ВИЗУАЛЬНЫЙ ОБЗОР ПРОДУКТА01 / ГАЛЕРЕЯ
.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
2.jpg)
СИЛОВОЙ КОМПОНЕНТ
YZPST-G100HF120D1 (YZPST-2MBI100XAA-120-50)
✓Техническая информация о продукте✓Подбор с учетом сферы применения✓Запрос по каталогу и требованиям
Эл. почтаinfo@yzpst.net
Телефон+86 138 0527 8321
Совет: укажите артикул, требуемые напряжение/ток и условия применения.
ЦЕНТР ДОКУМЕНТАЦИИ
Загрузки и технические файлы
Модуль IGBT 1200В 100А P/N:YZPST-G100HF120D1 (YZPST-2MBI100XAA-120-50)
Особенности:
1200В 100А, VCE(sat)(тип.)=3,0 В, конструкция с низкой индуктивностью
Меньшие потери и более высокая энергия
Сверхбыстрая коммутация
Отличная стойкость к короткому замыканию
Области применения:
Вспомогательный инвертор
Индукционный нагрев и сварка
Системы ИБП
Предельно допустимые абсолютные значения параметров IGBT
| VCES | Напряжение коллектор-эмиттер | 1200 | V | |
| VGES | Непрерывное напряжение затвор-эмиттер | ±30 | V | |
| TC = 25°C | 200 | |||
| IC | Непрерывный ток коллектора | TC = 100°C | 100 | A |
| ICM | Импульсный ток коллектора | TJ = 150°C | 200 | A |
| PD | Максимальная рассеиваемая мощность (IGBT) | TC = 25°C, | 430 | W |
| tsc | > 10 | мкс | ||
| Время выдержки короткого замыкания | ||||
| Максимальная температура p-n-перехода IGBT | 150 | °C | ||
| TJ | ||||
| TJOP | ||||
| Диапазон максимальной рабочей температуры перехода | -40 до +150 | °C | ||
| Tstg | Диапазон температуры хранения | -40 до +125 | °C | |
| VRRM | Повторяющееся пиковое обратное напряжение. Предварительные данные | 1200 | V | |
| TC = 25°C | 200 | |||
| IF | Непрерывный прямой ток диода | TC = 100°C | 100 | A |
| IFM | Максимальный прямой ток диода | 200 | A | |
Предельно допустимые абсолютные значения параметров свободновращающегося диода
| VRRM | Предварительные данные о повторяющемся пиковом обратном напряжении | 1200 | V | |
| TC = 25°C | 200 | |||
| IF | Непрерывный прямой ток диода | TC = 100°C | 100 | A |
| IFM | Максимальный прямой ток диода | 200 | A | |
Характеристики переключенияIGBT
| td(on) | TJ = 25°C | 30 | |||||
| Время задержки включения | нс | ||||||
| TJ = 125°C | 35 | ||||||
| TJ = 25°C | 50 | ||||||
| tr | Время нарастания при включении | TJ = 125°C | 55 | нс | |||
| TJ = 25°C | 380 | ||||||
| td(off) | Время задержки при выключении | TJ = 125°C | 390 | нс | |||
| TJ = 25°C | 110 | ||||||
| tf | Время спада при выключении | TJ = 125°C | 160 | нс | |||
| VCC = 600В | TJ = 25°C | 4.6 | |||||
| Eon | Потери при переключении при включении | IC = 100А | TJ = 125°C | 5.7 | мДж | ||
| RG = 5,6 Ом | TJ = 25°C | 3.1 | |||||
| Eoff | Потери при выключении | VGE = ±15В | TJ = 125°C | 5.1 | мДж | ||
| Qg | Полный заряд затвора | Индуктивная нагрузка | TJ = 25°C | 870 | нКл | ||
| Rgint | Встроенный резистор затвора | f = 1М; | TJ = 25°C | 1.9 | Ом | ||
| Vpp = 1 В | |||||||
| Cies | Входная ёмкость | TJ = 25°C | 8 | ||||
| VCE = 25В | |||||||
| Coes | Выходная ёмкость | VGE = 0 В | TJ = 25°C | 1.35 | нФ | ||
| Cres | Обратной передачи | f = 1 МГц | TJ = 25°C | 0.81 | |||
| ёмкость | |||||||
| RθJC | Тепловое сопротивление переход-корпус (IGBT) | 0.29 | °C/Вт | ||||
Корпус Габариты
.jpg)
Дополнительная информация о продукте отсутствует.
.jpg)
.jpg)
Силовые полупроводниковые приборы, защитные компоненты и промышленные решения в области электропитания.
Подписывайтесь на YZPST
