комплементарные силовые кремниевые транзисторы 2N3055/MJ2955
Совет: укажите артикул, требуемые напряжение/ток и условия применения.
Загрузки и технические файлы
ОПИСАНИЕ
2N3055 — это кремниевый планарный NPN-транзистор с эпитаксиальной базой, установленный в металлический корпус JEDEC TO-3.
Он предназначен для схем силовой коммутации, последовательных и параллельных стабилизаторов, выходных каскадов и усилителей высокой верности.
Комплементарным PNP-типом является MJ2955.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( Ta = 25 OC)
Параметр | l | Значение | Ед. изм. |
Напряжение коллектор-база | VCBO | 100 | V |
Напряжение коллектор-эмиттер | VГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР | 60 | V |
Напряжение эмиттер-база | VEBO | 7 | V |
Ток коллектора | IC | 15 | A |
Ток базы | IB | 7 | A |
Полная рассеиваемая мощность при | Pобщ. | 115 | W |
Макс. рабочая температура перехода | Tj | 150 | oC |
Температура хранения | Tstg | 0 | oC |
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( Ta = 25 OC)
Параметр | Обозначение | Испытание Условия | Мин. | Тип. | Макс. | Ед. изм. |
Ток отсечки коллектора | IГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР | VCE=50 В, IB=0 | — | — | 0.7 | мА |
Ток отсечки эмиттера | IEBO | VEB=7 В, IC=0 | — | — | 5.0 | мА |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | VГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР | IC=100 мА, IB=0 | 60 | — | — | V |
Коэффициент усиления по постоянному току | hFE(1) | VCE=4,0 В, IC=4,0 А | 30 | — | 70 |
|
hFE(2) | VCE=4,0 В, IC=10A | 15 | — |
|
| |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | VCE(sat) | IC=4,0 А, IB=400 мА | — | — | 1.0 |
V |
IC=10 А, IB=3,3 А | — | — | 3.0 | |||
Напряжение включения база-эмиттер | VBE(вкл.) | VCE=4 В, IC=4,0 А | — | — | 1.8 | V |
Произведение тока на коэффициент передачи по полосе | fT | VCE=4,0 В, IC=500 мА | — | 3.0 | — | МГц |
Для получения дополнительной информации о2N3055/MJ2955пожалуйста, скачайте PDF-файл выше под названием «2N3055-MJ2955-E PST»
.jpg)
.jpg)
.jpg)
Силовые полупроводниковые приборы, защитные компоненты и промышленные решения в области электропитания.
