YZPST-S4A010120A

Символ

Параметr

Значe

UЕд.

TТест Условия

NПрим.

vRRM

Повторяющееся пиковое Обратное Напряжение

1200

V

TC = 25C

vRSM

Импульсный Пиковое обратное напряжение

1200

V

TC = 25C

vR

Блокировка по постоянному токуинг Напряжение

1200

V

TC = 25C

 IF

 Прямой токt

30

14

10

 A

TC ≤ 25C

TC ≤ 135C

TC ≤ 150C

IFSM

Нерепетитная Прямой Импульсный Ток

95

A

TC = 25C, tp = 8.3ms, полусинусоидальная волна

Pобщ.

Рассеиваемая мощность

150

W

TC = 25C

Рис..3

TC

Максимуm Корпус температура

150

C

TДж , TSTG

Oрабоч Переход и хранения температура

-55 до 175

C

TO-220 Н·м момент затяжки

1

Н·м

Винт M3w

Символ

Параметr

Тип.

Макс.

UЕд.

TТест Условия

NПрим.

VF

Прямое напрtage

1.55

2.2

1.8

2.5

V

IF = 10A, TДж = 25C

IF = 10A, TДж 175C

Рис..1

 IR

Обратный токt

2

10

20

200

µA

VR = 1200V, TДж = 25C

VR = 1200V, TДж 175C

Рис..2

 C

Общая ёмкость

650

49

40

 /

pF

VR = 0V, TДж = 25C, f = 1МГц ВR = 400V, TДж = 25C, f = 1МГц ВR = 800V, TДж = 25C, f = 1МГц

Рис..5

Общая Ёмкостный заряд

29

/

nC

VR = 800V, IF = 10A

di/dt = 200A/µs, TДж = 25C

Рис..4