YZPST-QM3N150C Быстродействующий N-канальный MOSFET на 1500V

✓Техническая информация о продукте✓Подбор с учетом сферы применения✓Запрос по каталогу и требованиям

Эл. почтаinfo@yzpst.net

Совет: укажите артикул, требуемые напряжение/ток и условия применения.

ЦЕНТР ДОКУМЕНТАЦИИ

1500V n-канальный MOSFET

YZPST-QM3N150C

Общее описание

Этот силовой MOSFET изготовлен с использованием передовой

самоцентрированной планарной технологии. Эта передовая

технология специально разработана для минимизации

сопротивления в открытом состоянии, обеспечения превосходных

характеристик переключения и выдерживания высокоэнергетических импульсов в

режимах лавинного пробоя и коммутации.

Эти приборы могут использоваться в различных силовых переключающих

цепях для миниатюризации системы и повышения эффективности.

Особенности

3A, 1500V, RD5(on)typ. = 50@VGS= 10 V ld=1.5A

Низкий заряд затвора (тип. 37 нКл)

Низкая ёмкость обратной передачи (тип. 2.8 пФ)

Быстрое переключение

100% испытан на лавинную стойкость

Абсолютные предельные значения при Tc=25 C, если не указано иное

Обозначение	Параметр		YZPST-QM3N150C	Единицы
Voss	Напряжение сток-исток		1500	V
lo	Ток стока	Непрерывный (Tc=25℃)	3	A
lo	Ток стока	Непрерывный (Tc=100℃)	1.8	A
loM	Импульсный ток стока (Примечание 1)		12	A
VGss	Напряжение затвор-исток		±30	V
EAS	Энергия однократного импульса лавинного пробоя (Примечание 2)		225	мДж
dv/dt	Пиковая скорость восстановления диода dv/dt (Примечание 3)		5	В/нс
Pₒ	Рассеиваемая мощность (Tc=25℃)		32	W
T,Tsts	Диапазон рабочей и складской температуры		-55 до +150	℃
Tt	Максимальная температура вывода при пайке 1/8" от корпуса в течение 5 секунд		300	℃