YZPST-P035PJE120AT1B

Символ

Описание

Условия

Значения

Ед. изм.

VCES

Напряжение коллектор-эмиттер

Tj=25℃

1200

V

VGEs

Пиковое напряжение затвор-эмиттер

Tj=25℃

±20

V

Ic

Непрерывный DC коллектор Ток

Tc=100℃

35

A

CRM

Повторяющееся пиковое коллектор Ток

tp=1 мс

70

A

Ptot

Полная рассеиваемая мощность

Tc=25℃, Tjmax=175℃

172

W

Символ

Описание

Условия

Значения

Ед. изм.

Мин

Тип.

Макс.

VcE(sat)

Напряжение насыщения коллектор-эмиттерНасыщения коллектор-эмиттер

VGE=15 В, Ic=35 А, Tj=25℃

2.15

V

VGE=15 В, Ic=35 А, Tv=125℃

2.57

V

VGE(th

Пороговое напряжение затвора

VGE=VCE, c=1,2 мА

5.6

V

CES

Отсечка коллектор-эмиттер Токпротекания

VcE=1200V,VGE=0V

1

мА

GES

Ток утечки затвор-эмиттер Ток

VGE=20V,VcE=0V

100

нА

Cies

Входная ёмкость

VCE=25 В, VGE=0 В, f=1 МГц

2590

пФ

Coes

Выходная ёмкость

180

пФ

Cres

Обратная передаточная емкостьемкость

86

пФ

td(on)

Время задержки включения

VcE=600V  VGF=±15В Ic=35А

Rg=120

Индуктивная нагрузки Tj=25℃

34

нс

t

Время нарастания при включении

20

нс

td(off)

Время задержки при выключении

230

нс

t

Время спада при выключении

160

нс

Eon

Включение Потери при переключении

2.5

мДж

Eoff

Переключение при выключении Потери

2.5

мДж

lsc

Данные по короткому замыканию

VGE≤15В, Vcc=800В  tp≤10μs,Tv=150℃

151

A

RthJC

Тепловое сопротивление, переход–корпус

За период IGBT

0.87

К/Вт

Tw OF

Температура виртуального переходатура

При переключении

-40

150

℃