.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
YZPST-P150HFN120AT1R6
Совет: укажите артикул, требуемые напряжение/ток и условия применения.
Загрузки и технические файлы
P/N:YZPST-P150HFN120AT1R6
62-мм модуль с быстрыми IGBT по технологии Trench/Fieldstop IGBT и быстрые восстановление Диод
Особенности
■ Низкие потери при переключении
■ Низкое VcEsal
■ Низкое VcE(sat с положительным температурным коэффициентом
Области применения
■ Приводы двигателей
Системы ИБП
■ Высокомощные инверторы
Схема эквивалентной цепи
IGBT-инвертор
Максимальные номинальные значения
Обозначение | Описание | Условия | Значения | Ед. изм. |
VcEs | Напряжение коллектор-эмиттер | Tv=25℃ | 1200 | V |
VGEs | Пиковое напряжение затвор-эмиттер | Tj=25℃ | ±20 | V |
Ic | Непрерывный постоянный ток коллектора | Tc=100℃ | 150 | A |
CRM | Повторяющийся пиковый ток коллектора | tp=1 мс | 300 | A |
Ptot | Полная рассеиваемая мощность | Tc=25℃,Tyjmax=175℃ | 1500 | W |
Характеристические значения
| Обозначение | Значения | |||||
| Описание | Условия | Мин. | Тип. | Макс. | Ед. изм. | |
| Vce(sat) | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Vce=15V,Ic=150A,Tv=25℃ | 2.2 | V | ||
| Vge=15V,Ic=150A,Tv=125℃ | 2.5 | V | ||||
| VGE(th | Пороговое напряжение затвора | VgE=VcE,Ic=3.8mA | 5 | 5.8 | 6.5 | V |
| IcEs | Отсечка коллектор-эмиттер Токпротекания | VcE=1200V,VgE=0V | мА | |||
| GES | Ток утечки затвор-эмиттер Ток | VcE=20V,VcE=0V | 600 | нА | ||
| RGint | Внутренний Управляющий электрод Резистор | Tj=25℃ | 3.8 | Ом | ||
| Cies | Входная ёмкость | 11.5 | нФ | |||
| Coes | Выходная ёмкость | Vce=25V,Vce=0V,f=1MHz | 1 | нФ | ||
| Cres | Обратная передаточная емкостьемкость | 0.4 | нФ | |||
| tt(on) | Время задержки включения | 139 | нс | |||
| Vcc=600V | ||||||
| t | Время нарастания при включении | VoE=±15V | 37 | нс | ||
| d(a) | Время задержки при выключении | Ic=150A | 192 | нс | ||
| t | Время спада при выключении | Rg=2.0g | 128 | нс | ||
| Eon | Включение Потери при переключении | Индуктивная нагрузки | 7.9 | -= | мДж | |
| E₀ff | Переключение при выключении Потери | Tj=25℃ | 8.4 | мДж | ||
| Isc | Данные по короткому замыканию | VcE≤15V,Vcc=600V | 518 | A | ||
| tp≤10μs,Tv=25℃ | ||||||
| Тепловое сопротивление, переход–корпус | За период IGBT | —-- | 0.1 | —-- | К/Вт | |
| Twop | Виртуальная температура переходаперехода | При переключении | -40 | 150 | ℃ | |
Диод — инвертор
Предельно допустимые значения
Обозначение | Описание | Условия | Значения | Ед. изм. |
VRRM | Повторяющийся пиковый обратный Напряжение | Tv=25℃ | 1200 | V |
lF | Непрерывный постоянный прямой ток |
| 150 | A |
lFRM | Повторяющийся пиковый ток коллектора | tp=1 мс | 300 | A |
Характеристические значения
| Обозначение | Значения | |||||
| Описание | Условия | Мин. | Тип | Макс. | Ед. изм. | |
| Прямое напряжение | lr=150A,Vse=0V,Tv=25℃ | 2.5 | V | |||
| VF | l=150A,Vge=0V,Tv=125℃ | 1.9 | —-- | V | ||
| RM | Пиковый ток обратного восстановлениятока | —-- | 42 | A | ||
| Qr | Восстановленный заряд | I=150 А, Vg=600 В, Vge=-15 В | 3.1 | мкКл | ||
| Erec | Энергия обратного восстановления | Tj=25℃ | 1.1 | мДж | ||
| Tuop | Виртуальная температура переходаперехода | При переключении | -40 | 150 | ℃ | |
Корпус Габариты (мм)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
Силовые полупроводниковые приборы, защитные компоненты и промышленные решения в области электропитания.
