YZPST-G15T60FS

✓Техническая информация о продукте✓Подбор с учетом сферы применения✓Запрос по каталогу и требованиям

Эл. почтаinfo@yzpst.net

Телефон+86 138 0527 8321

ЗАПРОСИТЬ ТЕХНИЧЕСКОЕ ПРЕДЛОЖЕНИЕ↗

Совет: укажите артикул, требуемые напряжение/ток и условия применения.

ЦЕНТР ДОКУМЕНТАЦИИ

Загрузки и технические файлы

YZPST-G15T60FS-K283.pdfСКАЧАТЬ ↘

Особенности

600 В, 15 А

VCE(sat) (тип.)=1,8 В при VGE=15 В, IC=15 А

Высокоскоростное переключение

Более высокий КПД системы эффективность

Плавное отключение тока формы сигналов

Квадратная RBSOA

Общее описание

YZPSTIGBT с траншейной структурой YZPST обеспечивают меньшие потери и более высокий КПД в таких применениях, как IH (индукционный нагрев), ИБП, общие инверторы и другие приложения с мягким переключением.

Предельные абсолютные значения

Обозначение	Параметр	Значение	Единицы
VCES	Напряжение коллектор-эмиттер	600	V
VGES	Напряжение затвор-эмиттер	+ 20	V
IC	Непрерывный ток коллектора (TC=25 ℃)	14	A
IC	Непрерывный ток коллектора (TC=100℃)	8	A
ICM	Импульсный ток коллектора (примечание 1)	45	A
IF	Непрерывный прямой ток диода (TC=100℃)	8	A
IFM	Максимальный прямой ток диода (Примечание 1)	45	A
tsc	Время выдержки короткого замыкания	10	us
PD	Максимальное рассеивание мощности (TC=25 ℃)	28	W
PD	Максимальное рассеивание мощности (TC=100℃)	11	W
TДж	Диапазон рабочих температур p-n-перехода	-55 до +150	℃
TSTG	Диапазон температуры хранения	-55 до +150	℃

Тепловые характеристики

Обозначение	Параметр	Макс.	Единицы
Rth j-c	Тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT	4.4	℃/ Вт
Rth j-c	Тепловое сопротивление переход-корпус для диода	5.2	℃/ Вт
Rth j-a	Тепловое сопротивление переход-окружающая среда	65	℃/ Вт