.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
YZPST-IDW20G120C5BFKSA1 (YZPST-RD20120T)
Совет: укажите артикул, требуемые напряжение/ток и условия применения.
Загрузки и технические файлы
YZPST-IDW20G120C5BFKSA1 (YZPST-RD20120T)
SiC-диод Шоттки Диод
Особенности
Нулевое прямое восстановительное напряжение
Нулевой ток обратного восстановления
Отличная способность выдерживать импульсный ток
Коммутация, не зависящая от температуры
Положительный температурный коэффициент VF
Работа на высокой частоте
Преимущества
Повышенная плотность мощности
Практически без коммутационных потерь
Снижение требований к радиатору
Более высокий КПД
Сниженные EMI
Области применения
Источники бесперебойного питания
Импульсные источники питания
Коррекция коэффициента мощности
Драйверы двигателей
Предельные параметры (Tj=25℃, если не указано иное)
Обозначение | Параметр | Условия испытаний | Значение | Ед. изм. |
VRRM | Повторяющийся пик обратное напряжение |
| 1200 | V |
VRSM | Импульсный Пиковое обратное напряжение |
| 1200 | V |
IF | Непрерывный прямой ток | TC=25°C TC=155°C | 35*/70** 10*/20** | A |
IFSM | Неповторяющийся прямойимпульсный ток | TC=25°C , tp=10ms, Полусинусоидальная волнаve | 105* | A |
IFRM | Повторяющееся пиковое Прямой импульсный ток Ток | TC=25°C , tp=10ms, Полусинусоидальная волна | 60* | A |
∫i2dt | i2t значение | TC=25°C , tp=10мс | 55.1* | A2S |
Pобщ. | Рассеиваемая мощность | TC=25°C TC=110°C | 197* 85* | W |
Tj | Температура перехода при работеrature |
| -55~175 | °C |
Tstg | Температура хранения |
| -55~175 | °C |
Габаритные чертежи корпусов
.jpg)
.jpg)
-3.jpg)
.jpg)
Силовые полупроводниковые приборы, защитные компоненты и промышленные решения в области электропитания.
