.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
YZPST-GD450HFX170C6S модуль IGBT
Совет: укажите артикул, требуемые напряжение/ток и условия применения.
Загрузки и технические файлы
Модуль IGBT
YZPST-450HFX170C6S
1700 В/450 А, 2 в одном корпусе
Общее описание
Силовой IGBT-модуль обеспечивает сверхнизкие потери проводимости, а также высокую стойкость к короткому замыканию.
низкие потери проводимости, а также высокая стойкость к короткому замыканию.
Они предназначены для таких применений, как
обычные инверторы и ИБП.
Особенности
технология Trench IGBT с низким VCE(sat)
стойкость к короткому замыканию в течение 10 мкс
VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
максимальная температура перехода 175°C
корпус с низкой индуктивностью
быстрое и мягкое обратное восстановление анти-параллельного FWD
Изолированная медная основание-плита с использованием технологии DBC
Типичное Области применения
Инвертор для привода двигателя
Усилитель сервопривода переменного и постоянного тока
Источник бесперебойного питания
IGBT
Обозначение | Описание | Значение | Ед. изм. |
VCES | Напряжение коллектор-эмиттер | 1700 | V |
VGES | Напряжение затвор-эмиттер | ±20 | V |
IC | Ток коллектора @ TC=25oC @ TC=100oC | 706 450 | A |
ICM | Импульсный ток коллектора tp=1 мс | 900 | A |
PD | Максимальная рассеиваемая мощность @ T=175oC | 2542 | W |
Диод
Обозначение | Описание | Значение | Ед. изм. |
VRRM | Повторяющееся пиковое обратное напряжение | 1700 | V |
IF | Непрерывный прямой ток диода | 450 | A |
IFM | Максимальный прямой ток диода tp=1 мс | 900 | A |
Модуль
Обозначение | Описание | Значение | Ед. изм. |
Tjmax | Максимальная температура перехода | 175 | °C |
Tjop | Рабочая температура p-n-перехода | от -40 до +150 | °C |
TSTG | Диапазон температуры хранения | от -40 до +125 | °C |
VISO | Напряжение изоляции RMS, f=50 Гц, t=1 мин | 4000 | V |
IGBT характеристики TC=25°C, если не указано иное
| Обозначение | Параметр | Условия испытаний | Мин. | Тип. | Макс. | Ед. изм. |
| IC=450A,VGE=15V, Tj=25oC | 1.85 | 2.2 | ||||
| VCE(sat) | Коллектор — эмиттер | IC=450A,VGE=15V, Tj=125oC | 2.25 | V | ||
| Напряжение насыщения | IC=450A,VGE=15V, Tj=150oC | 2.35 | ||||
| VGE(th) | Пороговое напряжение затвор-эмиттер Напряжение | IC= 18.0mA,VCE=VGE, Tj=25oC | 5.6 | 6.2 | 6.8 | V |
| ICES | коллектор Отсечка-Выключено | VCE=VCES,VGE=0В, | 5 | мА | ||
| Ток | Tj=25oC | |||||
| IGES | Ток утечки затвор-эмиттер Ток | VGE=VGES,VCE=0В, Tj=25oC | 400 | нА | ||
| RGint | Внутреннее сопротивление затвораance | 1.67 | Ом | |||
| Cies | Входная ёмкость | VCE=25 В, f=1 МГц, | 54.2 | нФ | ||
| Cres | Обратной передачи | VGE=0V | 1.32 | нФ | ||
| ёмкость | ||||||
| QG | Заряд затвора | VGE=- 15…+15 В | 4.24 | μC | ||
| td(on) | Время задержки включения | 179 | нс | |||
| tr | Время нарастания | 105 | нс | |||
| td(выкл.) | Выключение Время задержки | VCC=900 В, IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15 В, Tj=25oC | 680 | нс | ||
| tf | Время спада | 375 | нс | |||
| Eon | Включение Коммутационная | 116 | мДж | |||
| Потери | ||||||
| Eвыкл. | Характеристики выключения | 113 | мДж | |||
| Потери | ||||||
| td(on) | Время задержки включения | 208 | нс | |||
| tr | Время нарастания | 120 | нс | |||
| td(выкл.) | Выключение Время задержки | VCC=900 В, IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15 В, Tj= 125oC | 784 | нс | ||
| tf | Время спада | 613 | нс | |||
| Eon | Включение Коммутационная | 152 | мДж | |||
| Потери | ||||||
| Eвыкл. | Характеристики выключения | 171 | мДж | |||
| Потери | ||||||
| td(on) | Время задержки включения | 208 | нс | |||
| tr | Время нарастания | 120 | нс | |||
| td(выкл.) | Выключение Время задержки | VCC=900 В, IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15 В, Tj= 150oC | 800 | нс | ||
| tf | Время спада | 720 | нс | |||
| Eon | Включение Коммутационная | 167 | мДж | |||
| Потери | ||||||
| Eвыкл. | Характеристики выключения | 179 | мДж | |||
| Потери | ||||||
| tP≤10 мкс, ВGE=15V, | ||||||
| ISC | Данные SC | Tj=150oC, ВCC= 1000 В, VCEM≤1700 В | 1800 | A |
Диод характеристики TC=25°C, если не указано иное
| Обозначение | Параметр | Условия испытаний | Мин. | Тип. | Макс. | Ед. изм. |
| Прямое падение напряжения на диоде | IF=450A,VGE=0V,Tj=25oC | 1.8 | 2.25 | |||
| VF | Напряжение | IF=450A,VGE=0V,Tj= 125oC | 1.95 | V | ||
| IF=450A,VGE=0V,Tj= 150oC | 1.9 | |||||
| Qr | Восстановленный заряд | VR=900 В, IF=450A, | 105 | μC | ||
| IRM | Пиковое обратное | -di/dt=4580A/μs,VGE=- 15 В Tj=25oC | 198 | A | ||
| ток восстановления | ||||||
| Eвосст. | Время обратного восстановленияэнергия | 69 | мДж | |||
| Qr | Восстановленный заряд | VR=900 В, IF=450A, | 187 | μC | ||
| IRM | Пиковое обратное | -di/dt=4580A/μs,VGE=- 15 В Tj= 125oC | 578 | A | ||
| ток восстановления | ||||||
| Eвосст. | Время обратного восстановленияэнергия | 129 | мДж | |||
| Qr | Восстановленный заряд | VR=900 В, IF=450A, | 209 | μC | ||
| IRM | Пиковое обратное | -di/dt=4580A/μs,VGE=- 15 В Tj= 150oC | 585 | A | ||
| ток восстановления | ||||||
| Eвосст. | Время обратного восстановленияэнергия | 150 | мДж |
Габаритные размеры корпуса
.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
Силовые полупроводниковые приборы, защитные компоненты и промышленные решения в области электропитания.
