YZPST-STW20NM60
Совет: укажите артикул, требуемые напряжение/ток и условия применения.
Загрузки и технические файлы
Особенности
Высокая надежность
Низкое RDS(ON) (тип. 0,22 Ом) при VGS=10 В
Низкий заряд затвора (тип. 84 нКл)
Улучшенная устойчивость dv/dt
100% испытано на лавинную стойкость
Применение: ИБП, зарядные устройства, блоки питания ПК, инверторы
Этот силовой MOSFET изготовлен с применением передовой технологии Promising Chip.
Эта технология позволяет силовому MOSFET иметь лучшие характеристики, включая быстрое время переключения, низкое сопротивление в открытом состоянии, низкий заряд затвора и особенно отличные лавинные характеристики.
Обозначение | Параметр | Значение | Ед. изм. |
VDSS | Напряжение сток-исток | 600 | V |
ID | Непрерывный ток стока (@Tc=25℃) | 20* | A |
Непрерывный ток стока (@Tc=100℃) | 12* | A | |
IDM | Импульсный ток стока | 78 | A |
VGS | Напряжение затвор-исток | ±30 | V |
EAS | Энергия одиночного импульса лавинного пробоя | 1284 | мДж |
EAR | Энергия повторяющихся импульсов лавинного пробоя | 97 | мДж |
dv/dt | Пиковое dv/dt восстановления диода | 5 | В/нс |
PD | Общая рассеиваемая мощность (@Tc=25℃) | 42.3 | W |
Коэффициент снижения параметров выше 25℃ | 0.32 | Вт/℃ | |
TSTG,TJ | Рабочая температура перехода и температура хранения | -55~+150 | ℃ |
TL | Максимальная температура вывода при пайке, 1/8 от корпуса в течение 5 секунд | 300 | ℃ |
*Ток стока ограничен температурой перехода Тепловые характеристики:
Обозначение | Параметр | Значение | Ед. изм. |
Rthjc | Тепловое сопротивление, переход–корпус | 3.1 | ℃/Вт |
Rthja | Тепловое сопротивление, переход–окружающая среда | 49 | ℃/Вт |
Характеристики обратного диода источник–сток:
Обозначение | Параметр | Условия испытаний | Мин. | Тип. | Макс. | Ед. изм. |
Is | Непрерывный ток источника | Встроенный p-n-переход обратного направления диод в MOSFET | 20 | A | ||
ISM | Импульсный ток источника | 80 | A | |||
VSD | Прямое падение напряжения на диоде | IS =20A VGS = 0V | 1.3 | V | ||
trr | Время обратного восстановления | IS =20A VGS = 0V dIF/dt = 100A/us | 494 | нс | ||
Qrr | Заряд обратного восстановления | 7.3 | uC |
YZPST может предоставить следующий список MOSFET
| Rds(on) мОм (тип.) при Vgs= | Qg | ||||||||||||
| MPN | Корпус | Тип | VDS (В) | Vgs | Ids | Pd | Vgs(th) | (нК) | Qgs | Qgd | |||
| （Тип） | (В) | (А) | (Вт) | макс. (В) | 10В 4,5В 2,5В (4,5 | (нК) | (нК) | ||||||
| 2301 | SOT23 | P | -20V | ±12 | -3A | 1W | -1V | 64мОм | 89мОм | 3.3 | 0.7 | 1.3 | |
| 2302 | SOT23 | N | 20V | ±10 | 2.9A | 1W | 1.2V | 30мОм | 37mОм | 4 | 0.65 | 1.2 | |
| 2305 | SOT23 | P | -20V | ±12 | -4.8A | 1.7W | -1V | 45мОм | 60mОм | 7.8 | 1.2 | 1.6 | |
| 3400 | SOT23 | N | 30V | ±12 | 5.8A | 1.4W | 1.4V | 28мОм | 31мОм | 45мОм | 9.5 | 1.5 | 3 |
| 3401 | SOT23 | P | -30V | ±20 | -4.2A | 1.2W | -1.3V | 50мОм | 64мОм | 95мОм | 9.5 | 2 | 3 |
| 10N03 | SOP8 | N | 30V | ±20 | 10A | 2.5W | 3V | 7.5мОм | 13 | 5.5 | 3.5 | ||
| 20N03 | TO-252 | N | 30V | ±20 | 20A | 60W | 3V | 28мОм | 15 | 2.9 | 3.2 | ||
| 30P03 | SOP8 | P | 30V | ±20 | -30A | 60W | 3V | ||||||
| 50N03 | TO-252 | N | 30V | ±20 | 50A | 60W | 3V | 5.9мОм | 23 | 7 | 4.5 | ||
| 60N03 | TO-252 | N | 30V | ±20 | 60A | 46.3W | 1.8 V | 3.3мОм | 20 | 6 | 2 | ||
| 80N03 | TO-252 | N | 30V | ±20 | 80A | 83W | 4.8мОм | 51 | 14 | 11 | |||
| 100N03 | TO-252 | N | 30V | ±20 | 100A | 110W | 3V | 4mОм | 100 | 25 | 45 | ||
| 60N04 | TO-252 | N | 40V | ±20 | 60A | 65W | 1.9V | 8.5мОм | 12.5mОм | 29 | 4.5 | 6.4 | |
| 4606 | SOP-8 | N+P | |||||||||||
| 3N06 | SOT-223 | N | 60V | ±20 | 3A | 1.7W | 1.4V | 105 мОм （МАКС） | 125 мОм （МАКС） | 6 | 1 | 1.3 | |
| 15P06 | TO-252 | P | |||||||||||
| 20N06 | TO-252 | N | 60V | ±20 | 20A | 40W | 3V | 37мОм | 12 | 4.1 | 4.5 | ||
| 25P06 | TO-252 | P | -60V | ±20 | -25A | 90W | -3.5V | 45мОм | 46 | 9.5 | 10.5 | ||
| 30N06 | TO-220/F | N | 60V | ±20 | 30A | 120W | 4V | 19мОм | 34 | 9.6 | 10.5 | ||
| 50N06 | TO-252 | N | 60V | ±20 | 50A | 120W | 4V | 19мОм | 34 | 9.6 | 10.5 | ||
| 110N06 | TO-220/F | N | 60V | ±20 | 110A | 120W | 2V | 5.2мОм | 113 | 14 | 54 | ||
| G1002 | TO-92 | N | 100V | ±20 | 2A | 1.1W | 2.5V | 185mОм | 5.2 | 0.75 | 1.4 | ||
| 5N10 | SOT223 | N | 100V | ±20 | 5A | 3W | 3V | 135mОм | 16 | 3.2 | 4.7 | ||
| 14N10 | TO-252 | N | 100V | ±20 | 14A | 28W | 2.6V | 85мОм | 11 | 1.9 | 2.8 | ||
| 30N10 | SOP8 | N | 100V | ±20 | 30A | 85W | 2.5V | 24мОм | 39 | 8 | 12 | ||
| 11N10 | TO-252 | N | 100V | ±20 | 11A | 28W | 2.6V | 85мОм | 11 | 1.9 | 2.8 | ||
| 12P10 | TO-252 | P | -100V | ±20 | -12A | 40W | -3V | 170mОм | 25 | 5 | 7 | ||
| 5N20 | TO-252 | N | 200V | ±20 | 5A | 30W | 2.5V | 520mОм | 12 | 2.5 | 3.8 | ||
| 2N60 | TO-252/251 | N | 600V | ±30 | 2A | 45W | 4V | 5Ом | 9 | 1.6 | 4.3 | ||
| 2N60 | TO- | N | 600V | ±30 | 2A | 45W | 4V | 5Ом | 9 | 1.6 | 4.3 | ||
| 2N65 | TO-252 | N | 650V | ±30 | 2A | 45W | 4V | 5Ом | 9 | 1.6 | 4.3 | ||
| 4N60 | TO- | N | 600V | ±30 | 4A | 100W | 4V | 3Ом | 5 | 2.7 | 2 | ||
| 4N60 | TO-252 | N | 600V | ±30 | 4A | 33W | 4V | 3Ом | 5 | 2.7 | 2 | ||
| 5N60 | TO-220 | N | 600V | ±30 | 5A | 100W | 4V | 2.5Ом | 16 | 3 | 7.2 | ||
| 6N65 | TO- | N | 650V | ±30 | 6A | 140W | 4V | 1.8Ом | 29 | 7 | 14.5 | ||
| 8N60 | TO- | N | 600V | ±30 | 8A | 140W | 4V | 1.0Ом | 45 | 6.8 | 18 | ||
| 12N65 | TO- | N | 650V | ±30 | 12A | 4V | 0.8Ом | 42 | 8.6 | 21 | |||
| IRF640 | TO- | N | 200V | ±30 | 18A | 43W | 4V | 0.14Ом | 40 | 6 | 22 | ||
| IRF740 | TO- | N | 400V | ±30 | 10.5A | 45.5W | 4V | 0.43Ом | 30 | 4 | 15 | ||
| IRF840 | TO- | N | 500V | ±30 | 9A | 45.5W | 4V | 0.65Ом | 30 | 4 | 15 | ||
.jpg)
Силовые полупроводниковые приборы, защитные компоненты и промышленные решения в области электропитания.
