YZPST-G900WB120B6TC
Совет: укажите артикул, требуемые напряжение/ток и условия применения.
Загрузки и технические файлы
Модуль IGBT 1200 В 900 А
P/N: YZPST-G900WB120B6TC
ПРОДУКТ ХАРАКТЕРИСТИКИ
КРИСТАЛЛ IGBT (Trench+FS)
Низкое напряжение насыщения и положительный температурный коэффициент
Быстрое переключение и короткий ток хвоста
Антипараллельные диоды с быстрым и мягким обратным восстановлением
Встроенный датчик температуры
ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ
Управление двигателем переменного тока
Управление движением/сервоприводом
Инверторы и источники питания
Фотовольтаика/топливные элементы
ПРЕДЕЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ПАРАМЕТРЫ IGBT(TC =25°C если не указано иначе)
| Обозначение | Параметр/условия испытаний | Значения | Ед. изм. | |
| VCES | Напряжение коллектор-эмиттер | TJ=25℃ | 1200 | V |
| VGES | Напряжение затвор-эмиттер | ±20 | ||
| IC | Постоянный ток коллектора | TC=25℃, TJmax =175℃ | 880 | |
| TC=95℃, TJmax =175℃ | 900 | A | ||
| ICM | Повторяющийся пиковый коллекторный ток | tp=1 мс | 1200 | |
| Ptot | Рассеиваемая мощность на один IGBT | TC=25℃, TJmax =175℃ | 3125 | W |
Диод — ПРЕДЕЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ПАРАМЕТРЫ (TC =25°C если не указано иначе)
| Обозначение | Параметр/условия испытаний | Значения | Ед. изм. | |
| VRRM | Повторяющееся обратное напряжение | TJ=25℃ | 1200 | V |
| IF(AV) | Средний прямой ток | 900 | A | |
| IFRM | Повторяющийся пиковый прямой ток | tp=1 мс | 1200 | |
| I2t | TJ = 150℃, t=10ms, VR=0V | 45 | кА²с | |
IGBT-инвертор
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ(TC =25°C если не указано иначе)
| Обозначение | Параметр/условия испытаний | Мин. | Тип. | Макс. | Ед. изм. | ||
| VGE(th) | Пороговое напряжение затвор-эмиттер | VCE=VGE, IC=24мА | 5 | 5.8 | 6.5 | ||
| Коллектор-эмиттер | IC=900А, VGE=15В, TJ=25℃ | 1.9 | 2.3 | ||||
| VCE(sat) | Напряжение насыщения | IC=900А, VGE=15В, TJ=125℃ | 2.2 | V | |||
| IC=900А, VGE=15В, TJ=150℃ | 2.25 | ||||||
| ICES | Ток утечки коллектора | VCE=1200В, VGE=0В, TJ=25℃ | 1 | мА | |||
| VCE=1200В, VGE=0В, TJ=150℃ | 10 | ||||||
| IGES | Ток утечки затвора | VCE=0В, VGE=±20В, TJ=25℃ | -400 | 400 | нА | ||
| RGint | Встроенный резистор затвора | 0.7 | Ом | ||||
| Qg | Заряд затвора | VCE=900В, IC=900А, VGE=15В | 3.1 | мкКл | |||
| Cies | Входная ёмкость | VCE=25В, VGE=0В, f =1МГц | 43.2 | нФ | |||
| Cres | Обратная передаточная ёмкость | 2.07 | нФ | ||||
| td(on) | Время задержки включения | VCC=600В, IC=900А, RG =1,5 Ом, | TJ=25℃ | 100 | нс | ||
| VGE=±15В, | TJ=150℃ | 110 | нс | ||||
| tr | Время нарастания | Индуктивная нагрузка | TJ=25℃ | 85 | нс | ||
| TJ=150℃ | 95 | нс | |||||
| td(off) | Время задержки выключения | VCC=600В, IC=900А, RG =1,5 Ом, | TJ=25℃ | 530 | нс | ||
| VGE=±15В, | TJ=150℃ | 580 | нс | ||||
| tf | Время спада | Индуктивная нагрузка | TJ=25℃ | 65 | нс | ||
| TJ=150℃ | 215 | нс | |||||
| TJ=25℃ | 55 | мДж | |||||
| Eon | Энергия включения | TJ=125℃ | 85 | мДж | |||
| VCC=600В, IC=900А, RG =1,5 Ом, | TJ=150℃ | 95 | мДж | ||||
| VGE=±15В, | TJ=25℃ | 45 | мДж | ||||
| Eoff | Энергия выключения | Индуктивная нагрузка | TJ=125℃ | 58 | мДж | ||
| TJ=150℃ | 63 | мДж | |||||
| ISC | Ток короткого замыкания | tpsc≤10мкс, VGE=15В | 2200 | A | |||
| TJ=150℃, VCC=800В | |||||||
| RthJC | Тепловое сопротивление переход–корпус (для IGBT) | 0.048 | К/Вт | ||||
Контур корпуса
.jpg)
.webp)
.jpg)
Силовые полупроводниковые приборы, защитные компоненты и промышленные решения в области электропитания.
