Параметр

Символ

Значение

Unit

Напряжение коллектор-эмиттер

V CBO

20

V

Напряжение коллектор-эмиттер

V Генеральный директор

11

V

Напряжение эмиттер-база

V EBO

3

V

Ток коллектора

I C

50

mA

Потери мощности коллектора

P C

0.2

W

Температура пересечения

T j

150

0 C

Температура хранения

T stg

-55~+150

0 C

Параметр

Символ

Мин.

Тип

Макс.

Unit

Условия

Напряжение пробоя коллектор-база

BV CBO

20

-

-

V

I C =10 м A

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер

BV Генеральный директор

11

-

-

V

I C =1mA

Напряжение пробоя эмиттер-база

BV EBO

3

-

-

V

I E =10 м A

Ток отсечки коллектора

I CBO

-

-

0.5

м A

V CB =10V

Ток отсечки излучателя

I EBO

-

-

0.5

м A

V EB =2V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

V CE(sat)

-

-

0.5

V

I C /I B =10mA/5mA

Коэффициент передачи постоянного тока

h FE

56

-

120

-

V CE /I C =10V/5mA

Частота перехода

f T

1.4

3.2

-

ГГц

V CE =10V, I E =-10мА, f=500МГц

Выходная ёмкость

Cob

-

0.8

1.5

pF

V CB =10V, I E =0A, f=1MHz

Коллекторно-базовая постоянная времени

rbb`Cc

-

4

12

ps

V CB =10V, I C =10мА, f=31.8МГц

Фактор шума

NF

-

3.5

-

dB

V CE =6V, I C =2mA, f=500MHz,Rg=50 W