YZPST-SKM195GB066D
Совет: укажите артикул, требуемые напряжение/ток и условия применения.
Загрузки и технические файлы
IGBT силовой модуль Тип: YZPST-SKM195GB066D
Области применения
Инвертор для привода электродвигателя
Усилитель сервопривода переменного и постоянного тока
ИБП (источники бесперебойного питания)
Сварочный аппарат с мягким переключением
Особенности
Низкое Vce(sat) с технологией Trench Field-stop
Vce(sat) с положительным температурным коэффициентом
Включая быстрый и мягкий восстановительный встречно-параллельный FWD
Высокая стойкость к короткому замыканию (10 мкс)
Модульная конструкция с низкой индуктивностью
Максимальная температура p-n-перехода 175℃
Абсолютное Максимальные предельные значения
Параметр | Обозначение | Условия | Значение | Ед. изм. |
Напряжение коллектор-эмиттер | VCES | VGE=0V, IC =1mA, Tvj=25℃ | 650 | V |
Непрерывный ток коллектора | IC | Tc=100℃ | 200 | A |
Пиковый коллекторный ток | ICRM | tp=1 мс | 400 | A |
Напряжение затвор-эмиттер | VGES | Tvj=25℃ | ±20 | V |
Общая рассеиваемая мощность (IGBT-инвертор) | Ptot | Tc=25℃ Tvjmax=175℃ | 695 | W |
Характеристики IGBT
| Параметр | Значение | Ед. изм. | ||||
| Обозначение | Условия | Мин. | Тип. | Макс. | ||
| Пороговое напряжение затвор-эмиттер | VGE(th) | VGE=VCE, IC =3.2mA, Tvj=25℃ | 5.1 | 5.8 | 6.3 | V |
| VCE=650V, VGE=0V, Tvj=25℃ | 1 | мА | ||||
| Ток отсечки коллектор-эмиттер | ICES | VCE=650V, VGE=0V, Tvj=125℃ | 5 | мА | ||
| Коллектор-эмиттер | Ic=200A, VGE=15V, Tvj=25℃ | 1.45 | 1.95 | V | ||
| Напряжение насыщения | VCE(sat) | Ic=200A, VGE=15V, Tvj=125℃ | 1.65 | V | ||
| Входная ёмкость | Cies | VCE=25V,VGE =0V, | 12.3 | нФ | ||
| Обратная передаточная ёмкость | Cres | f=1MHz, Tvj=25℃ | 0.37 | нФ | ||
| Внутреннее сопротивление затвора | Rgint | 1 | Ом | |||
| Время задержки включения | td(on) | 48 | Ns | |||
| Время нарастания | tr | IC =200 A | 48 | Ns | ||
| Время задержки выключения Ttime | td(off) | VCE =300 V | 348 | Ns | ||
| Время спада | tf | VGE = ±15В | 58 | Ns | ||
| Энергия, рассеиваемая при включении | Eon | RG = 3.6Ω | 2.32 | мДж | ||
| Энергия рассеяния во время выключения | Eoff | Tvj=25℃ | 5.85 | мДж | ||
| Время задержки включения | td(on) | 48 | Ns | |||
| Время нарастания | tr | IC =200 A | 48 | Ns | ||
| Время задержки при выключении | td(off) | VCE = 300V | 364 | Ns | ||
| Время спада | tf | VGE = ±15В | 102 | Ns | ||
| Энергия, рассеиваемая при включении | Eon | RG =3.6Ω | 3.08 | мДж | ||
| Энергия рассеяния во время выключения | Eoff | Tvj = 125℃ | 7.92 | мДж | ||
| Данные SC | Isc | Tp≤10 мкс, VGE=15V, Tvj=150℃, Vcc=300V, VCEM≤650V | 1000 | A | ||
Характеристики диода
| Параметр | Значение | Ед. изм. | ||||
| Обозначение | Условия | Мин. | Тип. | Макс. | ||
| Постоянный прямой ток диода | IF | Tc=100℃ | 200 | A | ||
| Пиковый прямой ток диода | IFRM | 400 | A | |||
| IF=200A, Tvj=25℃ | 1.55 | 1.95 | V | |||
| Прямое напряжение | VF | IF=200A, Tvj=125℃ | 1.5 | V | ||
| Параметр | Значение | Ед. изм. | ||||
| Обозначение | Условия | Мин. | Тип. | Макс. | ||
| Восстановленный заряд | Qrr | 8.05 | мкКл | |||
| IF =200 A | ||||||
| VR=300V | ||||||
| Пиковый обратный ток восстановления | Irr | -diF/dt =4200A/мкс | 148 | A | ||
| Энергия обратного восстановления | Erec | Tvj=25℃ | 1.94 | мДж | ||
| Восстановленный заряд | Qrr | 16.9 | мкКл | |||
| IF =200 A | ||||||
| VR=300V | ||||||
| Пиковый обратный ток восстановления | Irr | -diF/dt =4200A/мкс | 186 | A | ||
| Энергия обратного восстановления | Erec | Tvj = 125℃ | 3.75 | мДж | ||
Характеристики модуля TC=25°C, если не указано иное
| Параметр | Обозначение | Условия | Значение | Ед. изм. | ||
| Мин. | Тип. | Макс. | ||||
| Напряжение изоляции | Visol | t=1min,f=50Hz | 2500 | V | ||
| Максимальная температура перехода | Tjmax | 150 | ℃ | |||
| Рабочая температура p-n-перехода | Tvj op | -40 | 125 | ℃ | ||
| Температура хранения | Tstg | -40 | 125 | ℃ | ||
| на IGBT-инвертор | 0.19 | К/Вт | ||||
| Переход-корпус | R θjc | на диод-инвертор | 0.31 | К/Вт | ||
| Корпус-радиатор | R θcs | С нанесённой теплопроводной смазкой | 0.085 | К/Вт | ||
| Момент затяжки электродов модуля | Mt | Рекомендуемый (M5) | 2.5 | 5 | Н · м | |
| Момент затяжки модуля к радиатору | Ms | Рекомендуемый (M6) | 3 | 5 | Н · м | |
| Вес модуля | G | 150 | g | |||
Корпус Габаритные размеры
Для получения дополнительной информации оYZPST-SKM195GB066Dпожалуйста, скачайте указанный выше PDF-файл под названием «YZPST-SKM195GB066D-R090 "
.jpg)
.jpg)
Силовые полупроводниковые приборы, защитные компоненты и промышленные решения в области электропитания.
