YZPST-M1A025120L
Совет: укажите артикул, требуемые напряжение/ток и условия применения.
Загрузки и технические файлы
YZPST-M1A025120L
N-Канал SiC Рассеиваемая мощность MOSFET
Особенности
Высокое блокирующее напряжение при низком сопротивлении в открытом состоянии
Высокоскоростное переключение при низкой емкости
Легко подключается параллельно и прост в управлении
Преимущества
Повышает эффективность системы
Снижает требования к охлаждению
Повышенная плотность мощности
Повышает частоту переключения системы
Области применения
Источники питания
Высоковольтные DC/DC-преобразователи
Приводы двигателей
Импульсные источники питания
Импульсные силовые применения
Предельные параметры (TC = 25 ℃, если не указано иное)
| Символ | Параметр | Значение | Ед. изм. | Условия испытаний | Примечание |
| VDSmax | Напряжение сток-исток | 1200 | V | VGS = 0 В, ID = 100 мкА | |
| VGSmax | Напряжение затвор-исток | -0.4 | V | Абсолютные предельные значения | |
| VGSop | Напряжение затвор-исток | -0.25 | V | Рекомендуемые рабочие параметры | |
| ID | Непрерывный ток стока | 65 | A | VGS = 20 В, Tc = 25 °C | |
| 43 | VGS=20V, Tc=100C | ||||
| ID(имп.) | Импульсный ток стока | 200 | A | Длительность импульса, ограниченная TJmax | |
| PD | Рассеиваемая мощность | 370 | W | Tc=25C, TJ=150C | |
| TJ, TSTG | Рабочая температура p-n-перехода и температура хранения | -55 до +150 | C | ||
| температура |
Электрические характеристики (TC=25C, если не указано иное)
| Обозначение | Параметр | Мин. | Тип. | Макс. | Ед. изм. | Условия испытаний | Примечание |
| V(BR)DSS | Напряжение пробоя сток-исток | 1200 | / | / | V | VGS = 0 В, ID = 100 мкА | |
| VGS(th) | Пороговое напряжение затвора | 1.9 | 2.4 | 4 | V | VDS=VGS, ID=15mA | Рис. 11 |
| / | 1.7 | / | VDS=VGS, ID=15mA, TJ=150C | ||||
| IDSS | Ток стока при нулевом напряжении затвора | / | 1 | 100 | µA | VDS=1200V, VGS=0V | |
| IGSS+ | Ток утечки затвор-исток | / | 10 | 250 | нА | VDS=0V, VGS=25V | |
| IGSS- | Ток утечки затвор-исток | / | 10 | 250 | нА | VDS=0V, VGS=-10V | |
| RDS(on) | Сопротивление сток-исток в открытом состоянии | / | 25 | 34 | мОм | VGS=20V, ID=50A | Рис. |
| / | 43 | / | VGS=20V, ID=50A, TJ=150C | 4,5,6 | |||
| Ciss | Входная ёмкость | / | 4200 | / | VGS=0 В | Рис. | |
| Coss | Выходная ёмкость | / | 250 | / | пФ | VDS=1000 В | 15,16 |
| Crss | Проходная ёмкость | / | 16 | / | f=1MHz | ||
| Eoss | Запасённая энергия Coss | / | 126 | / | µJ | VAC=25 мВ | |
| EON | Энергия включения | / | 1.8 | / | Дж | VDS=800V, VGS=-5V/20V ID=50A, RG(ext)=2.5Ω, L=412μH | |
| EOFF | Энергия выключения | / | 0.6 | / | |||
| td(on) | Время задержки включения | / | 15 | / | |||
| tr | Время нарастания | / | 12 | / | нс | VDS=800V, VGS=-5V/20V, ID=50A RG(ext)=2.5Ω, RL=16Ω | |
| td(off) | Время задержки выключения | / | 34 | / | |||
| tf | Время спада | / | 7 | / | |||
| RG(int) | Внутреннее сопротивление затвора | / | 2.1 | / | Ом | f=1MHz, VAC=25mV | |
| исток-затвор | Заряд затвор-исток | / | 54 | / | VDS=800 В | ||
| GD | Заряд затвор-сток | / | 29 | / | нКл | VGS=-5V/20V | |
| G | Полный заряд затвора | / | 195 | / | ID=50A |
Если у вас есть другие запросы по аналогичным SiC-продуктам, свяжитесь с нами прямо сейчас.
Мы предоставим вам полный перечень SiC-продуктов.
Силовые полупроводниковые приборы, защитные компоненты и промышленные решения в области электропитания.
