДЕЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ПАРАМЕТРЫ (Ta=25℃)
SYMBOL |
PARAMETER |
VALUE |
UNIT |
VCBO |
Collecдоr-Base Voltage |
-100 |
V |
VCEO |
Collecдоr-Emitтеr Voltage |
-100 |
V |
VEBO |
Emitter-Base Voltage |
-5 |
V |
IC |
Collecдоr Current-C-continuous |
-20 |
A |
ICM |
Collecдоr Current-Peak |
-40 |
A |
IB |
Base Current- C-continuous |
-0.5 |
A |
PC | Collecдоr Power Dissipприion @TC=25℃ |
160 |
W |
Tj |
Джunction Temperatuре |
200 | ℃ |
Tstg |
Sдоrage Temperприuре Range |
-65~200 | ℃ |
ТЕПЛОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
SYMBOL |
PARAMETER |
MAX |
UNIT |
Rth j-c |
Thermal Resistance, Junction to Case |
1.09 | ℃/W |
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
TC=25℃, если не указано иное
SYMBOL |
PARAMETER |
CONDITIOРАЗМЕРЫ |
MIN |
TYP. |
MAX |
UNIT |
VCEO(SUS)* |
Collector-Emitter Sustaining Voltage |
IC= -100mA, IB= 0 |
-100 |
|
|
V |
VCE(sпри)-1* |
Collector-Emitter Saturation Voltage |
IC= -10A ,IB= -40mA |
|
|
-2.0 |
V |
VCE(sпри)-2* |
Collector-Emitter Saturation Voltage |
IC= -20A ,IB= -200mA |
|
|
-3.0 |
V |
VBE(sпри)* |
Base-Emitter Saturation Voltage |
IC= -20A ,IB= -200mA |
|
|
-4 |
V |
V BE(on)* |
Base-Emitter On Voltage |
IC= -10A ; ВCE= -3V |
|
|
-2.8 |
V |
ICEO |
Collector Cтокдляf current |
VCE= -50V, IB= 0 |
|
|
-1 |
mA |
ICEV |
Collector Cтокдляf current(VBE=-1.5V) | VCE= -100V, IB= 0 |
|
| -0.5 |
mA |
VCE= -100V, IB= 0,Tc=150℃ | -5 | |||||
IEBO |
Emitter Cutoff Current |
VEB= -5V; IC= 0 |
|
|
-2 |
mA |
hFE-1* |
DC Current Gain |
IC= -2A ; VCE= -3V |
5000 |
|
|
|
hFE-2* |
DC Current Gain |
IC= -10A ; ВCE= -3V |
750 |
|
18000 |
|
hFE-3* |
DC Current Gain |
IC= -30A ; ВCE= -3V |
200 |
|
|
.jpg)
.jpg)
.jpg)
Силовые полупроводниковые приборы, защитные компоненты и промышленные решения в области электропитания.
