RU

YZPST-BT145-800R
дом  >  Продукты  >  YZPST-BT145-800R

Продукты

Горячий продукт

YZPST-BT145-800R

P/N: YZPST-BT145-800R 

ОПИСАНИЕ:
Планарный пассивированный силициевый контролируемый выпрямитель (SCR) в пластиковом корпусе TO220, предназначенный для использования в приложениях, требующих высокой двунаправленной блокирующей напряженности, высокой способности к тепловому циклическому испытанию и высокой термической циклической производительности.
Особенности и преимущества
 Управление переменным током
 Высокая двунаправленная блокирующая напряженность
 Высокая термическая циклическая производительность
 Планарно пассивированный для напряженной надежности и надежности
 Высокая рабочая температура стыка (Tj(max)     =  150 °C)
 Корпус соответствует требованиям горючести UL94V0
 Корпус соответствует RoHS
 Быстрый трансиент IEC 61000-4-4
Приложения
   Импульсное зажигание конденсатора (CDI)
   Защита от шунта
   Защита от пускового тока
   Управление двигателем
   Регулирование напряжения

   Высокая рабочая температура стыка (Tj(max) =  150 °C)

Email: info@yzpst.net

Тел: 8613805278321

Whatsapp: 8613805278321

YZPST-BT145-800R
YZPST-BT145-800R.pdf
описание1
Молния 1/5 молнии для мужских спортивных свитеров. Эластичная, легкая, быстро сохнущая ткань для превосходной производительности. РЕГУЛЯРНАЯ ПОСАДКА - Стандартные размеры США. Спортивная посадка, сидящая близко к телу для широкого диапазона движения, разработана для оптимальной производительности и комфорта в течение всего дня. ОСОБЕННОСТИ - Застежка на четверть молнии; Дырки для большого пальца на длинных рукавах, чтобы удерживать их на месте во время тренировки
P/N: YZPST-BT145-800R High thermal cycling performance BT145-800R TO-220 SCR

P/N: YZPST-BT145-800R 

DESRCRIPTION:
Planar passivated Silicon Controlled Rectifier (SCR) in a TO220 plastic package intended for use in  applications requiring high bidirectional blocking voltage capability, high current inrush capability and high thermal cycling performance.
Features and benefits
 AC power control
 High bidirectional blocking voltage capability
 High thermal cycling performance
 Planar passivated for voltage ruggedness and reliability
 High junction operating temperature capability (Tj(max)     =  150 °C)
 Package meets UL94V0 flammability requirement
 Package is RoHS compliant
 IEC 61000-4-4 fast transien
Applications
   Capacitive Discharge Ignition (CDI)
   Crowbar protection
   Inrush protection
   Motor control
   Voltage regulation

   High junction operating temperature capability (Tj(max) =  150 °C)

Quick reference data

Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit
Absolute maximum rating
VRRM repetitive peak reverse voltage - - 800 V
IT(RMS) RMS on-state current half sine wave; Tmb ≤ 128 °C; - - 25 A
Fig. 1; Fig. 2; Fig. 3
ITSM non-repetitive peak on- state current half sine wave; Tj(init)   = 25 °C; tp     = 10 ms; Fig. 4; Fig. 5 - - 300 A
half sine wave; Tj(init)   = 25 °C; tp    = 8.3 ms - - 330 A
Tj junction temperature - - 150 °C
Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit
Static characteristics
IGT gate trigger current VD     = 12 V; IT   = 0.1 A; Tj    = 25 °C; Fig. 7 1.5 - 15 mA
IH holding current VD   =  12 V; Tj    = 25 °C; Fig. 9 - - 60 mA
VT on-state voltage IT   = 30 A; Tj    = 25 °C; Fig.  10 - 1.1 1.5 V
Dynamic characteristics
dVD/dt rate of rise of off-state voltage VDM     = 536 V; Tj      =  150  °C;  (VDM     = 67% of VDRM); exponential waveform; gate open circuit 80 - - V/μs

Limiting values

In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).

Symbol Parameter Conditions Min Max Unit
VDRM repetitive peak off-state voltage - 800 V
VRRM repetitive peak reverse voltage - 800 V
IT(AV) average on-state current half sine wave; Tmb  ≤ 128°C; - 16 A
IT(RMS) RMS on-state current half sine wave; Tmb ≤ 128°C; Fig. 1; Fig. 2; Fig. 3 - 25 A
ITSM non-repetitive peak on- state current half sine wave; Tj(init)   = 25 °C; tp     = 10 ms; Fig. 4; Fig. 5 - 300 A
half sine wave; Tj(init)   = 25 °C; tp    = 8.3 ms - 330 A
I2t I2t for fusing tp    = 10 ms; SIN - 450 A2s
d IT/dt rate of rise of on-state current IG   = 20 mA - 200 A/μs
IGM peak gate current - 5 A
VRGM peak reverse gate - 5 V
voltage
PGM peak gate power - 20 W
PG(AV) average gate power over any 20 ms period - 0.5 W
Tstg storage temperature -40 150 °C
Tj junction temperature - 150 °C

Thermal Characteristics

Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit
Rth(j-mb) thermal resistance Fig. 6 - - 1 K/W
from junction to
mounting base
Rth(j-a) thermal resistance in free air - 60 - K/W
from junction to
ambient free air

Связанные продукты

СВЯЖИТЕСЬ С НАМИ

СВЯЖИТЕСЬ С НАМИ