YZPST-2SB888
Совет: укажите артикул, требуемые напряжение/ток и условия применения.
Загрузки и технические файлы
Транзисторы в пластиковом корпусе TO-92
Обозначение: YZPST-2SB888
PNP биполярный дарлингтоновский транзистор с эпитаксиально-планарной кремниевой структурой
Области применения
Драйверы двигателей, драйверы печатных молоточков, драйверы реле, управление стабилизатором напряжения.
Особенности
Высокий коэффициент усиления по постоянному току (5000 и более).
Большая допустимая токовая нагрузка и широкая АСО.
Низкое напряжение насыщения: тип. VCE(sat)=–0,8 В.
Абсолютное Максимальные предельные значения при Ta = 25˚C
Обозначение | Параметр | Условия | предельные значения | Ед. изм. |
VCBO | Напряжение коллектор–базанапряжение |
| –80 | V |
V ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР | Напряжение коллектор–эмиттернапряжение |
| –50 | V |
VEBO | Напряжение эмиттер–база |
| –10 | V |
IC | Ток коллектора |
| –0.7 | A |
ICP | Ток коллектора (Импульсный) |
| –2 | A |
Плата | Допустимая коллектор рассеяние |
| 600 | мВт |
Tj | Переход температура |
| 150 | ˚C |
Tstg | Температура хранения |
| –55 до +150 | ˚C |
Электрические характеристики при Ta = 25˚C
Обозначение | Параметр | Условия | предельные значения | Ед. изм. | ||
мин. | тип. | макс. | ||||
ICBO | Ток отсечки коллектора Ток | V CB=–40V, IE=0 |
|
| –0.1 | µA |
IEBO | Отсечка эмиттера Ток | VEB=–8V, IC=0 |
|
| –0.1 | µA |
h FE1 | DC Ток Коэффициент усиления | VCE=–2V, IC=–50mA | 5000 |
|
|
|
h FE2 | VCE=–2V, IC=–500mA | 3000 |
|
|
| |
fT | Произведение усиления на полосу Товар | VCE=–5V, IC=–50mA |
| 170 |
| МГц |
Cob | Выходная ёмкость | V CB=–10V, f=1MHz |
| 16 |
| пФ |
VCE(sat) | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | IC=–100mA, IB=–0.1mA |
| –0.8 | –1.2 | V |
V BE(sat) | Напряжение насыщения база-эмиттернапряжение | IC=–100mA, IB=–0.1mA |
| –1.3 | –2.0 | V |
V(BR)CBO | Коллектор-база Пробойнапряжение | IC=–10µA, IE=0 | –80 |
|
| V |
V(BR)CEO | Коллектор-эмиттер Пробойнапряжение | IC=–1mA, R BE=∞ | –50 |
|
| V |
V(BR)EBO | Эмиттер-база сток-исток | IE=–10µA, IC=0 | –10 |
|
| V |
.jpg)
.jpg)
Силовые полупроводниковые приборы, защитные компоненты и промышленные решения в области электропитания.
