YZPST-SS044N10AP
Совет: укажите артикул, требуемые напряжение/ток и условия применения.
Загрузки и технические файлы
100V N-канальный силовой MOSFET с супер-канавкой затвора
P/N: YZPST-SS044N10AP
ХАРАКТЕРИСТИКИ
Силовой MOSFET Super TrenchFET®
100% испытан на лавинную стойкость
Улучшенная стойкость к dv/dt
ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ
Ключ по первичной стороне
Другие применения
Источник бесперебойного питания
Обозначение устройства Маркировка Информация об упаковкеИнформация | |||
Заказ Номер | Корпус | Маркировка | Упаковка |
SS044N10AP |
TO-220 | YZPST SS044N10AP |
Трубка |
Абсолютное Максимальные ПараметрыTCпри 25ºC, если не указаноиначе | |||
Параметр |
Обозначение | Значение |
Ед. изм. |
TO-220 | |||
Напряжение сток-исток (VGS= 0 В) | VDSS | 100 | V |
Непрерывный Ток стокак | ID | 135 | A |
Импульсный Ток стока (примечание 1) | Iсток-исток | 520 | A |
Напряжение затвор-исток | VGSS | ±20 | V |
Одиночный Импульсная лавина Энергия (примечание 2) | EAS | 780 | мДж |
Рассеиваемая мощность (TC= 25 ºC) | PD | 208 | W |
Рабочая температура p-n перехода и температура храненияи температура хранения Диапазон | TДж, Tstg | -55~+150 | ºC |
Внимание: При нагрузках больших чем чем указанные в «Абсолютные Максимальные предельные значения» может привести к необратимому повреждений до устройства. устройство. | |||
Тепловое сопротивление | |||
Параметр |
Обозначение | Значение |
Ед. изм. |
TO-220 | |||
Тепловое Сопротивление переход-корпус | RthJC | 0.60 | ºC/Вт |
Тепловое Сопротивление переход-окружающая среда | RthJA | 62.5 | |
Технические характеристикиTДжпри 25ºC, если не указано иное | ||||||
Параметр |
Обозначение |
Условия испытаний | Значение |
Ед. изм. | ||
Мин. | Тип. | Макс. | ||||
Статические | ||||||
Напряжение пробоя сток-исток | V(BR)DSS | Vисток-затвор = 0В, ID= 250 мкА | 100 | -- | -- | V |
Нулевое напряжение затвора Ток стока | IDSS | VDS =100, VGS= 0 В, TДж= 25 ºC | -- | -- | 1.0 | мкА |
Затвор–исток Утечка | IGSS | VGS= ±20 В | -- | -- | ±100 | нА |
Пороговое напряжение затвор-исток | Vисток-затвор(th) | VDS = 250 мкА | 2.0 | -- | 4.0 | V |
Сопротивление в открытом состоянии сток-исток (примечание 3) | RDS(on) | VGS= 10 В, ID=50 А | -- | 3.6 | 4.4 | мОм |
Динамические | ||||||
Входная ёмкость | Ciss |
Vисток-затвор = 0 В, VDS = 50 В, f = 1,0 МГц | -- | 7300 | -- |
пФ |
Выходная ёмкость | Coss | -- | 850 | -- | ||
Обратная передаточная ёмкость | Crss | -- | 25 | -- | ||
Полный заряд затвора Заряд | Qg |
VDD = 50 В, ID= 20 А, VGS= 10 В | -- | 114 | -- |
нКл |
Заряд затвор-исток | Qgs | -- | 37 | -- | ||
Заряд затвор-сток | Qgd | -- | 26 | -- | ||
Включение Время задержки | td(on) |
VDD = 50 В, ID=50 А, ВGS= 10 В RG =3,0 Ом | -- | 32 | -- |
нс |
Включение Время нарастания | tr | -- | 50 | -- | ||
Время задержки при выключении | td(выкл.) | -- | 83 | -- | ||
Падение при выключении время | tf | -- | 30 | -- | ||
Напряжение пробоя корпусе Характеристика диодаХарактеристики | ||||||
Непрерывный корпусе Ток диода | IS |
TC = 25 ºC | -- | -- | 135 |
A |
Импульсный Диод Прямой ток | ISM | -- | -- | 520 | ||
корпусе Напряжение диода | VSD | TДжпри 25ºC, ISD = 50 А, ВGS= 0 В | -- | 0.9 | 1.2 | V |
Обратное Время восстановления | trr | Vисток-затвор = 0 В, IS = 50 А, diF/dt =500 А/мкс | -- | 75 | -- | нс |
Обратное Восстановительный заряд | Qrr | -- | 160 | -- | нКл | |
Примечания
- Повторяющийсярежим:Ограничение ширины импульса по Максимальная температура перехода
- ВDD = 50 В,RG =25 Ом , Начальный TДж= 25 ºC
- Тест импульса:Длительностьимпульса ≤ 300 мкс, Коэффициент заполнения цикл ≤ 1%
.jpg)
Силовые полупроводниковые приборы, защитные компоненты и промышленные решения в области электропитания.
