Параметр

Обозначение

Значение

Ед. изм.

Напряжение коллектор-база

VCBO

20

V

Напряжение коллектор-эмиттер

VГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР

11

V

Напряжение эмиттер-база

VEBO

3

V

Ток коллектора

IC

50

мА

Рассеиваемая мощность коллектора

PC

0.2

W

Температура перехода

Tj

150

°C

Температура хранения

Tstg

-55~+150

°C

Параметр

Обозначение

Мин.

Тип

Макс.

Ед. изм.

Условия

Напряжение пробоя коллектор-база

BVCBO

20

-

-

V

IC=10mA

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер

BVГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР

11

-

-

V

IC=1 мА

Напряжение пробоя эмиттер–база

BVEBO

3

-

-

V

IE=10mA

Ток отсечки коллектора

ICBO

-

-

0.5

mA

VCB=10V

Ток отсечки эмиттера

IEBO

-

-

0.5

mA

VEB=2 В

Напряжение насыщения коллектор–эмиттер

VCE(sat)

-

-

0.5

V

IC/IB=10 мА/5 мА

Коэффициент передачи постоянного тока

hFE

56

-

120

-

VCE/IC=10 В/5 мА

Частота перехода

fT

1.4

3.2

-

ГГц

VCE=10 В, IE=-10 мА, f=500 МГц

Выходная емкость

Cob

-

0.8

1.5

пФ

VCB=10 В, IE=0 А, f=1 МГц

Постоянная времени коллектор-база

rbb`Cc

-

4

12

ps

VCB=10 В, IC=10 мА, f=31,8 МГц

Коэффициент шума

NF

-

3.5

-

дБ

VCE=6 В, IC=2 мА, f=500 МГц, Rg=50W