.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
YZPST-S65R650
Совет: укажите артикул, требуемые напряжение/ток и условия применения.
Загрузки и технические файлы
P/N:YZPST-S65R650
MOSFET S65R650
ОПИСАНИЕ:
S65R650 — это суперпереходный MOSFET, разработанный для обеспечения лучших характеристик, таких как низкое сопротивление в открытом состоянии,
низкий заряд затвора, сверхбыстрое переключение и высокая устойчивость. Эти приборы отлично подходят для высокоэффективных импульсных источников питания.
ПРЕДЕЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ
Обозначение | Параметр | Значение | Ед. изм. | |
VDS | Напряжение сток-исток | 650 | V | |
Vисток-затвор | Напряжение затвор-исток | ±30 | V | |
ID |
Непрерывный ток стока | Tc=25℃ | 8 | A |
Tc=100℃ | 6 | A | ||
Iсток-исток | Импульсный ток стока | 30 | A | |
Ptot | Рассеиваемая мощность (TC=25°C) | 93 | W | |
Tj | Температура перехода | 150 | ℃ | |
Tstg | Температура эксплуатации и храненияerature | -55 до +150 | ℃ | |
EAS | Лавинный режим энергия | 74 | мДж | |
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (TC = 25°C, если не указано иначе)
Обозначение | Параметр | Условия испытаний | Значение | Ед. изм. | ||
Мин | Тип | Макс. | ||||
BVDSS | Пробивное напряжение сток-истокtage | VGS= 0В, ID= 250μA | 650 |
|
| V |
IDSS | Ток утечки сток-истокrent | VDS=650В ,VGS=0V |
|
| 1 | мкА |
IGSS | Утечка затвор-исток Ток | VGS= ±30В |
|
| ±100 | нА |
VGS(th) | Пороговое напряжение затвора | VDS= VGS, ID= 250μA | 2.5 |
| 4.5 | V |
RDS(ВКЛ) | Статическое сопротивление в открытом состоянии сток-исток сопротивление | VGS= 10 В ，ID= 4A |
| 503 | 650 | мОм |
МЕХАНИЧЕСКИЕ ДАННЫЕ КОРПУСА
.webp)
.jpg)
Силовые полупроводниковые приборы, защитные компоненты и промышленные решения в области электропитания.
