YZPST-P015PJE120AT1B1

Обозначение

Описание

Условия

Значения

Ед. изм.

Мин.

Тип.

Макс.

VcE(sat)

Насыщение коллектор-эмиттер Напряжение

VGE=15 В,Ic=15 А,TU=25℃

---

2.12

---

V

VGE=15 В,Ic=15 А,TU=125℃

---

2.48

--

V

VGEth)

Пороговое напряжение затвора Напряжение

VGE=VcE,Ic=0,48 мА

5.6

V

IcES

Отсечка коллектор-эмиттер Ток

VcE=1200V,VGE=0V

---

---

1

мА

GES

Ток утечки затвор-эмиттер Ток

VGE=20V,VcE=0V

---

---

100

нА

Cies

Входная ёмкость

VcE=25V,VGE=0V,f=1MHz

---

990

---

пФ

Coes

Выходная ёмкость

---

85

---

пФ

Cres

Обратной передачи Ёмкость

---

36

---

пФ

ta(on)

Задержка включения время

VcE=600V

VGE=±15V

Ic=15A

R₆=39Ω

Индуктивная нагрузки T₄=25℃

---

38

---

нс

t.

Включение нарастания время

---

25

---

нс

tdof)

Задержка выключения время

---

150

---

нс

t

Время спада при выключении

---

180

---

нс

Eon

Включение Потери при переключении

---

1.11

---

мДж

Eof

Переключение при выключении Потери

---

0.95

---

мДж

lsc

Короткое замыкание данные

VGE≤15В, Vcc=800В  tp≤10 мкс, TU=150℃

---

62

---

A

RithJC

TТепловое сопротивление, переход-к-корпусуe

За период IGBT

---

---

1.15

К/Вт

TvJop

Виртуальная температура переходатура

При переключении

-40

---

150

℃