Совет: укажите артикул, требуемые напряжение/ток и условия применения.
Тип прибора | VDRM (1) | VDSM (1) |
FR1000AX50 | 2500 | 2500 |
Повторяющийся ток утечки в закрытом состоянии | IDRM | 20 мА 80 мА (3) |
Критическая скорость нарастания напряжения | dV/dt (4) | 700 В/мс |
Проводящий — открытое состояние
| Параметр | Обозначение | Макс. | Тип. | Ед. изм. | Условия | |
Действующее значение тока в открытом состоянии | ITRMS | 1550 | A | Номинальное значение | ||
IT(AV) |
1000
| A | Непрерывный однофазный режим, полусинусоидальная волна, проводимость 180° | |||
Пиковый импульсный ток одного цикла (неповторяющийся) ток | ITSM | 14000 | A | 8,3 мс (60 Гц), синусоидальная волна- форма, проводимость 180°, Tj = 125 °C | ||
I²t | I2t | 8.2×10^5 | А²с | 8,3 мс и 10,0 мс | ||
Обратный ток RNS | IR(RMS) | 630 | A | |||
Средний обратный ток | IR(AV) | 400 | A | Непрерывный однофазный режим, полусинусоидальная волна, проводимость 180° | ||
Пиковое напряжение в открытом состоянии | VTM | 2.2 | V | ITM=1000A Tj = 125 °C | ||
Пиковое обратное напряжение | VRM | 4.0 | V | IRM=1200A, Tj = 125 °C | ||
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии тока | di/dt | 300 | А/мс | VD=1/2VDRM, ITM=800A f=60HZ IGM=1.5A, diG/dt=1.0A/us, Tj=125℃ | ||
Критическая скорость уменьшения обратного коммутирующего тока | (di/dt)C | 200 | А/мс | ITM=4000A, tw=60 мкс, IRM=4000A, dv/dt=700 В/мкс, VDM=1/2VDRN, Tj=125℃, насыщаемый реактор 7500 В·мкс |
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ (продолжение)
Управление затвором
| Параметр | Обозначение | Мин. | Макс. | Тип. | Ед. изм. | Условия |
Пиковая мощность рассеяния на затворе | PGM | 30 | W | tp = 40 мкс | ||
Средняя мощность рассеяния на затворе | PG(AV) | 8 | W | |||
Пиковый ток затвора | IGM | 10 | A | |||
Ток затвора, необходимый для срабатывания всех модулей | IGT | 350 | мА | VD = 6 В; RL = 2 Ом; Tj = +25 °C | ||
Напряжение затвора, необходимое для срабатывания всех модулей | VGT | 4 | V | VD = 6 В; RL = 2 Ом; Tj = 25 °C | ||
Пиковое запирающее напряжение | VGD | 0.2 | V | Tj = 125 °C; VD=1/2VDRM |
Динамические характеристики
| Параметр | Обозначение | Макс. | Тип. | Ед. изм. | Условия | |
tq | 50 | мс | ITM = 4000 А; di1/dt = -200 А/мс; di2/dt=50 А/мкс, IRM=500 А; dV/dt =700 В/мс VDR=1250 В Tj = 125 °C; tw=60 мкс |
* Для гарантированного максимального значения обращайтесь на завод.
ТЕПЛОВЫЕ И МЕХАНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И НОРМЫ
Параметр | Обозначение | Мин. | Макс. | Тип. | Ед. изм. | Условия |
Рабочая температура | Tj | -40 | +125 | °C | ||
Температура хранения | Tstg | -40 | +150 | °C | ||
Тепловое сопротивление тиристорной части — переход–ребро | RQⅠ (j-f) | 0.022 | °C/Вт | Двустороннее охлаждение | ||
Тепловое сопротивление диодной части — переход–ребро | RQⅢ (j-f) | 0.070 | °C/Вт | Двустороннее охлаждение | ||
Усилие монтажа | P | 45 | кН | |||
Вес | W | 670 | г |
* Монтажные поверхности должны быть гладкими, плоскими и смазанными
КОНСТРУКЦИЯ КОРПУСА И ГАБАРИТНЫЕ РАЗМЕРЫ.
FR1000AX50 Тиристор с обратной проводимостью
YZPST может предоставить следующий список аналогов для тиристоров с обратной проводимостью(капсульный тип)
| Тип | IF(AV) | VRR M | IFSM @TVJM &10 мс | IRRM (макс.) при Tj = TVJM | VTM(max) | trr(макс.) | Tvj | Rthjc | F±10% | |
| A | V | кА | IFM(A) | V | мкс | V | °C | К/Вт | кН | |
SHR400R22(21) (CSR328) | 240 | 1300 | 5600 | 40 | 500 | 2.3 | 3 | 125 | 0.08 | 16 |
FR600AW (AX) | 150 | 2500 | 3500 | 50 | 1200 | 4 | 3 | 125 | 0.03 | 26 |
| FR1000BX(BW) | 400 | 2500 | 6000 | 100 | 1200 | 4 | 4 | 125 | 0.022 | 40 |
| TP909FC | 400 | 2500 | 6000 | 100 | 1000 | 2.6 | 4 | 125 | 0.02 | 33 |
| TP978FC | 400 | 2400 | 6000 | 100 | 1000 | 2.6 | 4 | 125 | 0.021 | 33 |
Силовые полупроводниковые приборы, защитные компоненты и промышленные решения в области электропитания.
