YZPST-KP4350A1600V

Тип прибора

VRRM(1)

VDRM(1)

VRSM(1)

KP4350A

1600

1600

1700

Повторяющийся пиковый обратный ток утечки и ток утечки в закрытом состоянии

I_{RRM /}I_DRM

450 мА (3)

Критическая скорость нарастания напряжения

dV/dt (4)

300 В/mс

Параметр

Обозначение

Мин.

Макс.

Тип.

Единицы

Условия

Среднее значение тока в открытом состоянии

I_T(AV)

4350

A

Синусоида, 180^oпроводимость, T_S=70^oC

Пиковый однопериодный импульсный ток

(неповторяющийся) ток

I_TSM

48900

A

10,0 мс (50 Гц), синусоидальная волна-

форма, 180^oпроводимость, T_j = 125 ^oC

I²t

I²t

11.9x10⁶

A²s

10,0 мс

Ток срабатывания фиксации

I_L

1000

мА

V_D = 12V; R_L= 12 Ом

Ток удержания

I_В

450

мА

V_{D =} 12V; I = 2,5 A

Пиковое напряжение в открытом состоянии

V_TM

1.5

V

I_TM = 6000 A; рабочий цикл£ 0.01%

T_j = 25 ^oC

Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии

ток (5)

di/dt

200

A/ms

Переключение от V_DRM £1000 В,

неповторяющийся

Параметр

Обозначение

Мин.

Макс.

Тип.

Единицы

Условия

Пиковая мощность, рассеиваемая затвором

P_GM

200

W

t_p= 40 мкс

Среднее рассеяние мощности затвора

P_G(AV)

5

W

Пиковый ток затвора

I_GM

15

A

Ток затвора, необходимый для срабатывания всех элементов

I_GT

30

300

200

125

мА

мА

мА

V_D = 12В;R_L = 6Ом;T_j= -40^oC

V_D = 12В;R_L = 6Ом;T_j= +25^oC

V_D = 12В;R_L = 6Ом;T_j= +125^oC

Напряжение затвора, необходимое для срабатывания всех элементов

V_GT

0.30

5

3

V

V

V

V_D = 12В;R_L = 6Ом;T_j= -40^oC

V_D = 12В;R_L = 6Ом;T_j= 0-125^oC

V_D= Номинальное V_DRM; R_L= 1000 Ом;

T_j= + 125^oC

Пиковое отрицательное напряжение

V_GRM

15

V

Параметр

Обозначение

Мин.

Макс.

Тип.

Единицы

Условия

Время задержки

t_d

3.0

2.5

ms

I_TM = 50 A; V_D = 1500 V

Импульс на затворе: V_G = 20 V; R_G = 20 Ом; t_r = 0.1 mс; t_p = 20 ms

Время выключения (при V_R = -50 V)

t_q

400

ms

I_TM = 250 A; di/dt = 25 A/mс;

V_R ³ -50 V; Re-applied dV/dt = 30 V/mс linear to 67% V_DRM; В_G = 0;

T_j = 125 ^oC; Duty cpstcle ³ 0.01%

Обратное восстановительное заряд

Q_rr

A

I_TM =500 A; di/dt = 5 A/mс;

V_R ³ -50 V, T_j = 25 ^oC;