YZPST-MJ15003
Совет: укажите артикул, требуемые напряжение/ток и условия применения.
Загрузки и технические файлы
Абсолютные максимальные значения (Ta=℃)
|
|
|
| |
VCBO | Напряжение коллектор-база | Разомкнутый эмиттер | 140 | V |
VГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР | Напряжение коллектор-эмиттер | Открыт база | 140 | V |
VEBO | Напряжение эмиттер-база | Разомкнутый коллектор | 5 | V |
IC | Ток коллектора |
| 20 | A |
IB | Ток базы |
| 5 | A |
IE | Ток эмиттера |
| -25 | A |
PD | Общая рассеиваемая мощность | TC=25℃ | 250 | W |
Tj | Температура перехода |
| 200 | ℃ |
Tstg | Температура хранения |
| -65~200 | ℃ |
ТЕПЛОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
ОБОЗНАЧЕНИЕ | ПАРАМЕТР | МАКС | ЕД. |
Rth j-c | Тепловое сопротивление переход корпус | 0.7 | ℃/Вт |
ХАРАКТЕРИСТИКИ
Tj=25℃ если неуказано иначе
ОБОЗНАЧЕНИЕ | ПАРАМЕТР | УСЛОВИЯ | МИН | ТИП. | МАКС | ЕД. |
VCEO(SUS) | Напряжение насыщения коллектор-эмиттерстрангирования | IC=0.2A ;IB=0 | 140 |
|
| V |
VCEsat | Напряжение насыщения коллектор-эмиттернасыщения | IC=5A; IB=0.5A |
|
| 1.0 | V |
VBE | Напряжение включения база-эмиттер | IC=5A ; ВCE=2 В |
|
| 2.0 | V |
IГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР | Ток отсечки коллектора | VCE=140 В; IB=0 |
|
| 0.25 | мА |
ICEX | Ток отсечки коллектора | VCE=140 В; ВBE(off)=1,5 В TC=150℃ |
|
| 0.1 2.0 | мА |
IEBO | Ток отсечки эмиттера | VEB=5 В; IC=0 |
|
| 0.1 | мА |
hFE | Коэффициент усиления по току постоянного тока | IC=5A ; ВCE=2 В | 25 |
| 150 |
|
Is/b |
Коллекторный ток вторичного пробояили При прямом смещении базы смещении | VCE=50 В DC, t=1 с, Нерепетитивный | 5 |
|
|
A |
VCE=100 В DC, t=1 с, Нерепетитивный | 1 | |||||
COB | Выходная емкость | IE=0 ; ВCB=10 В; f=1,0 МГц |
|
| 1000 | пФ |
fT | Частота перехода | IC=0,5A ; ВCE=10 В; f=0,5 МГц | 2 |
|
| МГц |
Габаритный чертеж корпуса
Силовые полупроводниковые приборы, защитные компоненты и промышленные решения в области электропитания.
