YZPST-G15N65T
Совет: укажите артикул, требуемые напряжение/ток и условия применения.
Загрузки и технические файлы
Максимальная температура перехода 150°C
Высокое напряжение пробоя до 650 В для повышения надежности
С защитой от короткого замыкания
Очень низкое напряжение насыщения:
VCE(SAT) = 1,65 В (тип.) при IC = 15 А
Мягкие формы отключения тока
VCE | 650 | V |
IC | 15 | A |
VCE(SAT) IC=15A | 1.65 | V |
Применение в системах мягкой коммутации
Кондиционирование воздуха
Инвертор привода двигателя
Изделие | Корпус | Упаковка |
YZPST-15N65T1 | TO-220 | Трубка |
YZPST-15N65T1 | TO-263 | Трубка |
YZPST-15N65T1 | TO-220F | Трубка |
Параметр | Обозначение | Значение | Ед. изм. |
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | VCE | 650 | V |
Постоянный ток коллектора, ограниченный Tjmax TC = 25°C TC = 100°C | IC |
30
15
| A |
Прямой ток диода, ограниченный Tjmax TC = 25°C TC = 100°C | IF |
30
15
| A |
Непрерывное напряжение затвор-эмиттер | VGE | ±20 | V |
Импульсное напряжение затвор-эмиттер | VGE | ±30 | V |
Безопасная область работы при выключении VCE ≤650 В, Tj ≤ 150°C | - | 60 | A |
Импульсный ток коллектора, VGE=15 В, tp ограничено Tjmax | ICM | 45 | A |
Время выдержки короткого замыкания, VGE=15 В, VCE≤ 400 В | Tsc | 5 | мкс |
Рассеиваемая мощность TO-220F, Tj=25℃ | Ptot | 27 | W |
Рассеиваемая мощность TO-220, TO-263, Tj=25℃ | Ptot | 105 | W |
Рабочая температура p-n перехода | Tj | -40...+150 | °C |
Температура хранения | Ts | -55...+150 | °C |
Температура пайки, пайка волной, 1,6 мм (0,063 дюйма) от корпуса в течение 10 с | - | 260 | °C |
Тепловое сопротивление
Параметр | Обозначение | TO-220, TO-263 | TO-220F | Ед. изм. |
Тепловое сопротивление IGBT, переход - корпус | Rθ(j-c) | 1.2 | 4.9 | К/Вт |
Тепловое сопротивление диода, переход - корпус | Rθ(j-c) | 2.38 | 5.8 | К/Вт |
Тепловое сопротивление, переход - окружающая среда | Rθ(j-a) | 62.5 | К/Вт | |
Электрические характеристики IGBT (Tj = 25℃, если не указано иное)
| Обозначение | Параметр | Условия испытаний | Мин. | Тип. | Макс. | Единицы измерения |
Статические характеристики (проверено на пластинах) | ||||||
BVCES | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение | VGE = 0 В, IC = 1 мА | 650 | - | - | V |
VCE(SAT) | Насыщение коллектор-эмиттер Напряжение | IC = 15 А, VGE = 15 В | - | 1.65 | 1.95 | V |
VGE(th) | Пороговое напряжение затвор-эмиттер | VGE = VCE, IC = 250 мкА | 4.1 | 5.0 | 5.7 | V |
ICES | Ток отсечки коллектора | VCE = 650V, VGE = 0V | - | - | 25 | мкА |
IGES | Ток утечки затвор-эмиттер | VGE = ±20V, VCE = 0V | - | - | ±200 | нА |
gfs | Крутизна | VCE=20V, IC=15A | - | 10 | - | S |
Параметр | Обозначение | Условия | Мин. | Тип | Макс. | Ед. изм. |
Динамические | ||||||
Входная емкость | Cies | VCE = 25V, VGE = 0V, | - | 990 | - | пФ |
Выходная емкость | Coes | - | 56 | - | ||
Обратная проходная емкость | Cres | - | 30 | - | ||
Заряд затвора | QG | VCC = 480V, IC = 15A, VGE = 15V | - | 92 | - | нКл |
Ток коллектора при коротком замыкании | IC（SC） | VGE=15V,tSC≤5us VCC=400V, | - | 98 | - | A |
| Параметр | Обозначение | Условия | Мин. | Тип. | Макс. | Ед. изм. |
Динамические | ||||||
Время задержки включения | td(on) | Tj=25°C VCC = 400V, IC = 15A, VGE = 0/15V, Rg=12Ω | - | 15 | - | нс |
Время нарастания | tr | - | 25 | - | нс | |
Время задержки выключения | td(off) | - | 60 | - | нс | |
Время спада | tf | - | 46 | - | нс | |
Энергия включения | Eon | - | 0.75 | - | мДж | |
Энергия выключения | Eoff | - | 0.1 | - | мДж | |
| Параметр | Обозначение | Условия | Мин. | Тип | Макс. | Ед. изм. |
Динамические | ||||||
Прямое падение напряжения на диоде | VFM | IF = 15A | - | 1.7 | - | V |
Время обратного восстановления | Trr | IF= 15A VR = 300V, | - | 50 | - | нс |
Обратный ток восстановления | Irr | - | 4 | - | A | |
Заряд обратного восстановления | Qrr | - | 83 | - | нКл | |
.jpg)
.jpg)
.jpg)
Силовые полупроводниковые приборы, защитные компоненты и промышленные решения в области электропитания.
