.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
YZPST-G100HF65D1
Совет: укажите артикул, требуемые напряжение/ток и условия применения.
Загрузки и технические файлы
IGBT-модуль 650 В 100 А YZPST-G100HF65D1
Особенности:
650 В 100 А, VCE(sat) (тип.) = 1,80 В
Низкоиндуктивная конструкция
Меньшие потери и более высокая энергоэффективность
Технология Field Stop IGBT
Отличная стойкость к короткому замыканию
Области применения:
Вспомогательный инвертор
Индукционный нагрев и сварка
Солнечная энергетика
Системы ИБП
Предельно допустимые параметры IGBT
| VCES | Напряжение коллектор-эмиттер | 650 | V | |
| VGES | Непрерывное напряжение затвор-эмиттер | ±30 | V | |
| TC = 25°C | 200 | |||
| IC | Непрерывный ток коллектора | TC = 100°C | 100 | A |
| ICM | Импульсный ток коллектора | TJ = 150°C | 200 | A |
| PD | Максимальная рассеиваемая мощность (IGBT) | TC = 25°C, | 390 | W |
| TJ = 150°C | ||||
| tsc | Время выдержки короткого замыкания | > 10 | мкс | |
| TJ | Максимальная температура p-n-перехода IGBT | 150 | °C | |
| TJOP | Диапазон максимальной рабочей температуры p-n-перехода | -40 до +150 | °C | |
| Tstg | Диапазон температуры хранения | -40 до +125 | °C | |
Абсолютное Максимальные Параметры свободноходового Диод
| VRRM | Предварительные данные о повторяющемся пиковом обратном напряжении | 650 | V | |
| Непрерывный прямой ток диода | TC = 25°C | 200 | ||
| IF | Непрерывный прямой ток диода | TC = 100°C | 100 | A |
| IFM | Максимальный прямой ток диода | 200 | A | |
Электрические характеристики для IGBT при TДж = 25°C (если не указано иное)
| Параметр | Условия испытаний | Мин | Тип | Макс. | Ед. изм. | ||
| BVCES | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | VGE = 0В, IC = 1мА | 650 | V | |||
| ICES | Коллектор-эмиттер | VGE = 0В, VCE = VCES | 1 | мА | |||
| Ток утечки | |||||||
| IGES | Ток утечки затвор-эмиттер | VGE = ±30В, VCE = 0В | 200 | нА | |||
| VGE(th) | Пороговое напряжение затвора | IC = 1мА, VCE = VGE | 4.5 | 5.5 | V | ||
| TJ = 25°C | 1.8 | 2 | |||||
| VCE(sat) | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (уровень модуля) | IC = 100A, VGE = 15В | TJ = 125°C | 2 | V | ||
Коммутационные характеристики IGBT
| td(on) | Время задержки включения | TJ = 25°C | 60 | нс | |||
| tr | Время нарастания при включении | TJ = 25°C | 55 | нс | |||
| td(off) | Время задержки при выключении | VCC = 400В | TJ = 25°C | 210 | нс | ||
| tf | Время спада при выключении | IC = 100A | TJ = 25°C | 65 | нс | ||
| Eon | Потери при переключении при включении | RG = 10Ω | TJ = 25°C | 1.2 | мДж | ||
| Eoff | Потери при переключении при выключении | VGE = ±15В | TJ = 25°C | 1 | мДж | ||
| Qg | Полный заряд затвора | Индуктивная нагрузка | TJ = 25°C | 500 | нКл | ||
| Rgint | Встроенный резистор затвора | f = 1М; | TJ = 25°C | 6.9 | Ом | ||
| Vpp = 1 В | |||||||
| Cies | Входная ёмкость | TJ = 25°C | 3.9 | ||||
| VCE = 25 В | |||||||
| Coes | Выходная ёмкость | VGE = 0 В | TJ = 25°C | 0.35 | нФ | ||
| Cres | Обратной передачи | f = 1 МГц | TJ = 25°C | 0.25 | |||
| ёмкость | |||||||
| RθJC | Тепловое сопротивление переход–корпус (IGBT) | 0.32 | °C/Вт | ||||
Электрические и коммутационныехарактеристики обратного диода Диод
| VF | TJ = 25°C | 1.35 | |||||
| Прямое падение напряжения на диоде | IF = 100 А, | V | |||||
| VGE = 0 В | TJ = 125 °C | 1.2 | |||||
| trr | Время обратного восстановления диода | IF = 100 А, | TJ = 25°C | 80 | нс | ||
| Irr | Пиковый обратный ток восстановления диода | di/dt = 550 А/мкс, Vrr = 400 В, | TJ = 25°C | 30 | A | ||
| Qrr | Заряд обратного восстановления диода | TJ = 25°C | 6.2 | мкКл | |||
| RθJC | Тепловое сопротивление, переход–корпус (диод) | 0.75 | °C/Вт | ||||
Характеристики модуля
Параметр | Мин. | Тип. | Макс. | Ед. изм. | |
Viso | Напряжение изоляции (при закороченных всех выводах), f = 50 Гц, 1 минута | 2500 |
|
| V |
RθCS | корпус–радиатор (с нанесением теплопроводящей смазки) |
| 0.1 |
| °C/Вт |
M | Винт силовых выводов: M5 | 3.0 |
| 5.0 | Н·м |
M | Монтажный винт: M6 | 4.0 |
| 6.0 | Н·м |
G | Вес |
| 160 |
| g |
Внутренняя схема:
Габаритные размеры корпуса
.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
Силовые полупроводниковые приборы, защитные компоненты и промышленные решения в области электропитания.
