YZPST-300HF120TK-G2

YZPST-300HF120TK-G2

IGBT-модуль 300 А 1200 В

ОСОБЕННОСТИ
Высокая стойкость к короткому замыканию, самоограничение тока КЗ
IGBT-чип (технология Trench + Field Stop)
VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
Быстрое переключение и короткий хвостовой ток, низкие потери при переключении
Диоды свободного хода с быстрым и мягким обратным восстановлением
Встроенный датчик температуры
ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ
Применение в высокочастотных переключающих схемах
Медицинское оборудование
Приводы движения/сервоуправления
Системы ИБП

ПРЕДЕЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ЗНАЧЕНИЯ TC=25°C, если не указано иное иначе

Обозначение	Параметр	Условия испытаний	Значения	Ед. изм.
IGBT
VCES	Напряжение коллектор - эмиттер	TVj=25°C	1250	V
VGES	Напряжение затвор - эмиттер		±30	V
IC	Постоянный ток коллектора	TC=25°C	450	A
		TC=80°C	300	A
ICM	Повторяющийся пиковый ток коллектора	tp=1 мс	600	A
Pобщ.	Рассеиваемая мощность на IGBT		2083	W
Диод
VRRM	Повторяющееся обратное напряжение	TVj=25°C	1250	V
IF(AV)	Средний прямой ток	TC=25°C	450	A
		TC=80°C	300	A
IFRM	Повторяющийся пиковый прямой ток	tp=1 мс	600	A

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ТЕПЛОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИTC=25°C, если не указано иное

Обозначение	Параметр	Условия испытаний			Мин.	Тип.	Макс.	Ед. изм.
IGBT
VGE(th)	Управляющий электрод - Эмиттер Пороговое значение Напряжение	VCE=VGE, IC=2,0 мА			5.0		6.8	V
VCE(sat)	Коллектор — эмиттер	IC=300 А, ВGE=15 В, TVj=25°C				2.2	2.6	V
	Напряжение насыщения	IC=300 А, ВGE=15 В, TVj=125 °C				2.65		V
ICES	Ток утечки коллектора	VCE=1250 В, ВGE=0 В, TVj=25°C					1	мА
		VCE=1250 В, ВGE=0 В, TVj=125 °C					5	мА
Rgint	Встроенный резистор затвора	На один ключ				5		Ом
IGES	Ток утечки затвора	VCE=0V,VGE±15V, TVj=125 °C			-500		500	нА
Cies	Входная ёмкость	VCE=25V, VGE=0V, f =1MHz				21.3		нФ
Cres	Обратная передаточная ёмкость					1.42		нФ
td(вкл.)	Время задержки включения	VCC=600V,IC=300А,		TVj=25°C		393		нс
		RG =3.3Ом,		TVj=125 °C		395		нс
tr	Время нарастания	VGE=±15 В,		TVj=25°C		130		нс
		Индуктивная нагрузка		TVj=125 °C		135		нс
td(выкл.)	Время задержки выключения	VCC=600V,IC=300А,		TVj=25°C		570		нс
		RG =3.3Ом,		TVj=125 °C		600		нс
tf	Время спада	VGE=±15 В,		TVj=25°C		145		нс
		Индуктивная нагрузка		TVj=125 °C		155		нс
Eon	Энергия включения	VCC=600V,IC=300А,		TVj=25°C		7.7		мДж
		RG =3.3Ом,		TVj=125 °C		14.5		мДж
Eвыкл.	Энергия выключения	VGE=±15 В,		TVj=25°C		26.3		мДж
		Индуктивная нагрузка		TVj=125 °C		33.5		мДж
ISC	Ток короткого замыкания	tpsc≤10µS , VGE=15V TVj=125°C,VCC=900 В				2100		A
RthJC	Тепловое сопротивление переход–корпус(на IGBT)						0.07	К/Вт
Диод
VF	Прямое напряжение	IF=300A , VGE=0 В, TVj=25°C				1.82	2.25	V
		IF=300A , VGE=0 В, TVj=125 °C				2.0		V
Qrr	Обратный заряд	IF=300A , VR=600V				40		мкКл
IRRM	Макс. ток обратного восстановления	diF/dt=-2360A/μs				250		A
Eвосст.	Энергия обратного восстановления	TVj=125 °C				18.5		мДж
RthJCD	Тепловое сопротивление переход–корпус		(на диод)				0.12	К/Вт

Габаритный чертеж корпуса

Для получения дополнительной информации оYZPST-300HF120TK-G2Пожалуйста, скачайте PDF-файл выше с названием «YZPST-300HF120TK-G2»