YZPST-75HF120TK-G1

YZPST-75HF120TK-G1

Модуль IGBT 75A 1200V

ОСОБЕННОСТИ
Высокая стойкость к короткому замыканию, самоограничение тока короткого замыкания

Высокая стойкость к короткому замыканию, самоограничение тока короткого замыкания

Кристалл IGBT (технология Trench + Field Stop)

VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом

Быстрое переключение и короткий хвостовой ток, низкие потери при переключении

Диоды свободного хода с быстрым и мягким обратным восстановлением

Встроенный датчик температуры

ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ

Применение в высокочастотных коммутационных схемах

Сварочные преобразователи

Управление движением/сервоприводом

Системы ИБП

Системы ИБП

ПРЕДЕЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ЗНАЧЕНИЯ TC=25°C, если не указано иное иначе

Обозначение	Параметр	Условия испытаний	Значения	Ед. изм.
IGBT
VCES	Напряжение коллектор - эмиттер	TVj=25°C	1250	V
VGES	Напряжение затвор - эмиттер		±30	V
IC	Постоянный ток коллектора	TC=25°C	115	A
		TC=80°C	75	A
ICM	Повторяющийся пиковый ток коллектора	tp=1 мс	150	A
Pобщ.	Рассеиваемая мощность на IGBT		500	W
Диод
VRRM	Повторяющееся обратное напряжение	TVj=25°C	1250	V
IF(AV)	Средний прямой ток	TC=25°C	115	A
		TC=80°C	75	A
IFRM	Повторяющийся пиковый прямой ток	tp=1 мс	150	A
I2t		TVj=125°C, t=10 мс, VR=0V	2810	A2s

ХАРАКТЕРИСТИКИ МОДУЛЯ

Обозначение	Параметр	Условия испытаний	Мин.	Тип.	Макс.	Ед. изм.
TМакс. Vj	Макс. температура перехода				150	°C
TVj op	Рабочая температура		-40		150	°C
Tstg	Температура хранения		-40		125	°C
Vизол	Испытательное напряжение изоляции	AC, t=1 мин		3000		V
Момент затяжки	К корпусу	Рекомендуется M6	3		5	Н·м
Момент затяжки	К клемме	Рекомендуемый M5	2.5		5	Н·м
Вес				176		g

Габаритный чертеж корпуса

Для получения дополнительной информации оYZPST-75HF120TK-G1пожалуйста, скачайте PDF-файл выше с названием «YZPST-75HF120TK-G1»