.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
YZPST-2N3904
Совет: укажите артикул, требуемые напряжение/ток и условия применения.
Загрузки и технические файлы
Транзисторы в пластиковом корпусе TO-92
YZPST-2N3904 ТРАНЗИСТОР (NPN)
ОСОБЕННОСТИ
NPN кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор для коммутации и
усилительных применений
Дополнительным типом является PNP-транзистор 2N3906
Рекомендуемый
Этот транзистор также доступен в корпусе SOT-23 под
обозначением типа MMBT3904
ИНФОРМАЦИЯ ДЛЯ ЗАКАЗА
Часть Номер | Упаковкаe | Упаковка Способ | Корпус Количество |
2N3904 | T0-92 | Навалом | 1000 шт./пакет |
2N3904-TA | T0-92 | Лента | 2000 шт./коробка |
ПРЕДЕЛЬНЫЕ ЗНАЧЕНИЯ (Ta=25'℃, если не указано иное)
| Обозначение | Параметр | Значение | Ед. изм. |
| VCB0 | Напряжение коллектор-база | 60 | V |
| VCE0 | Напряжение коллектор-эмиттер | 40 | V |
| VEB0 | Напряжение эмиттер- база | 6 | V |
| C | Постоянный коллекторный ток | 0.2 | A |
| Плата | Рассеиваемая мощность коллектора | 0.625 | W |
| TJ,Tstg | Диапазон рабочих температур перехода и хранения | -205 | C |
=25℃, если не указано иное
| Параметр | Обозначение | Испытание | Мин | Тип | Макс. | Ед. изм. |
| условия | ||||||
| Коллектор-база | V(BR)CBO | IC=10KA, IE=0 | 60 | V | ||
| пробой | ||||||
| напряжение | ||||||
| Коллектор-эмиттер | V(BR)CEO | IC=1mA, IB=0 | 40 | V | ||
| пробой | ||||||
| напряжение | ||||||
| Эмиттер-база | V(BR)EBO | IE=10KA, IC=0 | 6 | V | ||
| пробой | ||||||
| напряжение | ||||||
| Отсечка коллектора | ICBO | VCB=60V, IE=0 | 0.1 | UA | ||
| ток коллектора | ||||||
| Коллектор | ICEX | VCE=30 В, VEB(off)=3 В | 0.05 | UA | ||
| отсечка | ||||||
| ток коллектора | ||||||
| Эмиттер | IEBO | VEB= 5V, IC=0 | 0.1 | UA | ||
| отсечка | ||||||
| ток коллектора | ||||||
| FE1 | VCE=1 В, IC=10 мА | 100 | 400 | |||
| DC | ||||||
| ток коллектора | FE2 | VCE=1 В, IC=50 мА | 60 | |||
| усиления по току постоянного тока | FE3 | VCE=1 В, IC=100 мА | 30 | |||
| Коллектор-эмиттер | VCE(sat) | IC=50 мА, IB=5 мА | 0.3 | V | ||
| насыщение | ||||||
| напряжение | ||||||
| база-эмиттер | VBE(sat) | IC=50 мА, IB=5 мА | 0.95 | V | ||
| насыщение | ||||||
| напряжение | ||||||
| Переход | T | VCE=20 В, IC=10 мА, f=100 МГц | 300 | МГц | ||
| частота | ||||||
| задержка | td | VCC=3 В, VBE=0,5 В, | 35 | нс | ||
| время | IC=10 мА, IB1=1 мА | |||||
| нарастания | tr | 35 | нс | |||
| время | ||||||
| хранения | ts | VCC=3 В, IC=10 мА | 200 | нс | ||
| время | IB1=IB2=1 мА | |||||
| спад | tf | 50 | нс | |||
| время |
ГабаритыГабаритные размеры
| Обозначение | Габаритные размеры | Габаритные размеры | ||
| n | дюйм | |||
| миллиметры | дюймы | |||
| Мин | Макс. | Мин | Макс. | |
| A | 3.3 | 3.7 | 0.13 | 0.146 |
| A1 | 1.1 | 1.4 | 0.043 | 0.055 |
| b | 0.38 | 0.55 | 0.015 | 0.022 |
| c | 0.36 | 0.51 | 0.014 | 0.02 |
| D | 4.3 | 4.7 | 0.169 | 0.185 |
| D1 | 3.43 | 0.135 | ||
| E | 4.3 | 4.7 | 0.169 | 0.185 |
| e | 1.270 тип. | 0.050 TYP | ||
| e1 | 2.44 | 2.64 | 0.096 | 0.104 |
| L | 14.1 | 14.5 | 0.555 | 0.571 |
| К | 1.6 | 0.063 | ||
| h | 0 | 0.38 | 0 | 0.015 |
Для получения дополнительной информации оYZPST-2N3904пожалуйста, скачайте указанный выше PDF-файл под названием «YZPST-2N3904 TO92"
.jpg)
Силовые полупроводниковые приборы, защитные компоненты и промышленные решения в области электропитания.
