YZPST-R03N120TP
Совет: укажите артикул, требуемые напряжение/ток и условия применения.
P/N: YZPST-R03N120TP
1200V N-канальный планарный MOSFET
Основные особенности
Соответствует RoHS
RDS(ON), тип.=6 Ом при VGS=10 В
Низкий заряд затвора снижает коммутационные потери
Быстродействующий встроенный диод
Области применения
Адаптеры
зарядное устройство
Резервное питание импульсных источников питания
Корпус и покрытие без свинца
BVDSS | RRDS(ON), тип. | ID |
1200V | 6 Ом | 3,0 А |
Абсолютное Максимальные Номинальныезначения TC=25℃ если не указано иное
Обозначение | Параметр | R03N120TP | Ед. изм. |
VDSS | Напряжение сток-исток | 1200 |
V |
VGSS | Напряжение затвор-исток | ±30 | |
ID | Непрерывный ток стока Ток | 3.0 |
A |
Iсток-исток | Импульсный ток стока при Vисток-затвор=10V | 12 | |
EAS | Одиночный Импульсная лавина энергия | 100 | мДж |
dv/dt | пиковое Диод dv/dt при восстановлении[3] | 5.0 | В/нс |
PD | Рассеиваемая мощность | 75 | W |
Коэффициент снижения номинала Фактор выше 25℃ | 0.6 | С/℃ | |
TL | Температура пайки Расстояние от 1,6 мм от корпуса в течение 10 секунд | 300 |
℃ |
TДж& TSTG | Диапазон рабочих и складских температур | от -55 до 150 |
Внимание: Воздействие нагрузок, превышающих указанные в разделе «Абсолютно максимальныезначения», может привести к необратимому повреждению до устройства. устройство.
Тепловые характеристики
Обозначение | Параметр | R03N120TP | Ед. изм. |
RθJC | Тепловое Сопротивление, Переход-корпус | 1.67 |
℃/Вт |
RθJA | Тепловое Сопротивление, от перехода к окружающей средеот перехода к окружающей среде | 62 |
.webp)
.webp)
.jpg)
.jpg)
Силовые полупроводниковые приборы, защитные компоненты и промышленные решения в области электропитания.
