YZPST-BTA12-800BW
Совет: укажите артикул, требуемые напряжение/ток и условия применения.
Загрузки и технические файлы
YZPST-BTA12-800BW
Структура с одним меза BTA12-800BW 800V симистор TO-220A
●Характеристики продукта
Однородная меза-структура (Single Mesa),
Процесс стеклянной пассивации на пластине,
Стабильность по напряжению
Способность выдерживать сильные импульсные токи
Подходящая модель: BTA12
Основное назначение
Стиральные машины, выпрямители для волос
Твердотельное реле, управление скоростью двигателя переменного тока
●Корпус
TO-220A
Основная характеристика (Tj=25℃)
Обозначение | Значение | Ед. изм. |
IT (RMS) | 12 | A |
VDRM / VRRM | 600/800 | V |
VTM | 1.55 | V |
Предельные значения (абсолютные максимально допустимые параметры)
Обозначение | Параметр | Значение | Ед. изм. |
ITSM | Пиковое неповторяющееся импульсное прямое состояние Ток (tp=10 мс) | 115 | A |
I2t | (tp=10 мс) | 70 | A²·с |
dI/dt | IG=2IGT，tr≤100 нс, Tj=125℃ | 50 | А/ мкс |
IGM | Пиковый ток затвора (tp=20 мкс) | 4 | A |
PG(AV) | Средняя мощность затвора | 1 | W |
Tstg Tj | Температура хранения Рабочая температура перехода | -40--+150 -40—+125 | ℃ |
Тепловые сопротивления
| Обозначение | ||||
| Параметр | Значение | Ед. изм. | ||
| TO-220A | 2.3 | |||
| Rth (j-c) | Переход-корпус | TO-220B/TO-220C | 1.4 | ℃/Вт |
| TO-220F | 3.9 |
Электрические характеристики (Tj=25℃, если не указано иное)
| Обозначение | Условия испытаний | Значение | Ед. изм. | ||||||
| TW | SW | CW | BW | C | B | ||||
| IGT | VD=12V, RL=30Ом | ⅠⅡⅢ | ≤5 | ≤10 | ≤25 | ≤50 | ≤25 | ≤50 | мА |
| Ⅳ | ---- | ---- | ---- | ---- | ≤50 | ≤100 | |||
| IDRM | VD=VDRM | Tj=25℃ | ≤5 | μA | |||||
| Tj=125℃ | ≤1 | мА | |||||||
| IRRM | VD=VRRM | Tj=25℃ | ≤5 | μA | |||||
| Tj=125℃ | ≤1 | мА | |||||||
| ⅠⅢ | ≤10 | ≤25 | ≤50 | ≤70 | ≤40 | ≤50 | |||
| IL | IG=1.2IGT | Ⅳ | ---- | ---- | ---- | ---- | ≤40 | ≤50 | мА |
| Ⅱ | ≤15 | ≤30 | ≤60 | ≤80 | ≤80 | ≤100 | |||
| VGT | VD=12V ,RL=30Ом | ≤1.3 | V | ||||||
| VGD | VD=VDRM, Tj=125℃RL=3,3 кОмОм | ≥0.2 | V | ||||||
| VTM | ITM=17A,tp=380μs | 1.55 | V | ||||||
| IВ | VD=12V ，IT=200mA | ≤20 | ≤25 | ≤35 | ≤50 | ≤25 | ≤50 | мА | |
| dV/dt | VD=67%VDRM, | ≥40 | ≥ | ≥ | ≥ 1000 | ≥ | ≥400 | v/ μs | |
| GateOpen, Tj=125℃ | 100 | 400 | 200 | ||||||
Обозначение корпус
.jpg)
.jpg)
Силовые полупроводниковые приборы, защитные компоненты и промышленные решения в области электропитания.
