YZPST-VVZF70-16

Обозначение

Параметр

Условия испытаний

Значения

Ед. изм.

Id(AV)

TДж=85°C, модуль

70

A

Id(AVM)

модуль

70

A

IFRMS, ITRMS,

на вывод

36

A

VRSM,VDSM,

Максимальные    Нет    Повторяющееся обратное напряжение

1600

V

VRRM,VDRM,

Максимальный повторяющийся  Обратный Напряжение

1600

V

IFSM, ITSM

TДж=45°C, VR =0 В

t = 10 мс (50 Гц) ,синусоидальный

550

A

t = 8,3 мс (60 Гц) ,синусоидальный

600

TJ = 125°C, VR =0 В

t = 10 мс (50 Гц) ,синусоидальный

500

A

t = 8,3 мс (60 Гц) ,синусоидальный

550

I2t

TДж=45°C, VR =0 В

t = 10 мс (50 Гц) ,синусоидальный

1520

A2s

t = 8,3 мс (60 Гц) ,синусоидальный

1520

TJ = 125°C, VR =0 В

t = 10 мс (50 Гц) ,синусоидальный

1250

A2s

t = 8,3 мс (60 Гц) ,синусоидальный

1250

VT

TДж= 25°C,IT = 80 А

макс. 1,64

V

ID, IR

TДж= 125°C, VD = VDRM,VR = VRRM,

макс. 5

мА

VRGM

10

V

VДо

Только для расчетов потерь мощности

0.85

V

rT

11

m Ом

IВ

TДж= 25°C

VD = 6 В

<= 200

мА

IL

TДж= 25°C

IG = 0.45A,diG/dT=0.45A/us,tp= 10us

<= 450

мА

VGT

VD=6 В

TДж= 25°C

<= 1.5

V

TДж= -40°C

<= 1.6

IGT

VD=6 В

TДж= 25°C

<= 100

мА

TДж= -40°C

<= 200

VGD

TДж= 125°C,VD = 2/3VDRM

<= 0.2

V

IGD

<= 5

мА

tgd

TДж= 25°C,VD = 1/2VDRM

IG = 0.45A,diG/dT=0.45A/us

<= 2

us

tq

TДж= 125°C,VD = 2/3VDRM

IT = 20А,diG/dT = -10А/us,tp = 200 мкс V R= 100В,dv/dT = 15В/мкс

250

us

TДж

Температура перехода

-40 до +125

°C

TSTG

Температура хранения Диапазон

-40 до +125

°C

Vизол

перем. тока 50/60 Гц，действующее значение, 1 с/1 мин

3000/2500

В~

Md

Момент затяжки（M5）

5

Н·м

RθJC

На каждый тиристор/диод; постоянный ток на модуль

0.9

К/Вт

0.15

Вес

50

g