.jpg)
.jpg)
YZPST-BTA26-800B симистор 800 В TO-3PA, бренд YZPST, BTA26-800B
Совет: укажите артикул, требуемые напряжение/ток и условия применения.
Загрузки и технические файлы
Серия BTA26/BTB26, симисторы 26 А
Симистор BTA26-800B в корпусе TO-3PA, бренд YZPST, 800 В
ОПИСАНИЕ:
Благодаря высокой стойкости к ударным токам симисторы серии BTA26/BTB26 обеспечивают высокую скорость dv/dt и устойчивость к электромагнитным помехам. Благодаря высоким коммутационным характеристикам 3-квадрантные изделия особенно рекомендуются для работы на индуктивной нагрузке. BTA26 имеет номинальное напряжение изоляции 2500 VRMS от всех трех выводов до внешнего радиатора и соответствует стандартам UL.
ОСНОВНЫЕ ОСОБЕННОСТИ:
обозначение | значение | ед. |
IT(RMS) | 26 | A |
VDRM/VRRM | 600/800/1200/1600 | V |
VTM | ≤1,5 | V |
ПРЕДЕЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ:
Параметр | Обозначение | Значение | Ед. изм. |
Диапазон температуры перехода при хранении | Tstg | -40~150 | ℃ |
Диапазон рабочей температуры p-n перехода | Tj | -40~125 | ℃ |
Повторяющееся пиковое напряжение в закрытом состоянии (Tj=25℃) | VDRM | 600/800/1200/1600 | V |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение (Tj=25℃) | VRRM | 600/800/1200/1600 | V |
Действующее значение тока в открытом состоянии | IT(RMS) | 26 | A |
Неповторяющийся импульсный пиковый ток в открытом состоянии (полный цикл, F=50 Гц) |
ITSM |
260 |
A |
Значение I2t для плавления предохранителя (tp=10 мс) | I2t | 350 | А²·с |
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии (IG=2× IGT) | dI/dt | 50 | А/μs |
Пиковый ток затвора | IGM | 4 | A |
Средняя рассеиваемая мощность на затворе | PG(AV) | 1 | W |
Пиковая мощность на затворе | PGM | 10 | W |
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (Tj=25℃ если не указано иное)
3 квадранта：
| Параметр | Значение | |||||
| Условия испытаний | Квадрант | CW | BW | Ед. изм. | ||
| IGT | VD=12 В, | 35 | 50 | мА | ||
| VGT | RL=33 Ом | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | МАКС | 1.3 | V | |
| VGD | VD=VDRM | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | МИН | 0.2 | V | |
| IВ | IT=100мА | МАКС | 60 | 80 | мА | |
| Ⅰ-Ⅲ | 70 | 90 | ||||
| IL | IG=1.2IGT | Ⅱ | МАКС | 80 | 100 | мА |
| VD=2/3VDRM Tj=125℃ Открытие затвора | ||||||
| dV/dt | МИН | 1000 | 1500 | V/ мкс | ||
4 квадранта：
| Параметр | Значение | |||||
| Условия испытаний | Квадрант | C | B | Ед. изм. | ||
| Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | 25 | 50 | мА | |||
| IGT | VD=12 В, | Ⅳ | 50 | 70 | мА | |
| VGT | RL=33 Ом | ВСЕ | МАКС | 1.5 | V | |
| VGD | VD=VDRM | ВСЕ | МИН | 0.2 | V | |
| IВ | IT=100мА | МАКС | 60 | 75 | мА | |
| Ⅰ-Ⅲ- Ⅳ | 70 | 80 | ||||
| IL | IG=1.2IGT | Ⅱ | МАКС | 90 | 100 | мА |
| VD=2/3VDRM Tj=125℃ Открытие затвора | ||||||
| dV/dt | МИН | 200 | 500 | V/ мкс | ||
СТАТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
| Обозначение | Условия испытаний | Значение | Ед. изм. | ||
| VTM | ITM=35А tp=380мкс | Tj=25℃ | МАКС | 1.5 | V |
| IDRM | Tj=25℃ | 10 | µA | ||
| IRRM | VDRM= VRRM | Tj= 125℃ | МАКС | 3 | мА |
.jpg)
.jpg)
Силовые полупроводниковые приборы, защитные компоненты и промышленные решения в области электропитания.
