YZPST-7N90A0 Быстродействующий силовой MOSFET на кремнии, N-канальный, TO-263, 7N90A0
Совет: укажите артикул, требуемые напряжение/ток и условия применения.
Загрузки и технические файлы
Силовой MOSFET с N-каналом на кремнии
P/N: YZPST-7N90A0
Общее описание：
YZPST-7N90A0 — это усовершенствованные VDMOSFET с N-каналом на кремнии, изготовленные по самосовмещённой планарной технологии, которая снижает потери проводимости, улучшает коммутационные характеристики и повышает энергию лавинного пробоя. Транзистор может использоваться в различных силовых ключевых схемах для уменьшения габаритов системы и повышения её эффективности.Корпус — TO-263, соответствует стандарту RoHS.
Особенности:
Быстрое переключение
Низкий заряд затвора и низкое сопротивление Rds(on)
Низкая обратная проходная ёмкость
100% испытание энергии лавинного пробоя при одиночном импульсе
Применение：
Силовая ключевая схема адаптера и зарядного устройства.
Предельные значения (Tc= 25℃, если не указано иное)：
| Обозначение | Параметр | Параметр | Единицы |
| V DSS | Сток- Источник Напряжение | 900 | V |
| ID | Непрерывный ток стока Ток | 7 | A |
| Непрерывный ток стока Ток TC = 100 °C | 5 | A | |
| a1 | Импульсный ток стока Ток | 28 | A |
| Iсток-исток | |||
| Vисток-затвор | Затвор-исток Напряжение | ±30 | V |
| a2 | Одиночный Длительность Лавинныйe энергия | 700 | мДж |
| EAS | |||
| a1 | Лавинный режим энергия , Повторяющийсяve | 60 | мДж |
| EAR | |||
| a1 | Лавинный режим Ток | 2.4 | A |
| IAR | |||
| dv/dt | пиковое Диод восстановление dv/dt | 5 | V/нс |
| a3 | |||
| PD | Рассеиваемая мощность рассеяние | 160 | W |
| Коэффициент снижения номинала Фактор выше 25 °C | 1.28 | С/℃ | |
| TДж ，Tstg | Рабочий Переход и Хранение | 150 ，– 55 до 150 | ℃ |
| температура Диапазон | |||
| TL | Максимальная температура для Пайка | 300 | ℃ |
Электрические характериcs（Tc= 25℃, если не указано иное）：
| ВЫКЛ характеристики | ||||||
| Обозначение | Параметр | Испытание Условия | Параметр | Единицы | ||
| Мин. | Тип. | Макс. | ||||
| V DSS | ток стока до Источник Пробой | VGS =0В, I D =250µA | 900 | -- | -- | V |
| Напряжение | ||||||
| ΔBVDSS/ ΔTДж | Bvdss температура Коэффициент | ID=250мкА, Справка25℃ | -- | 0.8 | -- | V/℃ |
| VDS = 900V, Vисток-затвор = 0 В, | -- | -- | 1 | |||
| IDSS | ток стока до Источник Утечка Ток | Ta = 25℃ | µ A | |||
| VDS =720V, Vисток-затвор = 0 В, | -- | -- | 250 | |||
| Ta = 125℃ | ||||||
| IGSS( F) | Затвор-эмиттер Источник Прямой Утечка | Vисток-затвор = +30V | -- | -- | 10 | µ A |
| IGSS(R ) | Затвор-эмиттер Источник Обратное Утечка | Vисток-затвор =- 30V | -- | -- | -10 | µ A |
| ВКЛ характеристики | ||||||
| Обозначение | Параметр | Испытание Условия | Параметр | Единицы | ||
| Мин. | Тип. | Макс. | ||||
| RDS(ON) | сток-исток Вкл- сопротивление | Vисток-затвор =10V, I D =3.0A | -- | 1.4 | 1.8 | Ом |
| VGS(TH ) | Пороговое напряжение затвора Напряжение | VDS = Vисток-затвор, I D = 250 мкА | 2.5 | -- | 4.5 | V |
| Длительность импульса tp ≤380µs,δ≤2% | ||||||
| Динамические характеристики | ||||||
| Обозначение | Параметр | Испытание Условия | Параметр | Единицы | ||
| Мин. | Тип. | Макс. | ||||
| gfs | Прямой Транскондуктивностьce | VDS = 15 В, I D =3A | -- | 8 | -- | S |
| Ciss | Входная ёмкость | -- | 1460 | -- | ||
| Coss | Выходная ёмкость | Vисток-затвор = 0V VDS = 25V | -- | 130 | -- | пФ |
| Crss | Обратное Передаточная ёмкость | f = 1.0МГц | -- | 23 | -- | |
| Резистивная Коммутационная характеристики | ||||||
| Обозначение | Параметр | Испытание Условия | Параметр | Единицы | ||
| Мин. | Тип. | Макс. | ||||
| td(ON) | Включение Время задержки | -- | 22 | -- | ||
| tr | нарастания время | I D =7.0A V DD = 450В | -- | 45 | -- | |
| td(OFF ) | Выключение Время задержки | Vисток-затвор = 10V RG = 9.1Ω | -- | 33 | -- | нс |
| tf | Спад время | -- | 37 | -- | ||
| Qg | Общая Управляющий электрод Заряд | -- | 37 | -- | ||
| Qgs | Затвор-эмиттер Источник Заряд | I D =7 . 0A V DD =450В | -- | 8 | -- | нКл |
| Qgd | Управляющий электрод до ток стока (“ Миллер ”)Заряд | Vисток-затвор = 10 В | -- | 14 | -- | |
.jpg)
.jpg)
.jpg)
Силовые полупроводниковые приборы, защитные компоненты и промышленные решения в области электропитания.
