YZPST-S4A010120A
Совет: укажите артикул, требуемые напряжение/ток и условия применения.
Загрузки и технические файлы
P/N:YZPST-S4A010120Диод Шоттки из SiC
Кремний карбид Шоттки Диод
Особенности
Нулевой ток обратного восстановления
Нулевое прямое восстановительное напряжение
Положительный температурный коэффициент VF
Коммутация, не зависящая от температуры
175°C температура перехода в рабочем режиме
Преимущества
Замена биполярного прибора униполярным
Уменьшение размера радиатора
Параллельное включение без теплового разгона
Практически без потерь при переключении
Применениеции
Импульсные источники питания
Коррекция коэффициента мощности
Привод двигателя, фотоэлектрический инвертор, ветроэнергетическая станция
Макс.Максимум предельные значения
| Обозначение | Параметр | Значение | Ед. изм. | Условия испытаний | Примечание |
| VRRM | Повторяющееся пиковое обратное напряжение | 1200 | V | TC = 25°C | |
| VRSM | Импульсное пиковое обратное напряжение | 1200 | V | TC = 25°C | |
| VR | Постоянное блокирующее напряжение | 1200 | V | TC = 25°C | |
| 30 | TC ≤ 25 °C | ||||
| IF | Прямой ток | 14 | A | TC ≤ 135 °C | |
| 10 | TC ≤ 150 °C | ||||
| IFSM | Неповторяющийся прямой импульсный ток | 95 | A | TC = 25 °C, tp = 8,3 мс, полусинусоидальная волна | |
| Ptot | Рассеиваемая мощность | 150 | W | TC = 25°C | Рис. 3 |
| TC | Максимальная температура корпуса | 150 | C | ||
| TJ, TSTG | Температура перехода при работе и хранения | от -55 до 175 | C | ||
| Момент затяжки крепления TO-220 | 1 | Н·м | Винт M3 |
Электрические Характеристики
| Обозначение | Параметр | Тип. | Макс. | Ед. изм. | Условия испытаний | Примечание |
| VF | Прямое напряжение | 1.55 | 1.8 | V | IF = 10 А, TJ = 25 °C | Рис. 1 |
| 2.2 | 2.5 | IF = 10 А, TJ = 175 °C | ||||
| Обратный ток | 2 | 20 | µA | VR = 1200 В, TJ = 25 °C | Рис. 2 | |
| IR | 10 | 200 | VR = 1200 В, TJ = 175 °C | |||
| 650 | VR = 0 В, TJ = 25 °C, f = 1 МГц VR = 400 В, TJ = 25 °C, f = 1 МГц VR = 800 В, TJ = 25 °C, f = 1 МГц | |||||
| C | Общая ёмкость | 49 | / | пФ | Рис. 5 | |
| 40 | ||||||
| Полный заряд емкости | / | нКл | VR = 800 В, IF = 10 А | Рис. 4 | ||
| C | 29 | di/dt = 200 А/мкс, TJ = 25 °C |
Если у вас есть другие запросы по аналогичным SiC-продуктам, свяжитесь с нами прямо сейчас.
Мы предоставим вам полный перечень SiC-продуктов.
Силовые полупроводниковые приборы, защитные компоненты и промышленные решения в области электропитания.
